【半导体STK0760P先进的功率MOSFET开关稳压器的应用特点高压： BVDSS=600V(Min】,IC型号STK0760P,STK0760P PDF资料,STK0760P经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

STK0760P

先进的功率MOSFET

开关稳压器的应用

特点

高压： BV

DSS

=600V(Min.)

低C

RSS

: C

RSS

=12pF(Typ.)

低栅极电荷：的Qg = 28nc （典型值）

低R

DS （ ON）

=1.2(Max.)

型号

STK0760P

记号

STK0760

封装代码

TO-220AB-3L

订购信息

外形尺寸

9.80~10.20

Φ3.70

马克斯。

8.20~8.60

单位：

4.35~4.65

1.20~1.40

6.30~6.70

9.05~9.35

12.68~13.48

1.62 MAX 。

0.95~1.05

1.49~1.59

1.37最大。

0.95 MAX 。

2.20~2.60

9.85~10.15

2.54 TYP 。

5.08 （典型值）。

3.00°

0.40~0.60

2.35~2.45

9.85~10.15

引脚连接

1.门

2.漏

3.源

KSD-T0P002-000

STK0760P

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

(Tc=25°C)

符号

DSS

GSS

(Tc=25℃)

(Tc=100℃)

②

①

英镑

等级

600

±30

3.2

230

7.5

150

-55~150

单位

°C

漏极功耗

雪崩电流（单人）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流（重复）

重复性雪崩能量

结温

存储温度范围

*受最高结温

特征

热

阻力

结案件

结到环境

符号

日（J -C ）

号（j -a）的

典型值。

最大

1.92

83.3

单位

℃/W

KSD-T0P002-000

STK0760P

电气特性

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极截止电流

栅极漏电流

漏源导通电阻

正向传输导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

④

(Tc=25°C)

符号

DSS

GS （ TH）

DSS

GSS

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

测试条件

= 250μA ，V

= V

=600V, V

=0V

=0V, V

=±30V

= 10V ，我

=3.5A

= 10V ，我

=3.5A

=0V, V

=25V,

f=1MHz

分钟。

600

2.0

典型值。

1.0

7.3

950

5.5

马克斯。

4.0

±100

1.2

1430

130

8.3

单位

= 300V ，我

=7A

=25

③

④

=300V, V

=10V

=7A

③

④

源极 - 漏极二极管额定值和特性

特征

源出电流

源电流（脉冲）

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

①

④

(Tc=25°C)

符号

测试条件

积分反向二极管

在MOSFET

= 0V时，我

=7A

= 7A ，V

/dt=100A/us

民

典型值

365

4.23

最大

1.4

单位

注意;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

L = 9.8mH ，我

= 7A ，V

= 50V ，R

=27

③

脉冲测试：脉冲宽度\u003c 300US ，职务cycle≤ 2 ％

④

基本上是独立工作温度

KSD-T0P002-000

STK0760P

电气特性曲线

图。 1 I

- V

图。 2我

- V

图。 3 R

DS （ ON）

- I

℃

图。 4我

- V

图。 5电容 - V

图。 6 V

- Q

℃

KSD-T0P002-000

STK0760P

图。 7 V

DSS

- T

图。 8 R

DS （ ON）

- T

图。 9

- T

图。 10安全工作区

KSD-T0P002-000

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