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STK15C88
32Kx8 PowerStore的nvSRAM
特点
25 , 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
引脚兼容行业标准的SRAM
掉电时自动非易失性存储
自动恢复到SRAM将开机
在非易失性存储或召回
软件控制
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单5V ±10 %电源
商业和工业温度
28引脚300密耳和330密耳SOIC封装
(符合RoHS标准)
描述
该SIMTEK STK15C88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间,
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞(在
商店
操作)。上电时,数据是自动
恢复到SRAM (在
召回
操作)。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
PowerStore的nvSRAM产品依赖于本征
SIC系统容量,以保持系统的电源
足够长的电源损耗自动存储。如果
从5伏电源斜坡到3.6伏更快
超过10毫秒,考虑我们的14C88和16C88的更多
可靠的操作。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能,最可靠的非易失性
可用内存。
框图
量子阱
512 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店/
召回
控制
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
软件
检测
A
13
– A
0
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制# ML0016版本0.3
2007年2月,
STK15C88
销刀豆网络gurations
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28引脚300密耳SOIC
28引脚330密耳SOIC
引脚名称
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
V
SS
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
电源
I / O
描述
地址: 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据:双向8位数据总线,用于访问所述的nvSRAM
芯片使能:活动低辐射输入选择器
写使能:将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能:有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源: 5.0V , ±10 %
文件控制# ML0016版本0.3
2007年2月,
2
STK15C88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至(Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至(Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流(1输出的时间, 1秒的持续时间) 。 。 。 。 。 。 。 0.15毫安
注一:强调高于绝对最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级,并且该装置的条件下的功能操作
超出本规范的业务部门所标明
化,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
b
I
CC2
c
I
CC3
b
I
CC4
c
I
SB1
d
I
SB2
d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
参数
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V , 25°C时,典型的
平均V
目前在
自动存储周期
平均V
CC
当前
(待机,骑自行车TTL电平输入)
V
CC
待机电流
(待机,稳定的CMOS输入电平)
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
0
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
70
–40
最大
97
70
3
10
2
30
22
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
最大
100
70
3
10
2
31
23
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关,V
CC
=最大
W
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车, CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的,E
V
IH
t
AVAV
=为45nS ,E
V
IH
E
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
0.2V或
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
,E或G
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
注B:我
CC1
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意:C :我
CC2
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期(T
商店
) .
注意D: é
V
IH
不会产生待机电流电平,直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C,F = 1.0MHz的)
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
480欧姆
产量
255欧姆
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注E:这些参数是保证,但未经测试。
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1 : AC输出负载
文件控制# ML0016版本0.3
2007年2月,
3
STK15C88
SRAM读周期# 1 & # 2
符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
g
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
d
,
e
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C88-25
STK15C88-45
单位
最大
25
25
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
45
0
15
5
5
15
45
45
20
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
备注:F :W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G: I / O状态假设E,G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H:测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1:地址受控
F,G
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ ( DATA OUT )
数据有效
3
t
AVQV
SRAM读周期# 2 : E受控
f
2
t
AVAV
地址
6
E
t
ELQX
7
t
EHQZ
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
G
4
8
t
GLQX
DQ ( DATA OUT )
10
t
ELICCH
活跃
待机
t
GLQV
9
t
GHQZ
数据有效
I
CC
文件控制# ML0016版本0.3
2007年2月,
4
STK15C88
SRAM写周期# 1 & # 2
符号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ
H,I
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
45
30
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C88-25
STK15C88-45
单位
注一:
注记者:
如果W低当E为低电平时,输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
V
IH
在地址转换。
SRAM写周期# 1 :硬件控制
j
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期# 2 :
E受控
j
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制# ML0016版本0.3
2007年2月,
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STK15C68-SF45TR
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