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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第782页 > STH15NA50FI
STH15NA50/FI
STW15NA50
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STH15NA50
STH15NA50FI
STW15NA50
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.4
＆ LT ; 0.4
＆ LT ; 0.4
I
D
14.6 A
9.3 A
14.6 A
TO-247
典型
DS （ ON）
= 0.33
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
GATE GHARGE MINIMIZED
化阈值电压蔓延
TO-218
1
3
2
1
3
3
2
描述
该系列功率MOSFET的代表
最先进的高电压技术。了选购
再加上一个新的专有timized小区布局
边缘终端同意给该设备的低
R
DS （ ON）
和栅极电荷，无与伦比的耐用性
和出色的开关性能。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
参数
2
ISOWATT218
1
内部原理图
价值
STH/STW15NA50
STH15NA50FI
单位
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
500
500
±
30
14.6
9.2
58.4
190
1.52
-65到150
150
9.3
5.5
58.4
80
0.64
4000
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
1/11
STH15NA50 / FI - STW15NA50
热数据
的TO- 218 / TO-247 ISOWATT218
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
吨HC-罪
T
l
热阻结案件
最大
0.66
30
0.1
300
1.56
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
D D
= 50 V)
重复性雪崩能量
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
雪崩电流，重复或不重复
(T
c
= 100
o
C，脉冲宽度为T的限制
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
o
最大值
14.6
850
30
9.2
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
例
= 25℃ ，除非另有规定）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
分钟。
500
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 7.5 A
14.6
分钟。
2.25
典型值。
3
0.33
马克斯。
3.75
0.4
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
S（上）最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 7.5 A
V
的s
= 0
分钟。
9
典型值。
13
2500
345
105
3250
450
140
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/11
STH15NA50 / FI - STW15NA50
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 225 V I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路，图5 ）
V
DD
= 400 V
I
D
= 15 A
V
的s
= 10 V
分钟。
典型值。
24
37
225
马克斯。
34
50
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
110
15
55
140
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
25
17
45
马克斯。
35
24
60
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 15 A
V
的s
= 0
640
12.8
40
I
SD
= 15 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
14.6
58.4
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作领域对于TO- 218和TO- 247
安全工作区为ISOWATT218
3/11
STH15NA50 / FI - STW15NA50
热Impedeance对于TO- 218和TO- 247
热阻抗为ISOWATT218
降额曲线TO- 218和TO- 247
降额曲线ISOWATT218
输出特性
传输特性
4/11
STH15NA50 / FI - STW15NA50
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
5/11
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