STK11C88
32Kx8 SoftStore的nvSRAM
特点
25 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
引脚兼容行业标准的SRAM
软件启动STORE和RECALL
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单5.0V ±10 ％电源
商业和工业温度
28引脚300密耳和330密耳SOIC封装
（符合RoHS标准）
该SIMTEK STK11C88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
在软件控制下的数据传送到非（体积）
atile存储单元（该
商店
操作）。上电
向上，数据会自动恢复到SRAM （在
召回
操作）。 RECALL操作也
在软件控制下使用。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无
易失性存储器，以提供无限的写入和读取。
它是最高的性能，最可靠的非
易失性存储器可用。
描述
框图
量子阱
512 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
A
13
– A
0
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0012版本2.0
2008年1月
STK11C88
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300引脚SOIC万
28 - 330引脚SOIC万
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
V
SS
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
电源
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 5.0V ， + 10 ％
地
文件控制＃ ML0012版本2.0
2008年1月
2
STK11C88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
参数
民
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
I
CC1b
I
CC2c
I
CC3
b
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
存储容量
0
61
2.2
V
SS
– .5
2.4
97
70
3
10
30
22
750
±
1
±
5
100
70
3
10
31
23
750
±
1
±
5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μ
A
μ
A
μ
A
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
- 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
SB1d
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
帽
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
V
CC
+ .5
0.8
V
V
V
0.4
70
220
–40
61
0.4
85
220
V
°
C
μ
F
5伏额定， 68
μ
F + 20 ％ ， -10 ％喃。
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC2
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
电容
e
符号
参数
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
单位
条件
Δ
V = 0 3V
Δ
V = 0 3V
480欧姆
产量
255欧姆
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
5
7
pF
pF
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
文件控制＃ ML0012版本2.0
2008年1月
3
STK11C88
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
参数
#1, #2
Alt键。
民
最大
民
最大
(V
CC
= 5.0V + 10%)
STK11C88-25
STK11C88-45
单位
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAVf ，
t
ELEHf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
h
e
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到输出有效
地址更改或禁用芯片到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
0
5
5
25
25
45
25
10
5
5
10
0
10
0
25
45
ns
ns
45
20
ns
ns
ns
ns
15
ns
ns
t
GLQX
t
GHQZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
15
ns
ns
t
ELICCH
t
EHICCLd ，E
45
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：地址受控
f,
g
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ： E和G受控
f
ADDR ESS
t
ê LE
1
t
EL Q V
2
29
t
EHAX
11
t
EHI CC L
7
t
EHQ
E
27
6
t
ELQ X
G
t
AV QV
4
8
t
体中Q X
t
体中QV
9
t
GH Q
3
DQ （D ATA OUT）
10
t
ELI CC
AC牛逼IVE
DAT一个VAL ID
I
CC
圣和
文件控制＃ ML0012版本2.0
2008年1月
4
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