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N沟道400V - 0.19
- 18.4 TO- 247 / ISOWATT218
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STW18NB40
STH18NB40FI
s
s
s
s
s
STW18NB40
STH18NB40FI
初步数据
V
DSS
400 V
400 V
R
DS （ ON）
< 0.26
< 0.26
I
D
18.4 A
12.4 A
典型
DS
（上） = 0.19
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
TO-247
3
2
1
3
2
1
ISOWATT218
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
表演。新申请专利带布局
再加上公司的proprieraty边缘termi-
民族结构，给出了低R
DS （ ON）
单位面积，
呈雪崩和dv / dt的能力和
无与伦比的栅极电荷和开关特性
抽动。
应用
s
大电流，高开关速度
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
内部原理图
价值
STW18NB40
400
400
±30
18.4
11.6
73.6
190
1.52
4.5
-
-65到150
150
(1)I
SD
<18.4A ，二/ dt<200A / μ ，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
， TJ<T
JMAX
单位
V
V
V
12.4
7.8
73.6
80
0.64
4.5
2000
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
STH18NB40FI
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年6月
1/7
STW18NB40/STH18NB40FI
热数据
TO-247
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthc散热器
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻案例散热器典型值
最大无铅焊接温度的目的
0.66
30
0.1
300
ISOWATT218
1.56
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
18.4
450
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
分钟。
400
1
50
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.2 A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
V
GS
= 10V
18.4
分钟。
3
典型值。
4
0.19
马克斯。
5
0.26
单位
V
A
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 9.2 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
9.3
2480
435
47
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/7
STW18NB40/STH18NB40FI
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 200 V，I
D
= 9.2 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 320V ，我
D
= 18.4 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
27
14
60
16
28.3
84
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 320V ，我
D
= 18.4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
13
15
27
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 18.4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 18.4 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
480
5.5
23
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
18.4
73.6
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/7
STW18NB40/STH18NB40FI
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/7
STW18NB40/STH18NB40FI
TO- 247机械数据
mm.
分钟。
4.85
2.20
0.40
1
3
2
2
3
10.90
15.45
19.85
3.70
18.50
14.20
34.60
5.50
2
5
60
3.55
3.65
0.14
3
0.07
5
60
0.143
14.80
0.56
1.36
0.21
0.11
15.75
20.15
4.30
0.60
0.78
0.14
0.72
0.58
2.40
3.40
0.07
0.11
0.43
0.62
0.79
0.17
典型值
马克斯。
5.15
2.60
0.80
1.40
分钟。
0.19
0.08
0.015
0.04
0.11
0.07
0.09
0.13
寸
典型值。
马克斯。
0.20
0.10
0.03
0.05
DIM 。
A
D
E
F
F1
F2
F3
F4
G
H
L
L1
L2
L3
L4
L5
M
V
V2
迪亚
5/7
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