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半导体
STK1430DI
先进的功率MOSFET
开关稳压器的应用
特点
高压: BV
DSS
=300V(Min.)
低C
RSS
: C
RSS
=21pF(Typ.)
低栅极电荷:的Qg = 31nc (典型值)
低R
DS ( ON)
:R
DS ( ON)
=0.32Ω(Typ.)
订购信息
型号
STK1430DI
记号
STK1430
封装代码
D2-PAK
外形尺寸
单位:
mm
① ② ③
引脚连接
1.门
2.漏
3.源
4.
KSD-T6S001-001
1
STK1430DI
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
*
(Tc=25°C)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
(Tc=25℃)
(Tc=100℃)
I
DM
P
D
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
300
±30
14
14
56
140
14
715
14
18
150
-55~150
单位
V
V
A
A
A
W
A
mJ
A
mJ
°C
漏极功耗
雪崩电流(单人)
单脉冲雪崩能量
雪崩电流(重复)
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
特征
阻力
结案件
结到环境
符号
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
典型值。
-
-
最大
0.89
62.5
单位
℃/W
KSD-T6S001-001
2
STK1430DI
电气特性
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(Tc=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
GS
= 10V ,我
D
=7A
V
DS
= 5V ,我
D
=7A
V
GS
=0V, V
DS
=25V
f=1MHz
分钟。
300
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.32
7.8
937
133
21
22
145
45
70
31
7.5
12.5
马克斯。
-
5.0
1
±100
0.48
-
1405
200
32
33
217
68
105
47
11.3
19
单位
V
V
μA
nA
Ω
S
pF
V
DD
= 150V ,我
D
=14A
R
G
=25
-
V
DS
=150V, V
GS
=10V
I
D
=14A
-
-
-
ns
-
-
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
特征
源电流( DC)的
源电流(脉冲)
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(Tc=25°C)
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时,我
S
=14A
I
s
= 14A ,V
GS
=0,
dI
S
/ DT = 100A / us的
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
270
1.8
最大
14
56
1.4
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
重复评价:脉冲宽度由最大结温的限制
L = 5mH ,我
AS
= 14A ,V
DD
= 50V ,R
G
=25
脉冲测试:脉冲宽度\u003c 300US ,职务cycle≤ 2 %
基本上是独立工作温度
KSD-T6S001-001
3
STK1430DI
电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
图。 2我
D
- V
GS
图。 3 R
DS ( ON)
- I
D
图。 4我
S
- V
SD
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
KSD-T6S001-001
4
STK1430DI
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS ( ON)
- T
J
C
C
图。 9
I
D
- T
C
图。 10安全工作区
*
KSD-T6S001-001
5
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    -
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联系人:刘先生
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