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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第469页 > STK15C68-SF35I
STK15C68
8K ×8
自动存储
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
过时的 - 不推荐用于新Deisgns
特点
非易失性存储,而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ,电池 -
支持RAM或EEPROM
为25ns , 35ns的和为45nS访问时间
商店
通过发起非易失性元件
软件或
自动存储
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读,写和
召回
周期
1,000,000
商店
周期为非易失性元素
MENTS
100年的数据保存在全部工业
温度范围
从冲无数据丢失
商业和工业温度
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
套餐
描述
该STK15C68是一个快速
SRAM
与非易失性元素
换货每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍,而独立的非易失性数据驻留在
非易失性元件。从数据传输
SRAM
to
非易失性元素(
商店
操作)可
上电自动进行下使用充电
存储在系统容量。从非转移
挥发性元素的
SRAM
(该
召回
操作)
在电源恢复自动进行。倡
和灰
商店
召回
周期同样可以用来
通过对输入的控制序列受控
SRAM
输入。该STK15C68是引脚兼容8K ×8
SRAM
s和电池供电的
SRAM
S,可直接
替换并增强其性能。类似
装置( STK16C68 )与内部集成
电容器可用于系统具有非常快的转换
率。该STK12C68 ,它使用一个外部电容
器,是这些应用的替代。
框图
量子阱
128 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
动力
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
12
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
12
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源(+ 5V)的
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制# ML0009修订版0.2
STK15C68
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至(Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至(Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流(1输出的时间, 1秒的持续时间) 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一:强调高于绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只,设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
b
参数
平均V
CC
当前
最大
85
75
65
3
10
2
27
23
20
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
最大
90
75
65
3
10
2
28
24
21
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关,V
CC
=最大
W
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车, CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的,E
V
IH
t
AVAV
=为35ns ,E
V
IH
t
AVAV
=为45nS ,E
V
IH
E
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
0.2V或
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
,E或G
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2
c
I
CC3
b
I
CC4
c
I
SB1
d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V , 25°C时,典型的
平均V
CC
目前在
自动存储
周期
平均V
CC
当前
(待机,骑自行车TTL电平输入)
V
CC
待机电流
(待机,稳定的CMOS输入电平)
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
SB2
d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B:我
CC1
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意:C :我
CC2
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期(T
商店
) .
注意D: é
V
IH
不会产生待机电流电平,直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E:这些参数是保证,但未经测试。
图1 : AC输出负载
2006年3月
2
文件控制# ML0009修订版0.2
STK15C68
SRAM读周期# 1 & # 2
符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
g
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
D,E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
25
10
5
5
13
0
15
最大
25
35
35
15
5
5
15
最大
35
45
45
20
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK15C68-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
STK15C68-45
单位
备注:F :W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G: I / O状态假设E,G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H:测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1:
地址控
F,G
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ ( DATA OUT )
SRAM读周期# 2 :
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ ( DATA OUT )
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
2006年3月
3
文件控制# ML0009修订版0.2
STK15C68
SRAM写周期# 1 & # 2
符号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ
H,I
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
45
30
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK15C68-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
STK15C68-45
单位
注一:
注记者:
如果W低当E为低电平时,输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
V
IH
在地址转换。
的SRAM写周期# 1:
硬件控制
j
t
AVAV
地址
t
ELWH
E
14
19
12
t
WHAX
t
AVWH
t
AVWL
W
t
WLWH
15
16
13
18
17
t
DVWH
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
20
数据有效
t
WHDX
t
WHQX
21
SRAM写周期# 2 :
E受控
j
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
19
12
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEH
t
WLEH
W
t
DVEH
DATA IN
数据输出
高阻抗
数据有效
15
16
13
17
t
EHDX
2006年3月
4
文件控制# ML0009修订版0.2
STK15C68
自动存储 / POWER -UP召回
符号
标准
22
23
24
25
26
t
恢复
t
商店
t
延迟
V
开关
V
RESET
上电
召回
长短
商店
循环时间
时间可以完成SRAM周期
低电压触发电平
低电压复位电平
1
4.0
4.5
3.6
参数
最大
550
10
μs
ms
μs
V
V
e
k
g
g
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK15C68
单位
笔记
注K:吨
恢复
开始从时间V
CC
上升超过V
开关
.
自动存储 / POWER -UP召回
V
CC
5V
25
V
开关
26
V
RESET
自动存储
23
t
商店
上电
召回
22
t
恢复
W
DQ ( DATA OUT )
24
t
延迟
上电
召回
掉电
NO
商店
由于
NO SRAM写操作
NO
召回
(V
CC
没去
低于V
RESET
)
掉电
自动存储
NO
召回
(V
CC
没去
低于V
RESET
)
掉电
自动存储
召回
V
CC
回报
上述V
开关
2006年3月
5
文件控制# ML0009修订版0.2
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STK15C68-SF35I
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