STK11C68
8K ×8的nvSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
为20ns ， 25ns的，为35ns ，并为45nS访问时间
商店
到EEPROM发起的软件
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在全部工业
温度范围
商业和工业温度
28引脚DIP和SOIC封装
描述
该SIMTEK STK11C68是一个快速静态
内存
与一位
非易失性，电可擦
舞会
元素
在每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的非易失性数据驻留在
该
EEPROM
。从数据传输
SRAM
对
EEPROM
（该
商店
操作） ，或从
EEPROM
to
SRAM
（该
召回
操作） ，使用发生
软件序列。从转移
EEPROM
to
该
SRAM
（该
召回
操作）也发生
自动在恢复供电。
该STK11C68是引脚兼容业界
标准
SRAM
秒。 MIL -STD- 883设备还
可用（ STK11C68 -M ） 。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
12
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 PDIP
28 - 300 CDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
12
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
DQ
0
- DQ
7
E
G
V
CC
V
SS
1999年6月
4-21
STK11C68
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1c
参数
民
平均V
CC
当前
最大
100
90
75
65
3
10
32
27
23
20
750
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
不适用
90
75
65
3
10
不适用
28
24
21
750
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
笔记
t
AVAV
= 20ns的
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 20ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
- 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2d
I
CC3
c
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
I
SB1e
I
SB2e
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
该STK11C68-20需要V
CC
= 5.0V
±
5 ％供应到特定网络版的速度运行。
I
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
I
CC
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
E
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到图1
产量
5.0V
480欧姆
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
1999年6月
4-22
STK11C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQV
h
(V
CC
= 5.0V + 10%)
b
STK11C68-20
STK11C68-25
民
最大
25
25
22
8
5
5
7
0
7
0
25
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
10
5
5
13
0
15
35
35
15
5
5
15
STK11C68-35
民
最大
35
45
45
20
STK11C68-45
单位
民
最大
20
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZi
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCHf
t
EHICCLe ，女
注克：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
数据有效
8
活跃
I
CC
待机
1999年6月
4-23
STK11C68
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZi ，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
20
15
15
8
0
15
0
0
7
5
最大
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK11C68-20
STK11C68-25
(V
CC
= 5.0V + 10%)
b
STK11C68-35
STK11C68-45
单位
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注K： é或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
k
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
k
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
1999年6月
4-24
STK11C68
8K ×8的nvSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
为20ns ， 25ns的，为35ns ，并为45nS访问时间
商店
到EEPROM发起的软件
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在全部工业
温度范围
商业和工业温度
28引脚DIP和SOIC封装
描述
该SIMTEK STK11C68是一个快速静态
内存
与一位
非易失性，电可擦
舞会
元素
在每个静态存储单元中。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的非易失性数据驻留在
该
EEPROM
。从数据传输
SRAM
对
EEPROM
（该
商店
操作） ，或从
EEPROM
to
SRAM
（该
召回
操作） ，使用发生
软件序列。从转移
EEPROM
to
该
SRAM
（该
召回
操作）也发生
自动在恢复供电。
该STK11C68是引脚兼容业界
标准
SRAM
秒。 MIL -STD- 883设备还
可用（ STK11C68 -M ） 。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
行解码器
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
商店/
召回
控制
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
- A
12
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - 300 PDIP
28 - 300 CDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
- A
12
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
W
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
DQ
0
- DQ
7
E
G
V
CC
V
SS
1999年6月
4-21
STK11C68
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1c
参数
民
平均V
CC
当前
最大
100
90
75
65
3
10
32
27
23
20
750
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
不适用
90
75
65
3
10
不适用
28
24
21
750
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
笔记
t
AVAV
= 20ns的
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 20ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
- 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2d
I
CC3
c
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
I
SB1e
I
SB2e
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
该STK11C68-20需要V
CC
= 5.0V
±
5 ％供应到特定网络版的速度运行。
I
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
I
CC
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
E
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到图1
产量
5.0V
480欧姆
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
1999年6月
4-22
STK11C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQV
h
(V
CC
= 5.0V + 10%)
b
STK11C68-20
STK11C68-25
民
最大
25
25
22
8
5
5
7
0
7
0
25
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
10
5
5
13
0
15
35
35
15
5
5
15
STK11C68-35
民
最大
35
45
45
20
STK11C68-45
单位
民
最大
20
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZi
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCHf
t
EHICCLe ，女
注克：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
数据有效
8
活跃
I
CC
待机
1999年6月
4-23
STK11C68
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZi ，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
20
15
15
8
0
15
0
0
7
5
最大
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK11C68-20
STK11C68-25
(V
CC
= 5.0V + 10%)
b
STK11C68-35
STK11C68-45
单位
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注K： é或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
k
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
k
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
1999年6月
4-24
QQ：2880707522 复制
