STx42N65M5
N沟道650 V， 0.070
,
33一个的MDmesh V功率MOSFET
在我
2
PAK ，TO- 220，TO- 220FP ，D-
2
PAK和TO -247
特点
TYPE
STB42N65M5
STF42N65M5
STI42N65M5
STP42N65M5
STW42N65M5
V
DSS
@
T
JMAX
710 V
710 V
710 V
710 V
710 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.079
< 0.079
< 0.079
< 0.079
< 0.079
I
D
33 A
33 A
(1)
33 A
33 A
33 A
3
1
2
3
1
1
3
2
TO-220FP
DPAK
TO-220
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
■
3
12
2
1
3
TO- 220的全球最佳R
DS （ ON）
较高的V
DSS
等级
DV dt能力高/
出色的开关性能
易驱
100％的雪崩测试
图1 。
IPAK
TO-247
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
的MDmesh V是一款革命性的功率MOSFET
基于创新的专有技术
垂直的过程，这是结合
意法半导体的著名的PowerMESH
横向布局结构。将所得产物
具有非常低的导通电阻，这是
其中基于硅的电源无法比拟的
的MOSFET ，使其特别适用于
应用程序需要卓越的功率密度
和出色的效率。
表1中。
设备简介
订购代码
STB42N65M5
STF42N65M5
STI42N65M5
STP42N65M5
STW42N65M5
2009年6月
记号
42N65M5
42N65M5
42N65M5
42N65M5
42N65M5
包
DPAK
TO-220FP
IPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/18
www.st.com
18
文档ID 15317牧师3
目录
STx42N65M5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
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文档ID 15317牧师3
STx42N65M5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ，TO- 247
DPAK ， IPAK
单位
TO-220FP
V
33
(1)
20.8
(1)
132
(1)
40
11
950
15
--
-55到150
150
2500
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
°C
°C
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单脉冲最大电流
雪崩（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
33
20.8
132
190
± 25
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
33 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK IPAK的TO-220 TO-247 TO- 220FP
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
环境最大
热阻结到PCB
最大
铅的最大温度
焊接用途
--
30
--
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
0.66
62.5
--
300
50
--
3.1
62.5
--
° C / W
° C / W
° C / W
°C
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STx42N65M5
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
分钟。
典型值。
61
24
65
13
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 33 A，V
GS
= 0
I
SD
= 33 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V（见
图24 ）
I
SD
= 33 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（见
图24 ）
测试条件
分钟。
-
-
-
400
7
35
532
10
38
典型值。
MAX 。 UNIT
33
132
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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