STH260N6F6-2
N沟道60 V , 1.7毫欧(典型值) , 180 A的STripFET VI DeepGATE
在HPAK - 2封装的功率MOSFET
数据表 - 生产数据
特点
订货编号
STH260N6F6-2
■
■
■
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
最大
< 2.4毫欧
I
D
180 A
TAB
低栅电荷
非常低的导通电阻
高雪崩坚固耐用
H
2
PAK-2
2
1
3
应用
■
切换应用程序
描述
这个设备是一个N沟道功率MOSFET
使用6开发
th
新一代的STripFET 的
DeepGATE 技术,以崭新的门
结构。由此产生的功率MOSFET展品
在低R
DS ( ON)
在所有的包。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
260N6F6
包
H
2
PAK-2
包装
磁带和卷轴
订货编号
STH260N6F6-2
2012年7月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档编号018784版本4
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www.st.com
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目录
STH260N6F6-2
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
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文档编号018784版本4
STH260N6F6-2
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
60
± 20
180
180
720
300
2
- 55 175
工作结温
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
T
英镑
T
j
储存温度
1.电流限制的包。
表3中。
符号
R
THJ情况
热数据
参数
热阻结案件最大
价值
0.5
35
300
单位
° C / W
° C / W
°C
R
thj-pcb(1)
热阻结到PCB最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装在FR-4基板的1英寸2 , 2盎司铜。
文档编号018784版本4
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