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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第872页 > STJ001SF
半导体
STJ001SF
P沟道MOSFET的沟道
便携式设备中的应用。
笔记本电脑中的应用。
特点
低V
GS （ TH）
: V
GS （ TH）
=-0.6~-1.4V
占地面积小，由于小包装
低R
DS （ ON）
: R
DS （ ON）
= 68
m
（典型值）。
订购信息
型号
STJ001SF
记号
J01
封装代码
SOT-23F
外形尺寸
单位：
mm
2.30~2.50
1.50~1.70
1
2.80~3.00
1.90典型。
3
2
0.45 MAX 。
0.10最大。
0.20最大。
0.80~1.00
针
1.
2.
3.
连接
门
来源
漏
KSD-T5C037-000
1
STJ001SF
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
**
漏电流（脉冲）
*
总功耗
**
(Ta=25°C)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
②
②
①
①
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
-20
±12
-2.8
-11.2
0.5
-2.8
28
-2.8
1.3
150
-55~150
单位
V
V
A
A
W
A
mJ
A
mJ
°C
雪崩电流（单人）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流（重复）
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
**装置安装在玻璃环氧基板
特征
热
阻力
结到环境
符号
R
日（J -A ） **
典型值。
-
最大
250
单位
℃/W
KSD-T5C037-000
2
STJ001SF
P- CH电气特性
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
④
(Ta=25°C)
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0
I
D
= -250μA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
GS
= -5.0V ，我
D
=-1.4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.4A
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
V
GS
=0V, V
DD
=-10V,
f=1MHz
分钟。
-20
-0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
68
72
15
880
210
110
5.2
10
17.6
10
8.0
1.3
2.3
马克斯。
-
-1.4
1
±100
88
93
-
1320
320
170
-
-
-
-
12
2.0
3.5
单位
V
V
A
nA
m
m
S
pF
V
DD
= -10V ，我
D
=-2.8A
R
G
=10
③④
-
-
-
ns
V
DD
=-10V, V
GS
=-5V
I
D
=-2.8A
③④
-
-
-
nC
源极 - 漏极二极管额定值和特性
特征
源出电流
Sourcecurrent （ Plused ）
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
①
④
(Ta=25°C)
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时，我
S
=-0.5A
I
s
=-0.5A
di
S
/dt=100A/us
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-0.9
73
250
最大
-0.5
-2.8
-1.3
-
-
单位
A
V
ns
uC
注意;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
L = 2.0mH ，我
AS
= -2.8A ，V
DD
= -10V ，R
G
=25
③
脉冲测试：脉冲宽度\u003c 300US ，职务cycle≤ 2 ％
④
基本上是独立工作温度
KSD-T5C037-000
3
STJ001SF
P- CH电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
℃
图。 2我
D
- V
GS
-
-
-
m
-
-
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
a
℃
图。 4我
S
- V
SD
-
-
-
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
℃
KSD-T5C037-000
4
`
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS （ ON）
- T
J
STJ001SF
-
C
C
图。 9我
D
- T
a
图。 10安全工作区
-
*
KSD-T5C037-000
5
STJ001SF
先进的P沟道沟槽MOSFET
便携式设备应用
特点
低压： BV
DSS
=-20V(Min.)
低V
GS （ TH）
: V
GS （ TH）
=-0.6~-1.4V
占地面积小，由于小包装
低R
DS （ ON）
: R
DS （ ON）
=88mΩ(Max.)
G
封装代码
SOT-23F
S
SOT-23F
S
引脚连接
D
D
G
订购信息
型号
STJ001SF
记号
J01
□
① ②
标记图
J01 ：具体设备守则
J01
□
□
：今年&周码打标
绝对最大额定值
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
*
漏电流（脉冲）
功耗
**
*
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
②
②
①
①
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
等级
-20
12
-2.3
-9.2
0.35
-2.3
28
-2.3
1.3
150
-55~150
单位
V
V
A
A
W
A
mJ
A
mJ
C
雪崩电流（单人）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流（重复）
重复性雪崩能量
结温
存储温度范围
*受最高结温
**装置安装在玻璃环氧基板
特征
热
阻力
结到环境
符号
R
号（j -a）的
KSD-T5C037-003
典型值。
-
马克斯。
357
单位
° C / W
1
STJ001SF
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向传输导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
④
④
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
I
D
= -250uA ，V
GS
=0
I
D
= -250uA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=0V, V
GS
=12V
V
GS
= -5.0V ，我
D
=-1.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.2A
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.3A
V
GS
=0V, V
DS
=-10V,
f=1MHz
分钟。
-20
-0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
64
72
15
880
210
110
5.2
10
17.6
10
8.0
1.3
2.3
-
-1.4
1
100
88
93
-
1320
320
170
-
-
-
-
12
2.0
3.5
nC
ns
pF
V
V
uA
nA
m
S
V
DD
= -10V ，我
D
=-2.3A
R
G
=10
③④
-
-
-
-
-
③④
-
V
DD
=-10V, V
GS
=-5V
I
D
=-2.3A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
连续源电流
源电流（脉冲）
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
①
④
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
积分反向二极管
在MOSFET
V
GS
= 0V时，我
S
=-0.4A
I
s
= -0.4A ，V
GS
=0V
dI
F
/dt=10A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-0.9
73
250
-0.4
-1.6
-1.3
-
-
A
V
ns
uC
注意;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
L = 2.0mH ，我
AS
= -2.3A ，V
DD
= 10V ，R
G
=25
③
脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
④
基本上是独立工作温度
KSD-T5C037-003
2
STJ001SF
P- CH电气特性曲线
图。 1 I
D
- V
DS
℃
图。 2我
D
- V
GS
-
-
-
m
-
-
图。 3 R
DS （ ON）
- I
D
a
℃
图。 4我
S
- V
SD
-
-
-
图。 5电容 - V
DS
图。 6 V
GS
- Q
G
℃
`
KSD-T5C037-003
3
STJ001SF
图。 7 V
DSS
- T
J
图。 8 R
DS （ ON）
- T
J
-
C
C
图。 9我
D
- T
a
图。 10安全工作区
-
*
KSD-T5C037-003
4
STJ001SF
图。 11栅极电荷测试电路波形&
图。 12电阻开关测试电路波形&
图。 12 E
AS
测试电路波形&
KSD-T5C037-003
5
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S40D40CE
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SIHFL210T-E3
SMAJ30CA-TR
SN74ABT821ADW
SM5839A
STFPC311
SN74HCU04D
SS4R7M050ST
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STJ001SF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STJ001SF
AUK
20+
16800
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
STJ001SF
AUK
2019
79600
SOT-23F
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STJ001SF
AUK
2443+
23000
SOT-23F
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
STJ001SF
VB
25+23+
35500
SOT-23F
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
深圳市世品佳电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：296271020 复制
电话：0755-/83218466/83200833
联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
STJ001SF
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-23
原装正品假一赔百！
深圳市华斯顿科技有限公司
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联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
STJ001SF
AUK
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绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
STJ001SF
AUK
2022
345860
深圳市凯鑫跃电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885514887 复制

电话：0755-83987779
联系人：洪小姐
地址：福田区中航路都会电子城2C020A室（本公司可以开13%增票，3%增票和普票）
STJ001SF
AUK
2023+PB
60000
SOT-23
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电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
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AUK
18+
16238
SOT-23F
房间现货原装低价
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STJ001SF
AUK
24+
21000
SOT-23
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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