N沟道900V - 1.1
- 8 A TO - 247 / ISOWATT218
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STW8NB90
STH8NB90FI
s
s
s
s
s
STW8NB90
STH8NB90FI
V
DSS
900 V
900 V
R
DS （ ON）
< 1.45
< 1.45
I
D
8A
5A
典型
DS
（上） = 1.1
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
TO-247
3
2
1
3
2
1
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
民族结构，给出了低R
DS （ ON）
单位面积，
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
应用
s
大电流，高开关速度
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
ISOWATT218
内部原理图
价值
STW8NB90
900
900
±30
8
5
32
200
1.6
4
-
-65到150
150
2500
5
3
20
80
0.64
STH8NB90FI
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1)I
SD
≤8
A， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
2001年7月
1/9
STW8NB90 - STH8NB90FI
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 450 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 9A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
12
46
12.5
18
72
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 720V ，我
D
= 7.4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
22
15
31
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 7.4 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
700
6.3
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 247
安全工作区ISOWATT218
3/9
N沟道900V - 1.1
- 8 A TO - 247 / ISOWATT218
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STW8NB90
STH8NB90FI
s
s
s
s
s
STW8NB90
STH8NB90FI
V
DSS
900 V
900 V
R
DS （ ON）
< 1.45
< 1.45
I
D
8A
5A
典型
DS
（上） = 1.1
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
TO-247
3
2
1
3
2
1
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
民族结构，给出了低R
DS （ ON）
单位面积，
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
应用
s
大电流，高开关速度
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
ISOWATT218
内部原理图
价值
STW8NB90
900
900
±30
8
5
32
200
1.6
4
-
-65到150
150
2500
5
3
20
80
0.64
STH8NB90FI
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1)I
SD
≤8
A， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
2001年7月
1/9
STW8NB90 - STH8NB90FI
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 450 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 9A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
12
46
12.5
18
72
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 720V ，我
D
= 7.4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
22
15
31
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 7.4 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
700
6.3
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 247
安全工作区ISOWATT218
3/9
QQ：2881677436 复制
