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STK12C68 ( SMD5962-94599 )
8Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 , 35 , 45 , 55纳秒读取访问&写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单5V ±10 %电源
商业,工业,军用温度
28引脚330密耳SOIC , 300密耳PDIP ,以及600万
PDIP封装(符合RoHS标准)
28引脚CDIP和LCC军事包
描述
该SIMTEK STK12C68是一个64Kb的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间,
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞(在
商店
操作)。上电时,数据是自动
恢复到SRAM (在
召回
操作)。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能,最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CCx中
V
量子阱
128 x 512
动力
控制
行解码器
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
商店
静态RAM
ARRAY
128 X 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
A
0
– A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
STK12C68 ( SMD5962-94599 )
套餐
VCAP 1
A12 2
A7 3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
4
5
6
7
8
9
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCCX
W
HSB
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A0 10
DQ0 11
DQ1 12
DQ2 13
VSS 14
28引脚SOIC
28引脚DIP
28引脚LCC
引脚说明
引脚名称
A
12
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CCx中
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址: 13地址输入的nvSRAM阵列中选择8,192字节1
数据:双向8位数据总线,用于访问所述的nvSRAM
芯片使能:活动低辐射输入选择器
写使能:将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能:有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源: 5.0V , + 10 % , -10 %
五金店忙:当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片,它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 (连接可选) 。
自动存储电容器:提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
V
V
SS
电源
电源
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
2
STK12C68 ( SMD5962-94599 )
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至(Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至(Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1W
直流输出电流(1输出的时间, 1秒的持续时间) 。 。 。 。 。 。 。 0.15毫安
注一:强调高于绝对最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级,并且该装置的条件下的功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
平均V
CC
当前
最大
85
75
65
--
3
10
2
27
24
20
--
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
0
70
–40/-55
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
85/125
产业
军事
最大
85
75
65
55
3
10
2
27
24
20
19
2.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
°C
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关,V
CC
=最大
W
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车, CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的,E
V
IH
t
AVAV
=为35ns ,E
V
IH
t
AVAV
=为45nS ,E
V
IH
t
AVAV
= 55ns ,E
V
IH
E
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
0.2V或
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
,E或G
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V , 25°C时,典型的
平均V
自动存储在当前
周期
平均V
CC
当前
(待机,骑自行车TTL电平输入)
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
V
CC
待机电流
(待机,稳定的CMOS输入电平)
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
注B:
注意:C :
注意D:
注E:
I
CC1
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
I
CC2
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期(T
商店
) .
E
V
IH
不会产生待机电流电平,直到任何非易失性周期中已超时。
V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接,或V
如果V
CCx中
被连接到地。
5.0V
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V到3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注F:
这些参数是保证,但未经测试。
图1. AC输出负载
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
3
STK12C68 ( SMD5962-94599 )
SRAM读周期# 1 & # 2
符号
#1, #2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQVh
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZi
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCHf
t
EHICCLf
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
10
0
45
25
25
10
5
5
10
0
12
0
55
参数
最大
25
35
35
15
5
5
12
0
12
最大
35
45
45
20
5
5
12
最大
45
55
55
35
最大
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK12C68-25
STK12C68-35
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK12C68-45
STK12C68-55
单位
注G: W和HSB必须在SRAM读周期高。
注H:设备,不间断地与E和G两个选择低。
注一:测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1:
地址控
g
,
h
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ ( DATA OUT )
3
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期# 2 :
E受控
g
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
6
t
ELQX
7
1
11
2
t
EHICCL
t
EHQZ
G
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ ( DATA OUT )
t
ELICCH
I
CC
待机
10
活跃
数据有效
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
4
STK12C68 ( SMD5962-94599 )
SRAM写周期# 1 & # 2
符号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ I,J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
45
30
30
15
0
30
0
0
14
5
最大
55
45
45
25
0
45
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK12C68-25
STK12C68-35
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK12C68-45
STK12C68-55
单位
注记者:如果W低当E变为低电平时,输出保持在高阻抗状态。
注K: é或W必须是
V
IH
在地址转换。
注L: HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期# 1:
硬件控制
K,L
12
t
AVAV
地址
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
14
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
数据有效
20
21
t
WHQX
SRAM写周期# 2 :
E受控
K,L
12
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STK12C68-CF35ITR
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