STK11C88-3
32K ×8的nvSRAM
3.3V
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
过时的 - 不推荐用于新Deisgns
特点
35 ，为45nS和55ns访问时间
商店
通过发起非易失性元件
软件
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10 mA典型电流Icc在200纳秒周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
周期为非易失性元素
MENTS
100年的数据保存在非易失性元素
MENTS
3.3V单电源+ 0.3V操作
商业和工业温度
28引脚DIP和SOIC封装
描述
该SIMTEK STK11C88-3是一个快速静态
内存
与一位
在每个静态结合的非易失性元素
存储单元。该
SRAM
可以读取和写入的
无限次，而独立非
易失数据驻留在非易失性元件。数据
从转移
SRAM
到非易失性元件
（该
商店
操作） ，或者从非易失性元件
to
SRAM
（该
召回
操作）使用的是发起
软件序列。从Nonvol-数据传输
atile元素的
SRAM
（该
召回
操作）
也可发生在电源恢复。
框图
量子阱
512 x 512
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
13
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
行解码器
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 300 SOIC
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
14
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制＃ ML0013修订版0.2
STK11C88-3
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至4.5V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均V
CC
当前
最大
50
42
37
3
9
18
16
15
750
±1
±1
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
52
44
39
3
9
19
17
16
750
±1
±1
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
产业
单位
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
笔记
I
CC2c
I
CC3b
I
SB1d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3.3V ， 25 ° C，典型
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
- 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC2
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至3.0V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
3.3V
317欧姆
产量
351欧姆
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
2006年3月
2
文件控制＃ ML0013修订版0.2
STK11C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
35
0
13
0
45
5
5
13
0
15
0
55
35
35
15
5
5
15
0
20
民
最大
35
45
45
20
5
5
20
民
最大
45
55
55
25
民
最大
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK11C88-3-35
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-45
STK11C88-3-55
单位
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态，假设E和G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （数据
t
ELICCH
I
CC
待机
10
活跃
数据有效
8
2006年3月
3
文件控制＃ ML0013修订版0.2
STK11C88-3
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZh ，我
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
5
最大
民
55
40
40
25
0
40
0
0
20
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-35 STK11C88-3-45 STK11C88-3-55
单位
注一：
注记者：
如果W低当E为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
j
t
AVAV
地址
t
ELWH
E
14
19
12
t
WHAX
t
AVWH
t
AVWL
W
t
WLWH
15
16
13
18
17
t
DVWH
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
20
数据有效
t
WHDX
t
WHQX
21
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
j
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
19
12
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEH
t
WLEH
W
t
DVEH
DATA IN
数据输出
高阻抗
数据有效
15
13
17
t
EHDX
16
2006年3月
4
文件控制＃ ML0013修订版0.2
STK11C88-3
32K ×8的nvSRAM
3.3V
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
ADVANCE
特点
= V操作
CC
范围： 3.0V - 3.6V
为45nS和55ns访问时间
商店
到EEPROM发起的软件
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
8毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在EEPROM中
商业和工业温度
28引脚DIP和SOIC封装
描述
该SIMTEK STK11C88-3是一个快速静态
内存
与一位
非易失性，电可擦
舞会
元素
在每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的非易失性数据驻留在
EEPROM
。从数据传输
SRAM
对
EEPROM
（该
商店
操作） ，或从
EEPROM
to
SRAM
（该
召回
操作），使用发生
软件序列。从转移
EEPROM
to
该
SRAM
（该
召回
操作）也发生
自动在恢复供电。
框图
EEPROM阵列
512 x 512
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
13
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
行解码器
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 300 SOIC
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
14
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1999年7月
5-11
STK11C88-3
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC
I
CC
I
CC
I
SB
I
SB
b
1
c
2
b
3
d
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
产业
单位
民
最大
35
30
3
8
9
8
1
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
37
32
3
8
10
9
1
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
- 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 1毫安
I
OUT
= 2毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3.3V ， 25 ° C，典型
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
1
d
2
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
注意：C ：我
CC
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
2
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至3.0V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
3.0V
1.1KOhms
产量
1.55KOhms
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
1999年7月
5-12
STK11C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
45
0
15
0
55
5
5
15
0
20
45
45
20
3
5
20
民
最大
45
55
55
25
民
最大
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-45
STK11C88-3-55
单位
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态，假设E和G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （数据
t
ELICCH
I
CC
待机
10
活跃
数据有效
8
1999年7月
5-13
STK11C88-3
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZh ，我
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
5
最大
民
55
40
40
25
0
40
0
0
20
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-45 STK11C88-3-55
单位
注一：
注记者：
如果W低当E为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
j
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
19
12
t
WHAX
E
t
AVWH
t
AVWL
W
t
WLWH
15
16
13
18
17
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据有效
t
WHDX
数据输出
以前的数据
高阻抗
t
WHQX
21
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
j
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
19
12
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEH
t
WLEH
W
t
DVEH
DATA IN
数据输出
高阻抗
数据有效
15
13
17
t
EHDX
16
1999年7月
5-14
STK11C88-3
32K ×8的nvSRAM
3.3V
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
ADVANCE
特点
= V操作
CC
范围： 3.0V - 3.6V
为45nS和55ns访问时间
商店
到EEPROM发起的软件
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
8毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在EEPROM中
商业和工业温度
28引脚DIP和SOIC封装
描述
该SIMTEK STK11C88-3是一个快速静态
内存
与一位
非易失性，电可擦
舞会
元素
在每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的非易失性数据驻留在
EEPROM
。从数据传输
SRAM
对
EEPROM
（该
商店
操作） ，或从
EEPROM
to
SRAM
（该
召回
操作），使用发生
软件序列。从转移
EEPROM
to
该
SRAM
（该
召回
操作）也发生
自动在恢复供电。
框图
EEPROM阵列
512 x 512
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
13
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
行解码器
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 300 SOIC
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
14
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1999年7月
5-11
STK11C88-3
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC
I
CC
I
CC
I
SB
I
SB
b
1
c
2
b
3
d
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
产业
单位
民
最大
35
30
3
8
9
8
1
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
37
32
3
8
10
9
1
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
- 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 1毫安
I
OUT
= 2毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3.3V ， 25 ° C，典型
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
1
d
2
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
注意：C ：我
CC
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
2
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至3.0V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
3.0V
1.1KOhms
产量
1.55KOhms
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
1999年7月
5-12
STK11C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
45
0
15
0
55
5
5
15
0
20
45
45
20
3
5
20
民
最大
45
55
55
25
民
最大
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-45
STK11C88-3-55
单位
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态，假设E和G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （数据
t
ELICCH
I
CC
待机
10
活跃
数据有效
8
1999年7月
5-13
STK11C88-3
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZh ，我
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
5
最大
民
55
40
40
25
0
40
0
0
20
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK11C88-3-45 STK11C88-3-55
单位
注一：
注记者：
如果W低当E为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
j
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
19
12
t
WHAX
E
t
AVWH
t
AVWL
W
t
WLWH
15
16
13
18
17
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据有效
t
WHDX
数据输出
以前的数据
高阻抗
t
WHQX
21
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
j
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
19
12
t
ELEH
t
EHAX
t
AVEH
t
WLEH
W
t
DVEH
DATA IN
数据输出
高阻抗
数据有效
15
13
17
t
EHDX
16
1999年7月
5-14
QQ：2880707522 复制
