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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第671页 > STK14C88-3NF45
STK14C88-3
256千位（ 32K ×8 ）自动存储的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
赛普拉斯STK14C88-3是一个256 KB的快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。嵌入式
非易失性
分子
合并
QuantumTrap
技术，生产世界上最可靠的非易失性
内存。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的，非易失性的数据驻留在
高度可靠的QuantumTrap细胞。从数据传输
SRAM的非易失性元件（实体店经营）
自动发生在断电。上电时，数据
从恢复到SRAM （该RECALL操作）
非易失性存储器。无论是STORE和RECALL操作
系统蒸发散也是在软件控制下使用。
35 ns到45 ns的访问时间
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限的读/写耐用性
无限RECALL周期
百万STORE周期
百年数据保留
3.3V单电源+ 0.3V电源
商用和工业温度
32针（ 300MIL ） SOIC和32引脚（ 600 mil）的PDIP封装
符合RoHS标准
逻辑框图
量子阱
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
V
帽
商店
行解码器
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
列I / O
输入缓冲器
COLUMN DEC
A
13
-
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-50592修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年1月29日
[+ ]反馈
STK14C88-3
销刀豆网络gurations
图1.引脚图 - 32引脚SOIC / 32引脚PDIP
表1.引脚定义 - 32引脚SOIC / 32引脚PDIP
引脚名称
A
0
–A
14
DQ
0
-DQ
7
WE
CE
OE
V
SS
V
CC
HSB
W
E
G
ALT
IO类型
输入
输入或
产量
输入
输入
输入
地
输入或
产量
描述
地址输入。
用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
双向数据IO线。
作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低时，所述数据
IO引脚被写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择
芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器
在读周期。拉高OE HIGH导致IO引脚三态。
地面的装置。
该装置被连接到该系统的地面。
五金店忙（ HSB ） 。
低电平时，此输出表明五金店是
进展情况。当拉低外部向芯片时，它启动一个非易失STORE操作。一
内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。
电源
电源输入到该设备。
V
帽
电源
自动存储电容。
提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性元件。
文件编号： 001-50592修订版**
第17页2
[+ ]反馈
STK14C88-3
设备操作
该STK14C88-3的nvSRAM是由两个功能康波
堂费成对在相同的物理单元中。这是一个SRAM
存储器单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该SRAM
存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。在数据
SRAM被转移至非易失性的细胞（对STORE
操作）或从非易失性细胞到SRAM（该RECALL
操作）。这种独特的架构允许存储和
召回所有单元并联。在STORE和RECALL
操作， SRAM的读写操作都被禁止。
该STK14C88-3支持无限读取和写入类似
一个典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL操作
从非易失性细胞和多达百万商店系统蒸发散
操作。
图2.自动存储模式
SRAM读
该STK14C88-3执行一个读周期，每当CE和OE
是低，而WE和HSB是HIGH 。指定的地址
对引脚
0–14
确定访问的32,768个数据字节。当
读出的是一个地址转换开始时，输出
T的延迟后有效
AA
（读周期1 ） 。如果读取启动
通过CE或OE ，则输出在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
为准
是后来（读周期2 ） 。数据输出一再回应
内的T地址变更
AA
而不需要访问时间
转换上的任何控制输入引脚，并保持有效，直到
另一个地址变更，或直到CE或OE变为高电平，或
WE或HSB变为低电平。
SRAM写
写周期完成时CE和WE低，
HSB高。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE
变为高电平的周期的末尾。在共用的IO中的数据
DQ引脚
0–7
被写入到存储器中，如果它具有有效吨
SD
日前
一个我们控制写入或CE年底前结束
控制的写。请OE高，在整个写周期
以避免对公共IO线数据总线的争用。如果OE是左
低时，内部电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
之后，我们
变低。
自最近一次存储写操作发生
或者RECALL周期。启动软件商店周期
的写操作是否已完成而不管
的地方。一个可选的上拉电阻被示为连接到HSB 。
HSB的信号，由系统监控，如果一个检测
自动存储周期正在进行中。
如果电源Vcc的下降之前，快于美国20个/伏
达到V
开关
，然后一个1欧姆的电阻应连接
V之间
CC
和系统供电，以避免瞬间过量
V之间的电流
CC
和V
帽
.
自动存储禁止模式
如果不需要对功率损失的自动商店，则V
CC
被连接到地和+ 3.3V被施加到V
帽
（图
3).
这是
所述自动存储禁止模式，其中自动存储功能是
禁用。如果STK14C88-3在此配置中操作时，
引用V
CC
被改变到V
帽
在本数据
表。在这种模式下，存储操作都是通过触发
软件控制。它不允许在它们之间改变
选择“对飞” 。
自动存储
手术
该STK14C88-3可以在三个存储1供电操作
系统蒸发散：
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。电荷存储电容器
一个容量为68微法和220微法之间（ + 20％）额定
应提供4.7V 。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作将被忽略，除非至少有一个
文件编号： 001-50592修订版**
第17页3
[+ ]反馈
STK14C88-3
图3.自动存储禁止模式
和共享单个电容器。电容器尺寸由标
连接到它的设备的数量。当的任何一个
STK14C88-3检测到的功率损耗，并且使对HSB，所述
常见的HSB引脚使各部分请求STORE周期。
（一家商店发生在那些写STK14C88-3
自从上次非易失周期）。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
在STK14C88-3继续推动HSB引脚为低电平，
释放它只有当存储完成。后
在完成存储操作时， STK14C88-3遗体
被禁止，直到HSB引脚为高电平。
HSB如果不使用，则悬空。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功耗状态（V
CC
＆ LT ;
V
RESET
） ，一个内部调出请求被锁定。当V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
如果STK14C88-3处于写状态，在上电时的端
回想一下，在SRAM数据被破坏。为了避免这种
的情况下，一个10千欧电阻连接或者我们之间
和System V
CC
或CE和System V之间
CC
.
软件商店
数据被从SRAM传输到非易失性存储器
由一个软件地址序列。该STK14C88-3软件
商店周期通过执行顺序的CE控制的启动
从阅读中准确的六项具体地址位置周期
顺序。在商店周期，先前的擦除
非易失性数据首先来执行后面的程序
非易失性元件。当启动一个商店周期，输入
输出被禁止，直到周期结束。
由于序列读取来自特定地址是
用于商店开始，重要的是，没有其它READ
或写访问干预的顺序。如果他们
介入，序列被中止，并没有存储或调用
发生。
要启动的软件商店周期，下面读
顺序进行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
该软件序列主频与CE控制的读取。
当序列中的第六个地址被输入，则
STORE周期的开始和芯片被禁用。这是
重要的是读周期，而不是写周期中使用
中的序列。这是没有必要的OE为低电平为有效
序列。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
再次激活，读取和写入操作。
五金店（ HSB ）操作
该STK14C88-3提供了HSB引脚用于控制和
在确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚
驱动为低电平时， STK14C88-3有条件发起STORE
吨后操作
延迟
。实际STORE周期只有开始，如果
写SRAM发生上次Store或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
在内部驱动到低电平，表示处于忙碌状态，而
的存储（通过任何方式发起）正在进行中。拉起这
销与外部10K欧姆的电阻到V
帽
如果HSB使用
作为驱动器。
SRAM的读写操作，这是正在进行中
当HSB通过任何手段驱动至低电平，给出时间来
完成启动存储操作之前。 HSB后
变为低电平时， STK14C88-3继续SRAM的操作
t
延迟
。在t
延迟
，多个SRAM读操作需要
的地方。如果一个写正在进行时HSB被拉低，这
允许时间t
延迟
来完成。但是，任何的SRAM
HSB后要求写周期变低被禁止
直到HSB返回高电平。
在HSB引脚用于同步多个STK14C88-3
在使用单个较大的电容器。在此模式下运行，
在HSB引脚连接在一起的HSB销从
其他STK14C88-3 。一个外部上拉电阻到V
帽
is
必须的，因为HSB作为一个漏极开路下拉。该
V
帽
从其他STK14C88-3部分引脚被连接在一起
文件编号： 001-50592修订版**
第17页4
[+ ]反馈
STK14C88-3
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
CE控制的读操作如下顺序是
执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0C63 ，启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除，然后，非易失性信息被转移到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时间，该SRAM是一次
再次准备读取和写入操作。召回
操作不改变在非易失性元件的数据。该
非易失性数据可被调用的次数不受限制。
较低的平均有功功率
CMOS技术提供了STK14C88-3的好处
绘制显著较少的电流，当它被循环在时间较长
超过50纳秒。
图4
和
图5
显示之间的关系
I
CC
和读取或写入周期时间。最坏情况下的电流
消费所示的CMOS和TTL电平输入
（商用温度范围， VCC = 3.6V，占空比为100％
在芯片使能） 。当芯片只待机电流被绘制
禁用。由STK14C88-3得出的总平均电流
依赖于以下项目：
1.芯片的占空比使
2.整个周期率的访问
3的读写比
4. CMOS与TTL电平输入
5.操作温度
6， V
CC
水平
7. IO负载
图4.当前对循环时间（读）
防止商店
这家商店的功能可以通过按住HSB禁止在飞行
高配可输出30毫安在V的驱动程序
OH
中的至少
2.2V ，因为它有压倒内部上拉下来的设备。
该器件驱动HSB低20
μs
在一个商店的发作。
当STK14C88-3被连接用于自动存储的操作
（系统V
CC
连接到V
CC
和68
μF
电容上的V
帽
)
和V
CC
十字V
开关
就这样下来， STK14C88-3
企图拉HSB低。如果HSB实际上并没有得到如下
V
IL
，部分停止试图拉HSB低并中止STORE
尝试。
硬件保护
该STK14C88-3提供硬件保护，防止意外
在低电压条件STORE操作和SRAM写入
系统蒸发散。当V
帽
＆ LT ; V
开关
所有外部发起
商店
操作和SRAM写操作被禁止。
图5.电流与循环时间（写）
噪声考虑
该STK14C88-3是一种高速内存。它必须具有高
约0.1μF高频旁路电容连接
V之间
CC
和V
SS,
使用线索和痕迹是短
成为可能。如同所有的高速CMOS集成电路，小心路由
电源，接地和信号降低电路噪声。
文件编号： 001-50592修订版**
第17页5
[+ ]反馈
STK14C88-3
32K ×8
自动存储
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
为35ns ，为45nS和55ns访问时间
“放手”自动
商店
与外部
68μF电容在电源关闭
商店
通过发起非易失性元件
硬件，软件或
自动存储
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
周期为非易失性元素
ments （商业/工业）
100年的数据保存在非易失性元素
ments （商业/工业）
单3.3V
+
0.3V操作
商业和工业温度
32引脚SOIC和DIP封装
描述
该SIMTEK STK14C88-3是一个快速静态
内存
与一位
在每个静态结合的非易失性元素
存储单元。该
SRAM
可以读取和写入的
无限次，而独立的，非
易失数据驻留在非易失性元件。数据
从转移
SRAM
到非易失性元件
（该
商店
操作）可以自动进行
在断电。一个68μF或更大的电容，从绑
V
帽
地保证
商店
操作时，
不管断电摆率和功率损耗
从“热插拔” 。从非易失性转移
元素添加到
SRAM
（该
召回
操作）取
自动放置在电源恢复。倡
和灰
商店
和
召回
周期也可以是软
洁具通过输入特定的读控制
序列。硬件
商店
可以与启动
在HSB引脚。
框图
V
CCx中
量子阱
512 x 512
V
帽
动力
控制
销刀豆网络gurations
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
商店/
召回
控制
HSB
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
13
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
V
CCx中
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
NC
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
行解码器
引脚名称
A
0
- A
14
地址
输入
DQ
0
-DQ
7
IN / OUT数据
E
芯片
启用
W
写
启用
G
产量
启用
HSB
五金
商店
忙（ I / O）
V
CCx中
动力
(+ 3.3V)
32 - DIP
32 - SOIC
V
帽
电容
V
SS
地
48 - SSOP
（不按比例）
2003年11月
1
文件控制＃ ML0015修订版0.3
STK14C88-3
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.5V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.6V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
符号
I
CC B
1
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
e
产业
民
最大
52
44
39
3
9
2
19
17
16
1
±1
±1
2.2
V
SS
– .5
2.4
V
CC
+ .5
0.8
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
0.4
0.4
– 40
85
V
V
°C
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
广告
民
最大
50
42
37
3
9
2
18
16
15
1
±1
±1
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
0
70
V
CC
+ .5
0.8
I
CC c
2
3
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
CC
b
I
CC c
4
I
SB
1
I
SB
2
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
I
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
I
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
E
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
.
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
3.3V
317欧姆
产量
351欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1
:
AC输出负载
2003年11月
2
文件控制＃ ML0015修订版0.3
STK14C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
符号
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQVh
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZ
i
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
e
参数
STK14C88-3-35
民
最大
35
35
35
15
5
5
13
0
13
0
35
0
45
0
15
0
55
5
5
15
0
20
45
45
20
5
5
20
STK14C88-3-45
民
最大
45
55
55
25
STK14C88-3-55
民
最大
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
f
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCH
t
EHICCLf
t
PA
t
PS
注G： W和HSB必须在SRAM读周期高。
注H： I / O状态asumes E和G <
V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
.
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
2
t
AVAV
地址
5
3
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
2
t
AVAV
地址
6
1
t
ELQV
1
1
t
EHICCL
7
t
EHQZ
E
t
ELQX
G
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
活跃
t
GLQV
4
9
t
GHQZ
数据有效
10
I
CC
待机
2003年11月
3
文件控制＃ ML0015修订版0.3
STK14C88-3
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
号
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
符号
#1
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ I，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
参数
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
STK14C88-3-35
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
5
最大
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
e
STK14C88-3-45
STK14C88-3-55
民
55
40
40
25
0
40
0
0
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注K： é或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
注L： HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
K，L
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
20
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
K，L
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
2003年11月
4
文件控制＃ ML0015修订版0.3
STK14C88-3
硬件模式选择
E
H
L
L
X
W
X
H
L
X
HSB
H
H
H
L
A
13
- A
0
（十六进制）
X
X
X
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
非易失性
商店
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
l
CC
2
笔记
t
m
注M： HSB
商店
操作时，如果只有一个SRAM写入了自上次非易失性周期完成。后
商店
（如果有的话）完成后，
该部分将进入待机模式，禁止所有的操作，直到HSB上升。
五金
商店
周期
号
22
23
24
25
26
符号
标准
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
HLHX
t
HLBL
备用
t
HLHZ
t
HLQZ
t
HHQX
商店
循环时间
时间可以完成SRAM周期
五金
商店
高抑制关
五金
商店
脉冲宽度
五金
商店
低
商店
忙
参数
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
e
STK14C88-3
民
最大
10
1
700
15
300
单位
ms
s
ns
ns
ns
笔记
I，N
I，N
N，O
注N： E和G低和W的高输出行为。
注○：吨
恢复
只适用吨后
商店
就完成了。
五金
商店
周期
25
t
HLHX
HSB （ IN）
24
t
恢复
22
t
商店
HSB （OUT）
26
t
HLBL
高阻抗
高阻抗
23
t
延迟
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
数据有效
2003年11月
5
文件控制＃ ML0015修订版0.3
STK14C88-3
32Kx8自动存储的nvSRAM
特点
35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或
软件控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单3.3V + 0.3V电源
商业和工业温度
32引脚300密耳SOIC和600万PDIP
封装（符合RoHS标准）
描述
该SIMTEK STK14C88-3是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（对STORE
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （该RECALL操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
cc
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
量子辐照充氧陷阱
512 X 512
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
商店/
召回
控制
V
帽
动力
控制
HSB
软件
检测
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
13
– A
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0015版本2.0
2008年2月
STK14C88-3
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
NC
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Portagee
JOE
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
NC
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
（ TOP）
32引脚SOIC
32引脚PDIP
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.3V ， + 0.3V
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
V
帽
V
SS
电源
电源
文件控制＃ ML0015版本2.0
2008年2月
2
STK14C88-3
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
NF （ SOP- 32 ）封装的热特性
θ
jc
5.4 C / W ;
θ
ja
44.3 [ 0fpm ] ， 37.9 [ 200fpm ] ， 35.1 ℃/ W [ 500fpm 。
WF （ PDIP - 32 ）封装的热特性
θ
jc
ND ;
θ
ja
40 0fpm ] ， 34.5 [ 200fpm ] ， 32.3 ℃/ W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
I
CC2c
I
CC3
b
(V
CC
= 3 - 3.6V)
e
产业
单位
民
最大
50
42
3
9
2
18
16
1
±1
±1
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
0
3.0
54
1,000
100
70
3.6
264
- 40
3.0
54
1,000
100
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
85
3.6
264
民
最大
52
44
3
9
2
19
17
1
±1
±1
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
°C
V
μF
K
岁月
@55
°C
3.3V ± 0.3V
68 220μF ± 20 ％ ，额定4.7V
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
自动存储在当前
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
储能电容
非易失性存储操作
数据保留
I
CC4c
I
SB1d
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
注E： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CC
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CC
被连接到
地面上。
文件控制＃ ML0015版本2.0
2008年2月
3
STK14C88-3
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
3.3V
317欧姆
产量
351欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1. AC输出负载
文件控制＃ ML0015版本2.0
2008年2月
4
STK14C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1, #2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAV
, t
ELEH
t
AVQVh
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZ
i
g
g
(V
CC
= 3V - 3.6V)
e
STK14C88-3-35
参数
STK14C88-3-45
单位
民
最大
35
35
35
15
5
5
13
0
13
0
35
0
45
0
15
5
5
15
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到输出有效
地址更改或禁用芯片到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQX
t
GHQZ
i
f
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
ELICCH
t
EHICCLf
注G： W和HSB必须在SRAM读周期高。
注H： / O状态，假设E和G <
V
IL
和
W >
V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：地址受控
G，H
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
3
t
AVQV
SRAM读周期＃ 2 ： E和G受控
g
ADDR ESS
t
ê LE
1
t
EL Q V
2
29
t
EHAX
11
t
EHI CC L
7
t
EHQ
E
27
6
t
ELQ X
G
t
AV QV
4
t
体中QV
9
t
GH Q
3
8
t
体中Q X
DQ （D ATA OUT）
10
t
ELI CC
DAT一个VAL ID
AC牛逼IVE
I
CC
圣和
文件控制＃ ML0015版本2.0
2008年2月
5
32Kx8自动存储的nvSRAM
特点
35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或
软件控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单3.3V ± 10 ％电源
商业和工业温度
32引脚300密耳SOIC和600万PDIP封装
年龄（符合RoHS标准）
STK14C88-3
描述
该SIMTEK STK14C88-3是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（对STORE
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （该RECALL操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CCx中
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
量子辐照充氧陷阱
512 X 512
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
13
– A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0015版本0.6
2007年2月
STK14C88-3
VCAP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
NC
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Portagee
JOE
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCCX
HSB
W
A13
A8
A9
A11
G
NC
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32引脚SOIC
32引脚PDIP
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CCx中
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 3.3V ， ±10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
V
帽
V
SS
电源
电源
文件控制＃ ML0015版本0.6
2007年2月
2
STK14C88-3
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
参数
民
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
自动存储在当前
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
储能电容
非易失性存储操作
数据保留
0
3.0
54
1,000
100
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
70
3.6
264
- 40
3.0
54
1,000
100
最大
50
42
3
9
2
18
16
1
±1
±1
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
85
3.6
264
民
最大
52
44
3
9
2
19
17
1
±1
±1
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
°C
V
μF
K
岁月
@55
°C
产业
单位
(V
CC
= 3 - 3.6V)
e
笔记
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
3.3V ± 0.3V
68 220μF ± 20 ％ ，额定4.7V
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
注E： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
连接
到地面。
文件控制＃ ML0015版本0.6
2007年2月
3
STK14C88-3
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
3.3V
317欧姆
产量
351欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1. AC输出负载
文件控制＃ ML0015版本0.6
2007年2月
4
STK14C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1, #2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQVh
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZi
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCHf
t
EHICCLf
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
35
0
13
0
45
5
5
13
0
15
35
35
15
5
5
15
参数
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK14C88-3-35
(V
CC
= 3V - 3.6V)
e
STK14C88-3-45
单位
注G： W和HSB必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： / O状态，假设E和G <
V
IL
和
W >
V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：地址受控
G，H
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
3
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期＃ 2 ： E受控
g
2
t
AVAV
地址
6
t
ELQX
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
E
G
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
活跃
t
GLQV
4
9
t
GHQZ
数据有效
10
I
CC
待机
文件控制＃ ML0015版本0.6
2007年2月
5
STK14C88-3
256千位（ 32K ×8 ）自动存储的nvSRAM
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
35 ns到45 ns的访问时间
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限的读/写耐用性
无限RECALL周期
百万STORE周期
百年数据保留
3.3V单电源+ 0.3V电源
商用和工业温度
32针（ 300MIL ） SOIC和32引脚（ 600 mil）的PDIP封装
符合RoHS标准
赛普拉斯STK14C88-3是一个256 KB的快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。嵌入式
非易失性元素纳入QuantumTrap技术
生产世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期，而
独立的，非易失性的数据驻留在高度可靠的
QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据被恢复
以从非易失性SRAM中（该RECALL操作）
内存。无论是STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
逻辑框图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
fo
rN
V
CC
商店
召回
量子阱
512 X 512
行解码器
d
de
静态RAM
ARRAY
512 X 512
ew
V
帽
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
m
en
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
4
DQ
3
列I / O
om
输入缓冲器
COLUMN DEC
DQ
5
DQ
6
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
ec
DQ
7
R
N
ot
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-50592修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年2月11日
[+ ]反馈
D
es
A
13
-
A
0
OE
CE
WE
ig
ns
特点
功能说明
STK14C88-3
目录
功能................................................. ...............................
功能说明................................................ ........
逻辑框图............................................... ............
目录................................................. ..............................
引脚配置................................................ ..............
设备操作................................................ .................
SRAM读................................................ ..........................
SRAM写................................................ ..........................
自动存储操作................................................ ...........
自动存储禁止模式............................................... ........
五金店（ HSB ）操作....................................
硬件RECALL （上电） ...........................................
软件商店................................................ ..................
软件RECALL ................................................ ................
防止STORE ................................................ ...............
硬件保护................................................ .................
噪声考虑................................................ ..........
较低的平均有功功率.............................................. ...
................................................最佳实践......................
最大额定值................................................ ................
直流电气特性.............................................
1
1
1
2
3
4
4
4
4
4
5
5
5
6
6
6
6
6
7
8
8
数据保留和耐力.......................................... 9
电容................................................. ........................ 9
热阻................................................ ............. 9
AC测试条件............................................... .............. 9
AC开关特性........................................... 10
SRAM读周期............................................... ........ 10
开关波形................................................ ....... 10
开关波形................................................ ....... 11
自动存储或通电RECALL ..................................... 12
开关波形................................................ ....... 12
软件控制的存储/调用循环................... 13
开关波形................................................ ....... 13
五金店周期............................................... ..... 14
开关波形................................................ ........ 14
品名命名.......................................... 15
订购信息................................................ ......... 15
包图................................................ ............. 16
文档历史记录页............................................... ...... 17
销售，解决方案和法律信息.......................... 17
全球销售和设计支持.......................... 17
产品................................................. ...................... 17
N
ot
文件编号： 001-50592修订版* D
R
ec
om
m
en
de
d
fo
rN
ew
D
es
ig
ns
第18页2
[+ ]反馈
STK14C88-3
销刀豆网络gurations
表1.引脚定义 - 32引脚SOIC / 32引脚PDIP
引脚名称
A
0
–A
14
DQ
0
-DQ
7
WE
CE
OE
V
SS
V
CC
HSB
V
帽
W
E
G
ALT
I / O类型
输入
输入或
产量
输入
输入
输入
de
d
地址输入。
用于选择的32,768字节的nvSRAM之一。
双向数据I / O线。
作为根据操作的输入或输出线路。
写使能输入，低电平有效。
当芯片被使能和WE为低时，所述数据
I / O引脚被写入到特定地址的位置。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择
芯片。
输出使能，低电平有效。
该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器
在读周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
地面的装置。
该装置被连接到该系统的地面。
五金店忙（ HSB ） 。
低电平时，此输出表明五金店是
进展情况。当拉低外部向芯片时，它启动一个非易失STORE操作。一
内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平，如果没有连接（连接可选）。
R
N
ot
文件编号： 001-50592修订版* D
ec
om
地
电源
电源输入到该设备。
输入或
产量
电源
自动存储电容。
提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性元件。
m
en
fo
rN
描述
第18页3
ew
[+ ]反馈
D
es
ig
ns
图1.引脚图 - 32引脚SOIC / 32引脚PDIP
STK14C88-3
设备操作
该STK14C88-3的nvSRAM是由两个功能
部件配对在相同的物理单元中。这是一个
SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。该
SRAM存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作）或从非易失性细胞到SRAM（在
RECALL操作） 。这种独特的架构使得
存储和所有单元平行的回忆。在STORE和
RECALL操作， SRAM的读写操作
抑制。该STK14C88-3支持无限读取和
写入类似于典型的SRAM 。此外，它提供了
从非易失性细胞无限RECALL操作和
高达百万STORE操作。
图2
示出了存储电容器的正确连接
(V
帽
）自动存储操作。电荷存储
一个容量为68微法和220微法之间的电容
（ + 20％ ），额定电流为4.7V ，应提供。
SRAM读
该STK14C88-3执行一个读周期，每当CE和
OE是低电平，而我们和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0–14
决定了32,768个数据字节
访问。当读取由一个地址开始
转换时，输出为T的延迟后有效
AA
（阅读
循环1） 。如果读通过CE或OE启动时，输出
有效的在T
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出多次回应，以解决内部的变化
经t
AA
而不需要任何转换的存取时间
控制输入引脚，并保持有效，直到另一个地址
更改或直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB是
拉低。
m
en
写周期完成时CE和WE都为低电平
和HSB高。地址输入之前必须是稳定的
进入写周期，必须保持稳定，直到
CE或WE变为高电平在周期的末端。在数据
通用I / O引脚DQ
0–7
被写入到存储器中，如果它具有
有效吨
SD
中，我们控制WRITE或结束前前
一个CE控制写入结束。请OE高时，
整个写周期，以避免对公共数据总线争用
I / O线。如果OE保持低电平，内部电路关闭输出
缓冲区吨
HZWE
当我们变低。
de
该STK14C88-3可以在三个存储1供电
操作：
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
到连接至V的电容器进行充电
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个商店
操作。如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
,
部分自动断开V
帽
引脚从V
CC
. A
启动与由V提供电源STORE操作
帽
电容。
N
ot
文件编号： 001-50592修订版* D
R
ec
om
自动存储操作
d
SRAM写
fo
rN
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储和
五金店操作将被忽略，除非至少有一个
自最近一次写操作发生
存储或调用周期。启动软件商店周期
一个写操作是否有考虑执行
发生了。示连接的一个可选的上拉电阻被
到HSB 。 HSB的信号是由系统来检测监视
如果一个自动存储周期正在进行中。
如果电源Vcc的下降之前，快于美国20个/伏
达到V
开关
，然后一个1欧姆的电阻应连接
V之间
CC
和系统供电，以避免瞬间
多余V之间的电流
CC
和V
帽
.
自动存储禁止模式
如果不需要对功率损失的自动商店，则V
CC
被连接到地和+ 3.3V被施加到V
帽
（图
3
on
第5页） 。这是自动存储禁止模式，其中所述
自动存储功能。如果STK14C88-3操作
在这种配置中，参考到V
CC
被改变到V
帽
在本数据手册。在这种模式下，门店运营
通过软件控制被触发。这是不允许
这些选项“对飞”之间切换。
ew
第18页4
[+ ]反馈
D
es
ig
ns
图2.自动存储模式
STK14C88-3
图3.自动存储禁止模式
电容。电容器尺寸由设备的数量比例
连接到它。当STK14C88-3的任何一个检测到一个
功率损耗并声称HSB ，共同HSB引脚将使所有
份请求一条STORE周期。 （一家商店发生在那些
STK14C88-3自上次非易失周期被写入）。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该STK14C88-3继续驱动HSB引脚为低电平，释放
它只有当存储完成。完成后，
STORE操作， STK14C88-3仍然禁止，直到
HSB引脚为高电平。
HSB如果不使用，则悬空。
硬件RECALL （上电）
五金店（ HSB ）操作
m
en
该STK14C88-3提供了HSB引脚用于控制和
在确认存储操作。在HSB引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低时， STK14C88-3有条件启动商店
吨后操作
延迟
。实际STORE周期只有开始，如果
写SRAM发生上次Store或
RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
在内部驱动到低电平，表示处于忙碌状态，而
的存储（通过任何方式发起）正在进行中。拉起这
销与外部10K欧姆的电阻到V
帽
如果HSB用作
的驱动。
SRAM的读写操作，这是正在进行时
HSB驱动至低电平以任何方式被给定的时间来完成
启动之前的存储操作。经过HSB变为低电平，
在STK14C88-3继续SRAM操作在t
延迟
。中
t
延迟
，多个SRAM读取操作发生。如果一个写
正在进行时HSB被拉低，它允许时间t
延迟
来完成。然而，任何SRAM写入周期后要求
HSB变为低电平被禁止，直到HSB返回高电平。
de
ec
om
N
ot
在HSB引脚用于同步多个STK14C88-3而
利用单个较大的电容器。工作在这种模式下， HSB
引脚连接在一起的HSB销从另一
STK14C88-3 。一个外部上拉电阻到V
帽
是必须的，
因为HSB作为一个漏极开路下拉。在V
帽
从销
其他STK14C88-3部分连接在一起，并共用一个
文件编号： 001-50592修订版* D
R
d
fo
rN
如果STK14C88-3处于写状态，在上电时的端
回想一下，在SRAM数据被破坏。为了避免这种
的情况下，一个10千欧电阻连接或者我们之间
和System V
CC
或CE和System V之间
CC
.
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该STK14C88-3软件
商店周期通过执行顺序的CE控制的启动
读的确切顺序六项具体地址位置周期。
在商店周期，先前的非易失性的擦除
数据首先来执行后面所述的非易失性的程序
元素。当启动一个商店周期，输入和输出是
禁用，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的序列中。如果他们介入，
序列被中止，没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
顺序进行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
该软件序列主频与CE控制的读取。
当序列中的第六个地址输入后，在商店
周期开始和芯片被禁用。重要的是
读周期，而不是写周期的使用顺序。
这是没有必要的OE为低电平为有效的序列。后
t
商店
周期时间满足， SRAM被再次激活
读取和写入操作。
ew
在上电期间或之后的任何低功耗状态（V
CC
＆ LT ;
V
RESET
） ，一个内部调出请求被锁定。当V
CC
再次超过V的检测电压
开关
，召回
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
D
es
ig
ns
第18页5
[+ ]反馈
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STA60K135S
S29AL008D55MAN020
ST72T633K2B0
SN74ABT541BNSR
SF05S2403A
SE5117BSG
SKM15A-15
SMA5127
SN54AC10W
SML4737A
STULPI01B
SDA9489X
S-L2985A36-H4T1
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