【1300同轴封装与SM-尾纤nm激光，高功率STH 51004XSTH 51005X设计用于在光纤网】,IC型号STH51004G,STH51004G PDF资料,STH51004G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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1300同轴封装与SM-尾纤nm激光，

高功率

STH 51004X

STH 51005X

设计用于在光纤网络中的应用

与多量子阱结构的激光二极管

适用于比特率高达1 Gbit / s的

三元光电二极管在后视镜监控和

辐射功率控制

密封子，类似于TO 18

SM尾纤可选法兰

TYPE

STH 51004G

STH 51004A

STH 51005G

STH 51005A

订购代码

Q62702-P3002

Q62702-Pxxxx

Q62702-P3083

Q62702-Pxxxx

连接器/法兰

FC /不带法兰

DIN /不带法兰

FC /法兰

DIN /法兰

组件与其他要求连接器类型。

最大额定值

额定输出功率指的是SM光纤输出。的工作温度

副安装座是相同的情况下的温度。

参数

模块

工作温度范围为案例

存储温度范围

焊接温度

t

最大

= 10秒，从底部沿2毫米的距离

例

Laserdiode

直接的正向电流

辐射功率CW

反向电压

符号

值

单位

T

C

T

英镑

T

S

40

…

+ 85

40

…

+ 85

260

°C

°C

°C

I

F最大

Φ

e

120

4

2

mA

mW

V

V

R最大

1

半导体集团

02.95

STH 51004X

STH 51005X

最大额定值

（续）

参数

监视二极管

反向电压

符号

值

单位

V

R最大

10

V

特征

所有的光学数据指的是耦合一百二十五分之十

m

单模光纤，

T

C

= 25 °C.

参数

激光二极管

光输出功率

的范围内发射波长中心

Φ

e

= 0.5毫瓦

光谱带宽

Φ

e

= 0.5毫瓦（ RMS）

阈值电流（ - 40

…

+ 85 °C)

正向电压

Φ

e

= 0.5毫瓦

辐射功率门限

坡英法fi效率

微分串联电阻

上升时间/下降时间

监视二极管

暗电流，

V

R

= 5 V,

Φ

e

= 0

光电流，

Φ

e

= 0.5毫瓦

Φ

e

λ

λ

> 2.4

1280

…

1330

<5

2

…

45

< 1.5

< 80

40

…

160

<8

<1

mW

nm

nm

mA

V

W

毫瓦/ A

ns

符号

值

单位

I

th

V

F

Φ

ETH

η

r

S

t

R

,

t

F

I

R

I

P

＆ LT ; 500

100

…

1000

nA

A

半导体集团

2

STH 51004X

STH 51005X

激光二极管

单模光纤的辐射功率

相对辐射功率

Φ

e

=

f

(λ)

2

1.8

相对光功率

0

5

10

15

20

在mA正向电流

1.6

在毫瓦光功率

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

1306 1308 1310 1312 1314

波长为nm

激光正向电流

I

F

=

f

(

V

F

)

监视二极管暗电流

I

R

=

f

(

T

A

)

Φ

PORT

= 0,

V

R

= 5 V

100

90

在mA正向电流

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

在V正向电压

在nA的暗电流

1000

100

10

1

0.1

0.01

-50

0

50

100

在° C温度

半导体集团

3

STH 51004X

STH 51005X

封装图（单位：mm ）

STH 51004X

STH 51005X （带法兰）

半导体集团

4

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