STD11NM60ND ， STF / I11NM60ND
STP11NM60ND ， STU11NM60ND
N沟道600V - 0.37Ω - 10A - FDmesh II功率MOSFET
I
2
PAK ，TO- 220，TO- 220FP ， IPAK ， DPAK
特点
TYPE
STD11NM60ND
STF11NM60ND
STI11NM60ND
STP11NM60ND
STU11NM60ND
V
DSS
（ @Tjmax ）R
DS （ ON）
最大
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
＆ LT ; 0.45
I
D
10 A
10 A
(1)
10 A
10 A
10 A
3
1
3
12
DPAK
3
2
1
IPAK
IPAK
3
1
2
1
2
3
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
全球最佳R
DS （ ON）
*区域之间的
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
TO-220
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
该FDmesh II系列属于第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
和同事的所有优点降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
因此，恢复身体diode.It强烈
推荐桥拓扑结构，特别是
ZVS移相器。
表1中。
设备简介
记号
11NM60ND
11NM60ND
11NM60ND
11NM60ND
11NM60ND
REV 1
包
DPAK
TO-220FP
I
2
PAK
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/18
www.st.com
18
订购代码
STD11NM60ND
STF11NM60ND
STI11NM60ND
STP11NM60ND
STU11NM60ND
2008年4月
目录
STP11NM60ND - STF / I11NM60ND - STU11NM60ND - STD11NM60ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP11NM60ND - STF / I11NM60ND - STU11NM60ND - STD11NM60ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK / TO- IPAK
220/IPAK
600
± 25
10
6.3
40
90
40
--
-55到150
150
2500
10
(1)
6.3
(1)
40
(1)
25
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 IPAK DPAK IPAK TO- 220FP
热阻结案件
最大
热阻结- AMB最大
热阻结到PCB最大
铅的最大温度
焊接用途
--
300
62.5
--
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
1.38
--
50
100
--
5
62.5
--
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
(1)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
1.脉冲宽度有限的Tj最高
2.开始TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50 V
3/18
电气特性
STP11NM60ND - STF / I11NM60ND - STU11NM60ND - STD11NM60ND
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
3
4
0.37
分钟。
600
45
1
100
100
5
0.45
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.在值依次测断感性负载下
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
7.5
850
44
5
130
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0V至480 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
（参见图19）
Rg
3.7
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
30
4
16
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STP11NM60ND - STF / I11NM60ND - STU11NM60ND - STD11NM60ND
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
民
典型值
16
7
50
9
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10 A，V
GS
=0
I
SD
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V
（参见图20）
V
DD
= 100 V
的di / dt = 100 A / μs的，我
SD
= 10 A
TJ = 150℃
（参见图20）
130
0.69
11
200
1.2
12
测试条件
民
典型值
最大
10
40
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/18
STD11NM60ND ， STF / I11NM60ND
STP11NM60ND ， STU11NM60ND
N沟道600 V ， 0.37
Ω
10 A ， FDmesh II功率MOSFET
,
I
2
PAK ，TO- 220，TO- 220FP ， IPAK ， DPAK
特点
订购代码
STD11NM60ND
STF11NM60ND
STI11NM60ND
STP11NM60ND
STU11NM60ND
V
DSS
(@T
JMAX
) R
DS （ ON）
最大
I
D
10 A
10 A
(1)
10 A
10 A
10 A
3
1
3
12
650 V
＆ LT ; 0.45
Ω
DPAK
3
2
1
IPAK
IPAK
3
1
2
1
2
3
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
全球最佳R
DS （ ON）
*区域之间的
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
TO-220
TO-220FP
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
该设备是一个N沟道FDmesh II电源
MOSFET的属于第二代
中的MDmesh 技术。这一革命性的
功率MOSFET关联一个新的垂直
结构公司的条状布局和
联营各方优势降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
因此，恢复身体diode.It强烈
推荐桥拓扑结构，特别是
ZVS移相器。
表1中。
设备简介
订购代码
STD11NM60ND
STF11NM60ND
STI11NM60ND
STP11NM60ND
STU11NM60ND
2010年10月
记号
包
DPAK
TO-220FP
I
2
PAK
TO-220
IPAK
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/19
www.st.com
19
11NM60ND
文档ID 14625第2版
目录
STD/F/I/P/U11NM60ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
文档ID 14625第2版
STD/F/I/P/U11NM60ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK / IPAK ，
TO-220/IPAK
600
± 25
10
6.3
40
90
40
2500
-55到150
150
10
(1)
6.3
(1)
40
(1)
25
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
，峰值VDS
≤
V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 IPAK DPAK IPAK TO- 220FP
热阻结案件
最大
热阻结- AMB最大
62.5
50
300
300
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
1.38
100
5
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
R
thj-pcb(1)
热阻结到PCB最大
T
l
铅的最大温度
焊接用途
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
文档ID 14625第2版
3/19
QQ：2880707522 复制
