STD12N65M5 ， STF12N65M5 ， STI12N65M5
STP12N65M5 ， STU12N65M5
N沟道650 V， 0.39
8.5的MDmesh V功率MOSFET
,
DPAK ，我
2
PAK ，TO- 220FP ， TO-220， IPAK
特点
TYPE
STD12N65M5
STF12N65M5
STI12N65M5
STP12N65M5
STU12N65M5
V
DSS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
最大
I
D
P
合计
2
3
1
3
1
2
710 V
8.5 A
8.5 A
(1)
< 0.43
8.5 A
8.5 A
8.5 A
70 W
25 W
70 W
70 W
70 W
IPAK
3
1
TO-220
DPAK
3
12
3
1
2
1.有限只能由最高温度允许的。
■
■
■
■
■
在全球最佳R
DS （ ON）
*区
较高的V
DSS
评级和高dv / dt能力
出色的开关性能
易驱
100％的雪崩测试
IPAK
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道的MDmesh V
基于创新的功率MOSFET
专有的垂直处理技术，该技术是
结合意法半导体的知名
的PowerMESH 水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻，这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ，使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
表1中。
设备简介
记号
套餐
DPAK
TO-220FP
IPAK
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/23
www.st.com
23
订购代码
STD12N65M5
STF12N65M5
STI12N65M5
STP12N65M5
STU12N65M5
2011年6月
12N65M5
文档ID 15428第5版
目录
STD/F/I/P/U12N65M5
目录
1
2
电气额定值
........................................... 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
......................... 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
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文档ID 15428第5版
电气特性
STD/F/I/P/U12N65M5
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
650
1
100
100
3
4
0.39
5
0.43
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.3 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 520 V ，V
GS
= 0
-
21
-
pF
测试条件
分钟。
典型值。
900
22
2
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
-
64
-
pF
C
o(er)(2)
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 520 V，I
D
= 4.25 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
2.5
20
4.8
8.3
-
nC
nC
nC
-
-
1.时间有关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当
V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2.能源有关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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文档ID 15428第5版
STD/F/I/P/U12N65M5
电气特性
表6 。
符号
t
d
(v)
t
r
(v)
t
f
(i)
t
c
（关闭）
开关时间
参数
电压延迟时间
电压上升时间
电流下降时间
穿越时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图21
和
图24 ）
分钟。
典型值。
22.6
17.6
15.6
23.4
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8.5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V（见
图24 ）
I
SD
= 8.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（见
图24 ）
230
2.2
19
280
2.7
19
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
8.5
34
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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