STK14CA8
128Kx8自动存储的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
描述
赛普拉斯STK14CA8是1兆的快速静态RAM与nonvol-
atile QuantumTrap 存储元件包含在每个
存储单元。该SRAM提供了快速访问和周期时间，
易用性和无限的读，写正常的续航能力
SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性存储单元
当检测到断电（ STORE操作） 。上电
时，数据会自动恢复到SRAM中（ RECALL的
操作）。无论STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
赛普拉斯的nvSRAM是第一个单片非易失性存储器
提供无限的写入和读取。它是性能最高
最可靠的非易失性存储器可用。
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问和读/写周期时间
无限的读/写耐用性
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3.0V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
小尺寸SOIC和SSOP封装（符合RoHS ）
逻辑框图
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
商店/
召回
控制
V
帽
动力
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-51592修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年3月4日
[+ ]反馈
STK14CA8
引脚配置
图1. 48引脚SSOP
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
图2. 32引脚SOIC
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
图3.相对PCB面积使用
[1]
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
I / O
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
描述
地址： 17地址输入选择的阵列的nvSRAM在131,072字节之一。
数据：用于访问的nvSRAM双向8位数据总线。
芯片使能：活动低辐射输入选择器。
写使能：将活性低钨允许对DQ管脚的数据写入到该地址的位置
由大肠杆菌的下降沿锁存
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高导致DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， - 10％ 。
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低
外部的芯片时，它启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻保持这种
引脚为高电平，如果没有连接。 （连接是可选的） 。
自动存储电容：提供电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性存储元件。
地面上。
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
NC
电源
电源
无连接
记
1.见
包图
关于详细的封装尺寸规格15页。
文件编号： 001-51592修订版**
第16页2
[+ ]反馈
STK14CA8
绝对最大额定值
在输入相对地电压.................- 0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
...........- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB ......................- 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
偏压下...............................温度-55°C至125°C
结温................................... -55 ° C至140℃
存储温度.................................... -65℃ 150℃
功耗................................................ ............. 1W
直流输出电流（ 1输出的时间， 1秒持续时间） .... 15毫安
NF （ SOP- 32 ）封装的热特性
θ
jc
5.4 C / W ;
θ
ja
44.3 [ 0fpm ] ， 37.9 [ 200fpm ] ， 35.1 ℃/ W [ 500fpm 。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
注意：
应力大于那些在上市
绝对
最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在上述这些条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
DC特性
(V
CC
= 2.7V至3.6V ）
符号
I
CC1
参数
平均V
CC
当前
广告
民
最大
65
55
50
产业
民
最大
70
60
55
单位
笔记
毫安牛逼
AVAV
= 25纳秒
毫安牛逼
AVAV
= 35 ns的
毫安牛逼
AVAV
- 45纳秒
依赖于输出负载和周期
率。无输出负载得到的值。
mA的所有输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
=
200纳秒
3V ， 25 ° C，典型
平均V
帽
目前在
自动存储周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
I
CC3
10
10
毫安W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出负载得到的值。
I
CC4
3
3
I
SB
3
3
马ê
≥ (
V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
μA
μA
V
V
V
V
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
3.3V + 0.3V
mA的所有输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
记
输入漏电流
断态输出漏
当前
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+0.3
0.8
0.4
70
3.6
120
–40
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+0.3
0.8
0.4
85
3.6
120
≥
V
IH
°
C
V
μF
K
多年在55
°
C
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
在HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
第16页3
文件编号： 001-51592修订版**
[+ ]反馈
STK14CA8
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
输入上升和下降时间
................................................. ≤
5纳秒
输入和输出时序参考电平1.5V ....................
输出负载..................................见
图4
和
图5
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
[2]
输入电容
输出电容
最大单位
7
7
pF
pF
条件
Δ
V = 0 3V
Δ
V = 0 3V
图4. AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图5. AC输出负载为三态规格
(t
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
记
2.这些参数是保证，但未经测试。
文件编号： 001-51592修订版**
第16页4
[+ ]反馈
STK14CA8
SRAM读周期＃ 1和＃ 2
号
#1
1
2
3
4
5
6
符号
参数
#2
t
ELQV
t
AVAV[3]
t
AVQV[4]
t
AXQX[4]
t
ELEH[3]
t
AVQV[4]
t
GLQV
t
AXQX[4]
t
ELQX
t
EHQZ[5]
t
GLQX
t
GHQZ[5]
t
ELICCH[2]
t
EHICCL[2]
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到
输出活动
地址更改或芯片禁用到
输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
STK14CA8-25 STK14CA8-35 STK14CA8-45
民
25
25
12
3
3
10
0
10
0
25
0
35
0
13
0
45
3
3
13
0
15
最大
25
35
35
15
3
3
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
8
9
10
11
控制地址：图6. SRAM读周期＃ 1
[3, 4, 6]
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
3
t
AVQV
图7. SRAM读周期＃ 2 ： E和G受控
[3, 6]
2
1
6
29
11
7
3
9
4
8
10
笔记
3. W必须在SRAM读周期高。
4.设备，不间断地与E和G两个选择低
5.测
±
200mV的从稳态输出电压。
6. HSB必须读取和写入周期期间保持高位
文件编号： 001-51592修订版**
第16页5
[+ ]反馈
128Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3.0V + 20 ％ ， - 10％操作
商业和工业温度
小尺寸SOIC & SSOP封装（ RoHS-
兼容）
STK14CA8
描述
该SIMTEK STK14CA8是1MB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
量子阱
1024 X 1024
行解码器
动力
控制
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
商店/
召回
控制
V
帽
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
STK14CA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
NC
A
4
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
NC
A
11
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
32引脚SOIC
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
详细方案请参见第17页
尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 17地址输入的nvSRAM阵列中选择131,072字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
NC
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
2
SSOP
DQ
3
V
CC
SOIC
STK14CA8
绝对最大额定值
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
NF （ SOP- 32 ）封装的热特性
θ
jc
5.4 C / W ;
θ
ja
44.3 [ 0fpm ] ， 37.9 [ 200fpm ] ， 35.1 ℃/ W [ 500fpm 。
RF （ SSOP - 48 ）封装热特性
θ
jc
6.2 C / W ;
θ
ja
51.1 [ 0fpm ] ， 44.7 [ 200fpm ] ， 41.8 ℃/ W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
55
50
70
60
55
mA
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
3
mA
I
CC3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
I
CC4
平均V
帽
自动存储在当前
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
120
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
120
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
3
STK14CA8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
4
128Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE周期
20年非易失性数据保留
单3 V + 20 ％ ， - 10 ％电源
商业和工业温度
小尺寸SOIC & SSOP封装（ RoHS-
兼容）
STK14CA8
描述
该SIMTEK STK14CA8是1MB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
量子阱
1024 X 1024
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
1024 X 1024
召回
V
CC
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
15
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
A
11
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
STK14CA8
套餐
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
48引脚SSOP
相对的PCB面积的使用。
访问网站了解详细方案
尺寸规格。
引脚说明
引脚名称
A
16
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 17地址输入的nvSRAM阵列中选择131,072字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
未标记引脚没有内部连接。
V
帽
V
SS
（空）
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
2
SSOP
DQ
0
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
1
DQ
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
V
帽
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
DQ
6
G
A
10
E
DQ
7
DQ
5
DQ
4
DQ
3
V
CC
32引脚的SOIC
STK14CA8
绝对最大额定值
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ℃ 140℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
直流特性（V
CC
= 2.7V-
封装热特性 - 请参阅网站在http://www.simtek.com
3.6V)
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
65
55
50
70
60
55
mA
mA
mA
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安
I
OUT
= 4毫安
最大
民
最大
产业
单位
笔记
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
10
10
mA
3
mA
I
CC3
I
CC4
平均V
帽
自动存储在当前
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
3
3
3
3
mA
I
SB
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
17
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
120
–40
2.7
17
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.3
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
120
V
°C
V
μF
K
岁月
3.3V + 0.3V
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定。
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V时，此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
3
STK14CA8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0022版本1.5
2007年2月
4
QQ：2880707522 复制
