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STW8NA60
STH8NA60FI
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STW 8NA60
STH8NA60F我
V
DSS
600 V
600 V
R
DS （ ON）
<1
<1
I
D
8 A
5 A
s
s
s
s
s
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.92
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
栅极电荷最小化
化阈值电压蔓延
1
2
3
2
1
3
TO-247
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
ISOWATT218
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
VALU ê
ST W8NA60
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
V
ISO
T
s TG
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘W ithstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
单位
STH8NA60FI
600
600
±
30
V
V
V
5
3.2
32
60
0.48
4000
A
A
A
W
W /
o
C
V
o
o
8
5.1
32
150
1.2
-65到150
150
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1998年10月
1/10
STW8NA60-STH8NA60FI
热数据
TO-247
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
0.83
30
0.1
300
ISOWATT 218
2.08
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大的铅温度F或焊接用途
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
8
480
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
600
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 100 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 4 A
8
分钟。
2.25
典型值。
3
0.92
马克斯。
3.75
1
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 4 A
V
GS
= 0
分钟。
4.5
典型值。
6.6
1350
175
45
1690
230
60
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STW8NA60-STH8NA60FI
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试刀豆ditions
V
DD
= 300 V I
D
= 4 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 480 V I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 480 V
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
20
35
200
马克斯。
28
35
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
58
9
27
82
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 640 V I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
16
16
26
马克斯。
23
23
37
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 8 A
V
GS
= 0
600
10
33
I
SD
= 8的的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 100 V
（见测试电路，图5 ）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
8
32
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
(
）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 247
安全工作区ISOWATT218
3/10
STW8NA60-STH8NA60FI
热阻抗对于TO- 247
热阻抗为ISOWATT218
降额曲线TO- 247
降额曲线ISOWATT218
输出特性
传输特性
4/10
STW8NA60-STH8NA60FI
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
5/10
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