STI17NF25 - STD17NF25
STF17NF25 - STP17NF25
N沟道250V - 0.14Ω - 17A - TO- 220 / FP - DPAK - 我
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD17NF25
STI17NF25
STF17NF25
STP17NF25
V
DSS
250V
250V
250V
250V
R
DS ( ON)
< 0.165Ω
< 0.165Ω
< 0.165Ω
< 0.165Ω
I
D
17A
17A
17A
17A
P
合计
90W
3
90W
25W
90W
TO-220
1
2
3
12
IPAK
■
■
■
低栅电荷
100%的雪崩测试
DV dt能力EXCEPTIONAL /
1
2
3
3
1
TO-220FP
DPAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET 工艺
有专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此,它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC - DC转换器。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
订购代码
产品型号
STD17NF25
STI17NF25
STF17NF25
STP17NF25
记号
17NF25
17NF25
17NF25
17NF25
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2007年2月
REV 1
1/17
www.st.com
17
目录
STI17NF25 - STD17NF25 - STF17NF25 - STP17NF25
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
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STI17NF25 - STD17NF25 - STF17NF25 - STP17NF25
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
DPAK / IPAK
250
±20
17
10
68
90
0.72
10
-55到150
17
(1)
10
(1)
68
(1)
25
0.2
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
T
J
T
英镑
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
图17A , di / dt的
≤
200A / μs的,V
DD
& LT ;
80%V
( BR ) DSS
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
62.5
TO-220
IPAK
1.38
50
(1)
300
DPAK
TO-220FP
5
62.5
单位
° C / W
° C / W
°C
1.当安装在1inch FR- 4 , 2盎司纯铜电路板
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流,重复或不
重复(脉冲宽度有限的TJMAX )
单脉冲雪崩能量(首发
TJ = 25 ° C,I
D
=I
AR
, V
DD
=50V)
价值
17
100
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STI17NF25 - STD17NF25 - STF17NF25 - STP17NF25
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
=最大额定值, TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 8.5A
2
3
0.14
分钟。
250
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4
0.165
表5 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 8.5A
分钟。
典型值。
14
1000
178
28
135
29.5
4.8
15.6
2
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至200V
V
DD
= 200V ,我
D
= 17A
V
GS
=10V
(参见图16)
F = 1MHz的栅极的直流偏压= 0测试
信号电平= 20mV的开
漏
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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STI17NF25 - STD17NF25 - STF17NF25 - STP17NF25
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 125V ,我
D
=8.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
(参见图15)
V
DD
= 125V ,我
D
=8.5A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
(参见图15)
分钟。
典型值。
8.8
17.2
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
21
8.8
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17A ,V
GS
=0
I
SD
= 17A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 50V, TJ = 25°C
(参见图17)
I
SD
= 17A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 50V, TJ = 150℃
(参见图17)
157
0.91
11.6
196
1.34
13.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
17
68
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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