STB32N65M5 ， STF32N65M5 ， STI32N65M5
STP32N65M5 ， STW32N65M5
N沟道650 V， 0.095
Ω
24 A，的MDmesh V功率MOSFET
,
在DPAK ， IPAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247
特点
订购代码
STB32N65M5
STF32N65M5
STI32N65M5
STP32N65M5
STW32N65M5
V
DSS
@
T
JMAX
710 V
710 V
710 V
710 V
710 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.119
Ω
< 0.119
Ω
< 0.119
Ω
< 0.119
Ω
< 0.119
Ω
I
D
1
3
3
1
2
24 A
24 A
(1)
24 A
24 A
24 A
3
12
DPAK
TO-220FP
IPAK
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
■
3
1
2
2
1
3
在全球最佳R
DS （ ON）
*区
较高的V
DSS
等级
DV dt能力高/
出色的开关性能
易驱
100％的雪崩测试
TO-220
TO-247
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道的MDmesh V
基于创新的功率MOSFET
专有的垂直处理技术，该技术是
结合意法半导体的知名
的PowerMESH 水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻，这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ，使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
表1中。
设备简介
订购代码
STB32N65M5
STF32N65M5
STI32N65M5
STP32N65M5
STW32N65M5
2011年10月
记号
32N65M5
32N65M5
32N65M5
32N65M5
32N65M5
包
DPAK
TO-220FP
IPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/22
www.st.com
22
文档ID 15316牧师4
目录
STB/F/I/P/W32N65M5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
2/22
文档ID 15316牧师4
STB/F/I/P/W32N65M5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220， DPAK
的TO- 247 ， IPAK
± 25
24
15
96
150
8
650
15
2500
- 55 150
150
24
(1)
15
(1)
96
(1)
35
单位
TO-220FP
V
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
°C
°C
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单脉冲最大电流
雪崩（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
24 A， di / dt的= 400 A / μs的，峰值V
DS
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK TO- 220FP
IPAK的TO-220 TO-247
0.83
62.5
30
300
50
° C / W
° C / W
° C / W
°C
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
环境最大
热阻结到PCB
最大
铅的最大温度
焊接用途
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
0.83
3.6
文档ID 15316牧师4
3/22
电气特性
STB/F/I/P/W32N65M5
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
650
1
100
100
3
4
0.095
5
0.119
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(tr)(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
3320
75
5
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0至520伏特
-
210
-
pF
C
O（ ER ）
(2)
V
GS
= 0, V
DS
= 0至520伏特
-
70
-
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 520 V，I
D
= 12 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
2
72
17
29
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
1. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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文档ID 15316牧师4
STB/F/I/P/W32N65M5
电气特性
表6 。
符号
t
D（关闭）
t
r
t
c
t
f
开关时间
参数
打开-O FF延迟时间
上升时间
跨时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图21）
分钟。
典型值。
53
12
29
16
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 24 A，V
GS
= 0
I
SD
= 24 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图21）
I
SD
= 24 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图21）
测试条件
分钟。
-
-
-
375
6
33
440
8
36
典型值。
MAX 。 UNIT
24
96
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15316牧师4
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