STK10C68
STK10C68 -M贴片＃ 5962-93056
8K ×8的nvSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
过时的 - 不推荐用于新设计
特点
为25ns ， 35ns的，为45nS和55ns访问时间
商店
通过发起非易失性元件
五金
召回
到SRAM发起的硬件或
电力恢复
自动
商店
定时
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
周期为非易失性元素
ments （工业/商业）
100年的数据保存（工业/商业用
CIAL ）
商用，工业和军用温度
Tures的
28引脚DIP ， SOIC和LCC封装
描述
该SIMTEK STK10C68是一个快速静态
内存
有nonvol-
在每个静态存储单元整合atile元素。该
SRAM
可以读取和写入的数量不受限制
倍，而独立的非易失性数据驻留在
不
挥发性元素
。数据可以很容易地从转
该
SRAM
对
非易失性元件
（该
商店
能操作
ATION
） ，或者从
非易失性元件
对
SRAM
（该
召回
操作）时，使用该NE引脚。
转帐
从非易失性元素的
SRAM
（该
召回
操作），也发生在自动
恢复供电。
该STK10C68结合了高
性能和易用性快的
SRAM
与nonvol-
atile数据的完整性。
该STK10C68具有业界标准引脚用于非
挥发物
内存
秒。 MIL -STD- 883和标准军用图纸
ING （
SMD
＃ 5962-93056 ）设备是可用的。
框图
量子阱
128 x 512
行解码器
销刀豆网络gurations
NE
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
召回
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28 - LCC
28 - DIP
28 - SOIC
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
商店/
召回
控制
引脚名称
A
0
- A
12
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
非易失启用
电源（+ 5V）的
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
NE
E
W
DQ
0
- DQ
7
E
G
NE
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制＃ ML0006修订版0.2
STK10C68
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
b
参数
民
平均V
CC
当前
最大
85
75
65
不适用
3
10
27
23
20
不适用
750
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40/-55
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85/125
工业/
军事
民
最大
90
75
65
55
3
10
28
24
21
20
1500
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
°C
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2
c
I
CC3
b
I
SB1
d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
I
SB2
d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
注一：输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC2
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
2006年3月
2
文件控制＃ ML0006修订版0.2
STK10C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
g
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
D，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
10
0
45
25
25
10
5
5
10
0
12
0
55
民
最大
25
35
35
15
5
5
12
0
12
民
最大
35
45
45
20
5
5
12
民
最大
45
55
55
25
民
最大
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK10C68-25
STK10C68-35
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK10C68-45
STK10C68-55
单位
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。 NE必须在整个周期高。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
，W > V
IH
和NE
≥
V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
2006年3月
3
文件控制＃ ML0006修订版0.2
STK10C68
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
符号
b
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
广告
民
最大
85
75
65
不适用
3
10
27
23
20
不适用
750
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40/-55
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85/125
工业/
军事
民
最大
90
75
65
55
3
10
28
24
21
20
1500
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
单位
笔记
参数
I
CC
1
平均V
CC
当前
I
CC
I
CC
I
SB
c
2
b
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
3
d
1
I
SB
d
2
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注一：输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
注B：我
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
注意：C ：我
CC
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
2003年9月
2
文件控制＃ ML0006修订版0.1
STK10C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
g
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK10C68-25
民
最大
25
25
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
35
0
10
0
45
5
5
10
0
12
0
55
35
35
15
5
5
12
0
12
STK10C68-35
民
最大
35
45
45
20
5
5
12
STK10C68-45
民
最大
45
55
55
25
STK10C68-55
民
最大
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
参数
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
e
D，E
g
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
ELICCH
t
EHICCL
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。 NE必须在整个周期高。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
，W > V
IH
和NE
≥
V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
5
3
2
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
6
t
ELQX
1
1
1
2
t
EHICCL
7
t
EHQZ
G
8
t
GLQV
4
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
活跃
数据有效
I
CC
待机
2003年9月
3
文件控制＃ ML0006修订版0.1
STK10C68
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
符号
b
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
广告
民
最大
85
75
65
不适用
3
10
27
23
20
不适用
750
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40/-55
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85/125
工业/
军事
民
最大
90
75
65
55
3
10
28
24
21
20
1500
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
t
AVAV
= 55ns
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 55ns ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
单位
笔记
参数
I
CC
1
平均V
CC
当前
I
CC
I
CC
I
SB
c
2
b
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
3
d
1
I
SB
d
2
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注一：输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
注B：我
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
注意：C ：我
CC
需要的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
V
= 0到3V
V
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
2003年9月
2
文件控制＃ ML0006修订版0.1
STK10C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
g
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK10C68-25
民
最大
25
25
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
35
0
10
0
45
5
5
10
0
12
0
55
35
35
15
5
5
12
0
12
STK10C68-35
民
最大
35
45
45
20
5
5
12
STK10C68-45
民
最大
45
55
55
25
STK10C68-55
民
最大
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
参数
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
AVQV
t
GLQV
t
AXQX
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
e
D，E
g
t
OHZ
t
PA
t
PS
t
ELICCH
t
EHICCL
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。 NE必须在整个周期高。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
，W > V
IH
和NE
≥
V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
5
3
2
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
6
t
ELQX
1
1
1
2
t
EHICCL
7
t
EHQZ
G
8
t
GLQV
4
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
活跃
数据有效
I
CC
待机
2003年9月
3
文件控制＃ ML0006修订版0.1
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