STK12C68-IM
STK12C68-IM
CMOS的nvSRAM
8K ×8
自动存储
非易失性静态RAM
工业温度/军事网
特点
工业级温度与军事筛选
25 ， 35和为45nS访问时间
15毫安我
CC
在200ns的访问速度
自动
商店
to
EEPROM
在掉电
硬件或软件启动
商店
to
EEPROM
描述
该SIMTEK STK12C68 -IM是一个快速静态
内存
(25, 35
和为45nS ） ，具有非易失性的
EEPROM
元新断路器
中蕴含在每个静态存储器单元。该
SRAM
可以
读出和写入的次数不限，而
独立的非易失性数据驻留在
EEPROM
。数据
从转移
SRAM
对
EEPROM
(
该
商店
手术
）自动发生后断电
利用电荷存储在外部100
F
电容。
从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作），自动进行上电。软
洁具序列也可以用于启动两
商店
和
召回
操作。一
商店
也可以是
通过单一引脚启动。
该STK12C68 -IM在以下可用
封装： 28引脚300密耳陶瓷DIP和28片
LCC 。 MIL - STD-883标准和军用标准图纸
（ SMD 5962-94599 ）设备也可提供。
自动
商店
定时
100,000
商店
周期来
EEPROM
10年的数据保存
EEPROM
自动
召回
上电时
软件启动
召回
从
EEPROM
无限
召回
从周期
EEPROM
= 5V单
±
10 ％的操作
商业和工业温度
提供多种标准封装
逻辑框图
销刀豆网络gurations
V
帽
V
帽
V
CCx中
A
7
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CCx中
W
HSB
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
EEPROM阵列
256 x 256
A
3
A
4
行解码器
A
6
A
5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
W
A
12
A
7
A
6
HSB
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
3
2
1
28 27
26
25
24
23
商店
静态RAM
ARRAY
256 x 256
A
0
A
12
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
召回
顶视图
22
21
20
19
18
13 14 15 16 17
DQ
2
DQ
3
DQ
4
商店/
召回
控制
HSB
28 - LCC
DQ
5
VSS
28 - 300 CDIP
列I / O
引脚名称
A
0
- A
12
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
电容
五金店/忙
W
DQ
0
- DQ
7
E
输入缓冲器
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
10
A
11
G
G
V
CCx中
V
SS
E
W
V
帽
HSB
41
STK12C68-IM
绝对最大额定值
a
在典型的输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至7.0V
在DQ电压
0-7
和G. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+0.5V)
在偏压温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.15毫安
（一次一个输出，一秒的持续时间）
注一：
应力大于下"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只和功能器件在上述条件下运行
与本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
DC特性
产业
符号
I
CC B
1
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
民
最大
95
85
80
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
0.4
-40
85
V
°C
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入
≤
0.2V或
≥
(V
CC
- 0.2V)
E
≤
0.2V ，W
≥
(V
CC
– 0.2V)
OTHERS
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
4
39
35
32
所有的输入
≤
0.2V或
≥
(V
CC
- 0.2V)
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
E
≥
V
IH
;所有的人骑自行车
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
±1
±5
2.2
V
SS
–.5
2.4
V
CC
+.5
0.8
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
OUT
= V
SS
到V
CC
所有的输入
所有的输入
I
OUT
除了HSB = -4mA
I
OUT
除了HSB = 8毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
I
CC
2
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
当前
在T
AVAV
= 200ns的
平均V
CC
在自动存储周期电流
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
7
15
I
CC B
3
I
CC
4
I
SB
1
I
SB
2
平均V
CC
当前
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流（任何输入）
关机状态下输出漏电流
输入逻辑"1"电压
输入逻辑"0"电压
输出逻辑"1"电压
输出逻辑"0"电压
工作温度
3
I
ILK
3
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC
我
CC
3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
注：C：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择表。
注意D： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
被连接到地。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到3V
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
42
STK12C68-IM
SRAM存储器操作
读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLc ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
参数
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
17
0
45
25
25
10
5
5
17
0
20
STK12C68-25-IM
民
最大
25
35
35
20
5
5
20
STK12C68-35-IM
民
最大
35
45
45
25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
STK12C68-45-IM
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：C：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择表。
注E：参数保证的，未经测试。
备注：F ：对于读周期＃1和＃ 2时，W为高为整个循环。
注G：设备不断有E低和G低选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
读周期＃ 1
F，G
2
t
AVAV
地址
5
3
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
读周期＃ 2
f
2
t
AVAV
地址
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
数据有效
E
t
ELQX
4
6
G
t
GLQV
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
I
CC
活跃
待机
43
STK12C68-IM
写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZh ，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
30
30
18
0
30
0
0
17
最大
STK12C68-25-IM
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
STK12C68-35-IM
STK12C68-45-IM
单位
民
45
35
35
20
0
35
0
0
20
5
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注H：测量
±200mV
从稳态输出电压。
注I：E或W必须是
≥V
IH
在地址转换。
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
写周期＃1 ：
硬件控制
i
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
18
17
t
AVWH
19
t
WHAX
t
AVWL
W
13
t
WLWH
15
t
DVWH
16
t
WHDX
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
数据有效
21
t
WHQX
高阻抗
写周期＃ 2 ：
E受控
i
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
DATA IN
数据有效
14
t
ELEH
19
t
EHAX
16
t
EHDX
数据输出
高阻抗
44
STK12C68-IM
非易失性存储器的操作
模式选择
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
HSB
H
H
H
H
A
12
- A
0
（十六进制）
X
X
X
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0F
L
H
H
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
X
X
L
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出高Z
I
CC2
/待机
活跃
动力
待机
活跃
活跃
活跃
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
m
l
笔记
STORE /禁止
注K：这六个连续的地址必须按顺序列出 - （ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 0F0F ）一
商店
周期或（ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ，
0F0E ）为一
召回
周期。 W必须在所有六个连续的周期高点。看
商店
周期
召回
周期表和图表以了解详情。
注L： I / O状态假设使得G
≤
V
IL
。非易失性的周期激活不依赖于G的状态
注M： HSB启动
商店
操作实际上仅发生如果一个写了自去年完成
商店
操作。后
商店
（如果有的话）完成后，将
部分将进入待机模式禁止所有操作，直到HSB上升。
五金
商店
/ RECALL
符号
号
22
23
24
25
26
t
召回
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
断言
V
开关
I
HSB_OL
I
HSB_OH
t
HLHH
t
HLQZ
t
HHQX
t
HLHX
参数
民
最大
20
10
1
700
250
4.0
3
5
60
4.5
单位
s
ms
s
ns
ns
V
mA
A
HSB = V
OL
，注意E，N
HSB = V
IL
，注意E，N
附注e
附注e
笔记
注
V
CC
≥
4.5V
召回
循环时间
商店
循环时间
HSB低，以抑制在
HSB高抑制关
外
商店
脉冲宽度
低电压触发电平
HSB输出低电流
HSB高输出电流
注E：保证这些参数，未经测试。
注N： HSB是I / O具有内部弱上拉;它基本上是一个开漏输出。它的目的是让多达32 STK12C68 -即时被组合在一起的
同时存储。不要使用HSB上拉至任何外部电路比其他STK12C68 HSB引脚等。
注○：召回周期在上电时自动启动，当V
CC
超过V
开关
. t
恢复
从该点处测量其V
CC
超过4.5V 。
五金
商店
/ RECALL
V
开关
V
帽
26
t
断言
HSB
W
24
t
延迟
22
t
召回
24
t
延迟
25
t
恢复
召回
商店
SRAM
抑制
上电RECALL
欠压RECALL
23
t
商店
23
t
商店
23
t
商店
掉电商店
HSB开始的存储
软件商店
45
STK12C68-IM
STK12C68-IM
CMOS的nvSRAM
8K ×8
自动存储
非易失性静态RAM
工业温度/军事网
特点
工业级温度与军事筛选
25 ， 35和为45nS访问时间
15毫安我
CC
在200ns的访问速度
自动
商店
to
EEPROM
在掉电
硬件或软件启动
商店
to
EEPROM
描述
该SIMTEK STK12C68 -IM是一个快速静态
内存
(25, 35
和为45nS ） ，具有非易失性的
EEPROM
元新断路器
中蕴含在每个静态存储器单元。该
SRAM
可以
读出和写入的次数不限，而
独立的非易失性数据驻留在
EEPROM
。数据
从转移
SRAM
对
EEPROM
(
该
商店
手术
）自动发生后断电
利用电荷存储在外部100
F
电容。
从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作），自动进行上电。软
洁具序列也可以用于启动两
商店
和
召回
操作。一
商店
也可以是
通过单一引脚启动。
该STK12C68 -IM在以下可用
封装： 28引脚300密耳陶瓷DIP和28片
LCC 。 MIL - STD-883标准和军用标准图纸
（ SMD 5962-94599 ）设备也可提供。
自动
商店
定时
100,000
商店
周期来
EEPROM
10年的数据保存
EEPROM
自动
召回
上电时
软件启动
召回
从
EEPROM
无限
召回
从周期
EEPROM
= 5V单
±
10 ％的操作
商业和工业温度
提供多种标准封装
逻辑框图
销刀豆网络gurations
V
帽
V
帽
V
CCx中
A
7
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CCx中
W
HSB
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
EEPROM阵列
256 x 256
A
3
A
4
行解码器
A
6
A
5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
W
A
12
A
7
A
6
HSB
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
3
2
1
28 27
26
25
24
23
商店
静态RAM
ARRAY
256 x 256
A
0
A
12
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
召回
顶视图
22
21
20
19
18
13 14 15 16 17
DQ
2
DQ
3
DQ
4
商店/
召回
控制
HSB
28 - LCC
DQ
5
VSS
28 - 300 CDIP
列I / O
引脚名称
A
0
- A
12
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
电容
五金店/忙
W
DQ
0
- DQ
7
E
输入缓冲器
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
10
A
11
G
G
V
CCx中
V
SS
E
W
V
帽
HSB
41
STK12C68-IM
绝对最大额定值
a
在典型的输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至7.0V
在DQ电压
0-7
和G. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+0.5V)
在偏压温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.15毫安
（一次一个输出，一秒的持续时间）
注一：
应力大于下"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只和功能器件在上述条件下运行
与本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
DC特性
产业
符号
I
CC B
1
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
民
最大
95
85
80
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
0.4
-40
85
V
°C
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入
≤
0.2V或
≥
(V
CC
- 0.2V)
E
≤
0.2V ，W
≥
(V
CC
– 0.2V)
OTHERS
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
4
39
35
32
所有的输入
≤
0.2V或
≥
(V
CC
- 0.2V)
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
E
≥
V
IH
;所有的人骑自行车
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
±1
±5
2.2
V
SS
–.5
2.4
V
CC
+.5
0.8
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
OUT
= V
SS
到V
CC
所有的输入
所有的输入
I
OUT
除了HSB = -4mA
I
OUT
除了HSB = 8毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
I
CC
2
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
当前
在T
AVAV
= 200ns的
平均V
CC
在自动存储周期电流
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
7
15
I
CC B
3
I
CC
4
I
SB
1
I
SB
2
平均V
CC
当前
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流（任何输入）
关机状态下输出漏电流
输入逻辑"1"电压
输入逻辑"0"电压
输出逻辑"1"电压
输出逻辑"0"电压
工作温度
3
I
ILK
3
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC
我
CC
3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
注：C：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择表。
注意D： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
被连接到地。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到3V
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
42
STK12C68-IM
SRAM存储器操作
读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLc ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
参数
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
17
0
45
25
25
10
5
5
17
0
20
STK12C68-25-IM
民
最大
25
35
35
20
5
5
20
STK12C68-35-IM
民
最大
35
45
45
25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
STK12C68-45-IM
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：C：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择表。
注E：参数保证的，未经测试。
备注：F ：对于读周期＃1和＃ 2时，W为高为整个循环。
注G：设备不断有E低和G低选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
读周期＃ 1
F，G
2
t
AVAV
地址
5
3
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
读周期＃ 2
f
2
t
AVAV
地址
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
数据有效
E
t
ELQX
4
6
G
t
GLQV
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
I
CC
活跃
待机
43
STK12C68-IM
写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZh ，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
30
30
18
0
30
0
0
17
最大
STK12C68-25-IM
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
STK12C68-35-IM
STK12C68-45-IM
单位
民
45
35
35
20
0
35
0
0
20
5
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注H：测量
±200mV
从稳态输出电压。
注I：E或W必须是
≥V
IH
在地址转换。
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
写周期＃1 ：
硬件控制
i
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
18
17
t
AVWH
19
t
WHAX
t
AVWL
W
13
t
WLWH
15
t
DVWH
16
t
WHDX
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
数据有效
21
t
WHQX
高阻抗
写周期＃ 2 ：
E受控
i
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
DATA IN
数据有效
14
t
ELEH
19
t
EHAX
16
t
EHDX
数据输出
高阻抗
44
STK12C68-IM
非易失性存储器的操作
模式选择
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
HSB
H
H
H
H
A
12
- A
0
（十六进制）
X
X
X
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0F
L
H
H
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
X
X
L
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出高Z
I
CC2
/待机
活跃
动力
待机
活跃
活跃
活跃
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
m
l
笔记
STORE /禁止
注K：这六个连续的地址必须按顺序列出 - （ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 0F0F ）一
商店
周期或（ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ，
0F0E ）为一
召回
周期。 W必须在所有六个连续的周期高点。看
商店
周期
召回
周期表和图表以了解详情。
注L： I / O状态假设使得G
≤
V
IL
。非易失性的周期激活不依赖于G的状态
注M： HSB启动
商店
操作实际上仅发生如果一个写了自去年完成
商店
操作。后
商店
（如果有的话）完成后，将
部分将进入待机模式禁止所有操作，直到HSB上升。
五金
商店
/ RECALL
符号
号
22
23
24
25
26
t
召回
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
断言
V
开关
I
HSB_OL
I
HSB_OH
t
HLHH
t
HLQZ
t
HHQX
t
HLHX
参数
民
最大
20
10
1
700
250
4.0
3
5
60
4.5
单位
s
ms
s
ns
ns
V
mA
A
HSB = V
OL
，注意E，N
HSB = V
IL
，注意E，N
附注e
附注e
笔记
注
V
CC
≥
4.5V
召回
循环时间
商店
循环时间
HSB低，以抑制在
HSB高抑制关
外
商店
脉冲宽度
低电压触发电平
HSB输出低电流
HSB高输出电流
注E：保证这些参数，未经测试。
注N： HSB是I / O具有内部弱上拉;它基本上是一个开漏输出。它的目的是让多达32 STK12C68 -即时被组合在一起的
同时存储。不要使用HSB上拉至任何外部电路比其他STK12C68 HSB引脚等。
注○：召回周期在上电时自动启动，当V
CC
超过V
开关
. t
恢复
从该点处测量其V
CC
超过4.5V 。
五金
商店
/ RECALL
V
开关
V
帽
26
t
断言
HSB
W
24
t
延迟
22
t
召回
24
t
延迟
25
t
恢复
召回
商店
SRAM
抑制
上电RECALL
欠压RECALL
23
t
商店
23
t
商店
23
t
商店
掉电商店
HSB开始的存储
软件商店
45
STK12C68-IM
STK12C68-IM
CMOS的nvSRAM
8K ×8
自动存储
非易失性静态RAM
工业温度/军事网
特点
工业级温度与军事筛选
25 ， 35和为45nS访问时间
15毫安我
CC
在200ns的访问速度
自动
商店
to
EEPROM
在掉电
硬件或软件启动
商店
to
EEPROM
描述
该SIMTEK STK12C68 -IM是一个快速静态
内存
(25, 35
和为45nS ） ，具有非易失性的
EEPROM
元新断路器
中蕴含在每个静态存储器单元。该
SRAM
可以
读出和写入的次数不限，而
独立的非易失性数据驻留在
EEPROM
。数据
从转移
SRAM
对
EEPROM
(
该
商店
手术
）自动发生后断电
利用电荷存储在外部100
F
电容。
从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作），自动进行上电。软
洁具序列也可以用于启动两
商店
和
召回
操作。一
商店
也可以是
通过单一引脚启动。
该STK12C68 -IM在以下可用
封装： 28引脚300密耳陶瓷DIP和28片
LCC 。 MIL - STD-883标准和军用标准图纸
（ SMD 5962-94599 ）设备也可提供。
自动
商店
定时
100,000
商店
周期来
EEPROM
10年的数据保存
EEPROM
自动
召回
上电时
软件启动
召回
从
EEPROM
无限
召回
从周期
EEPROM
= 5V单
±
10 ％的操作
商业和工业温度
提供多种标准封装
逻辑框图
销刀豆网络gurations
V
帽
V
帽
V
CCx中
A
7
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CCx中
W
HSB
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
EEPROM阵列
256 x 256
A
3
A
4
行解码器
A
6
A
5
4
5
6
7
8
9
10
11
12
W
A
12
A
7
A
6
HSB
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
3
2
1
28 27
26
25
24
23
商店
静态RAM
ARRAY
256 x 256
A
0
A
12
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
召回
顶视图
22
21
20
19
18
13 14 15 16 17
DQ
2
DQ
3
DQ
4
商店/
召回
控制
HSB
28 - LCC
DQ
5
VSS
28 - 300 CDIP
列I / O
引脚名称
A
0
- A
12
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
电容
五金店/忙
W
DQ
0
- DQ
7
E
输入缓冲器
列解码器
A
0
A
1
A
2
A
10
A
11
G
G
V
CCx中
V
SS
E
W
V
帽
HSB
41
STK12C68-IM
绝对最大额定值
a
在典型的输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至7.0V
在DQ电压
0-7
和G. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+0.5V)
在偏压温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.15毫安
（一次一个输出，一秒的持续时间）
注一：
应力大于下"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只和功能器件在上述条件下运行
与本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
DC特性
产业
符号
I
CC B
1
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
民
最大
95
85
80
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
0.4
-40
85
V
°C
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入
≤
0.2V或
≥
(V
CC
- 0.2V)
E
≤
0.2V ，W
≥
(V
CC
– 0.2V)
OTHERS
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
4
39
35
32
所有的输入
≤
0.2V或
≥
(V
CC
- 0.2V)
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
E
≥
V
IH
;所有的人骑自行车
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
±1
±5
2.2
V
SS
–.5
2.4
V
CC
+.5
0.8
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
OUT
= V
SS
到V
CC
所有的输入
所有的输入
I
OUT
除了HSB = -4mA
I
OUT
除了HSB = 8毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
I
CC
2
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
当前
在T
AVAV
= 200ns的
平均V
CC
在自动存储周期电流
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
7
15
I
CC B
3
I
CC
4
I
SB
1
I
SB
2
平均V
CC
当前
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流（任何输入）
关机状态下输出漏电流
输入逻辑"1"电压
输入逻辑"0"电压
输出逻辑"1"电压
输出逻辑"0"电压
工作温度
3
I
ILK
3
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC
我
CC
3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
注：C：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择表。
注意D： V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
被连接到地。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到3V
输入上升和下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
42
STK12C68-IM
SRAM存储器操作
读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLc ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
参数
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
17
0
45
25
25
10
5
5
17
0
20
STK12C68-25-IM
民
最大
25
35
35
20
5
5
20
STK12C68-35-IM
民
最大
35
45
45
25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
STK12C68-45-IM
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：C：瞻é
≥
V
IH
不会产生待机电流，直到任何非易失性周期中已超时。见模式选择表。
注E：参数保证的，未经测试。
备注：F ：对于读周期＃1和＃ 2时，W为高为整个循环。
注G：设备不断有E低和G低选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
读周期＃ 1
F，G
2
t
AVAV
地址
5
3
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
读周期＃ 2
f
2
t
AVAV
地址
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
数据有效
E
t
ELQX
4
6
G
t
GLQV
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
I
CC
活跃
待机
43
STK12C68-IM
写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZh ，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
30
30
18
0
30
0
0
17
最大
STK12C68-25-IM
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
d
STK12C68-35-IM
STK12C68-45-IM
单位
民
45
35
35
20
0
35
0
0
20
5
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注H：测量
±200mV
从稳态输出电压。
注I：E或W必须是
≥V
IH
在地址转换。
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
写周期＃1 ：
硬件控制
i
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
18
17
t
AVWH
19
t
WHAX
t
AVWL
W
13
t
WLWH
15
t
DVWH
16
t
WHDX
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
数据有效
21
t
WHQX
高阻抗
写周期＃ 2 ：
E受控
i
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
DATA IN
数据有效
14
t
ELEH
19
t
EHAX
16
t
EHDX
数据输出
高阻抗
44
STK12C68-IM
非易失性存储器的操作
模式选择
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
HSB
H
H
H
H
A
12
- A
0
（十六进制）
X
X
X
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0F
L
H
H
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
X
X
L
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出高Z
I
CC2
/待机
活跃
动力
待机
活跃
活跃
活跃
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
m
l
笔记
STORE /禁止
注K：这六个连续的地址必须按顺序列出 - （ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 0F0F ）一
商店
周期或（ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ，
0F0E ）为一
召回
周期。 W必须在所有六个连续的周期高点。看
商店
周期
召回
周期表和图表以了解详情。
注L： I / O状态假设使得G
≤
V
IL
。非易失性的周期激活不依赖于G的状态
注M： HSB启动
商店
操作实际上仅发生如果一个写了自去年完成
商店
操作。后
商店
（如果有的话）完成后，将
部分将进入待机模式禁止所有操作，直到HSB上升。
五金
商店
/ RECALL
符号
号
22
23
24
25
26
t
召回
t
商店
t
延迟
t
恢复
t
断言
V
开关
I
HSB_OL
I
HSB_OH
t
HLHH
t
HLQZ
t
HHQX
t
HLHX
参数
民
最大
20
10
1
700
250
4.0
3
5
60
4.5
单位
s
ms
s
ns
ns
V
mA
A
HSB = V
OL
，注意E，N
HSB = V
IL
，注意E，N
附注e
附注e
笔记
注
V
CC
≥
4.5V
召回
循环时间
商店
循环时间
HSB低，以抑制在
HSB高抑制关
外
商店
脉冲宽度
低电压触发电平
HSB输出低电流
HSB高输出电流
注E：保证这些参数，未经测试。
注N： HSB是I / O具有内部弱上拉;它基本上是一个开漏输出。它的目的是让多达32 STK12C68 -即时被组合在一起的
同时存储。不要使用HSB上拉至任何外部电路比其他STK12C68 HSB引脚等。
注○：召回周期在上电时自动启动，当V
CC
超过V
开关
. t
恢复
从该点处测量其V
CC
超过4.5V 。
五金
商店
/ RECALL
V
开关
V
帽
26
t
断言
HSB
W
24
t
延迟
22
t
召回
24
t
延迟
25
t
恢复
召回
商店
SRAM
抑制
上电RECALL
欠压RECALL
23
t
商店
23
t
商店
23
t
商店
掉电商店
HSB开始的存储
软件商店
45
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