STGW33IH120D
30 A - 1200 V - 非常快速的IGBT
特点
■
■
■
■
低饱和电压
高电流能力
低开关损耗
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
2
1
3
应用
■
■
电磁炉，微波炉
软交换的应用
TO-247
描述
这IGBT运用先进的PowerMESH
结果形成优良的权衡过程
在接通状态下的性能和低之间
行为。此设备是非常适合的
或谐振软开关应用。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
GW33IH120D
包
TO-247
包装
管
订货编号
STGW33IH120D
2008年3月
REV 1
1/14
www.st.com
14
目录
STGW33IH120D
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STGW33IH120D
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
I
C (1)
I
C (1)
I
CL （2）
I
CP （3）
V
GE
P
合计
I
F
I
FSM
T
j
1.
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0)
集电极电流（连续），在25 ℃下
集电极电流（连续）在100℃下
关断电流闭锁
集电极电流脉冲
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25 °C
RMS二极管正向电流在T
C
= 25 °C
浪涌不重复正向电流T
p
= 10毫秒
正弦
工作结温
价值
1200
60
30
45
45
±25
220
30
100
-55到150
单位
V
A
A
A
A
V
W
A
A
°C
根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. VCLAMP = 80％的V
CES
, T
j
= 150℃ ，R
G
=10
,
V
GE
=15 V
3.脉冲宽度有限的最大值。结温允许
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻
参数
热阻结案件IGBT最大。
热阻结案件二极管最大。
热阻结到环境最大。
价值
0.57
1.6
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
3/14
电气特性
STGW33IH120D
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
(V
GE
= 0)
测试条件
分钟。
典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） CES
I
C
= 1毫安
1200
V
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
g
飞秒（1）
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15 V，I
C
= 20 A
电压
V
GE
= 15 V，I
C
= 20 A ，TC = 125°C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安
V
CE
=1200 V
V
CE
= 1200 V ，TC = 125°C
V
GE
=± 20 V
V
CE
= 25 V
,
I
C
= 20 A
3.75
2.2
2.0
2.8
V
V
V
A
mA
nA
S
5.75
500
10
±
100
20
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
2900
162
30
127
18
50
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
=0
V
CE
= 960 V,
I
C
= 20 A，V
GE
=15 V
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STGW33IH120D
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 960 V，I
C
= 20 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图17）
V
CC
= 960 V，I
C
= 20 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
TC = 125°C
（参见图17）
V
CC
= 960 V，I
C
= 20 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图17）
V
CC
= 960 V，I
C
= 20 A
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
,
TC = 125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
46
10
1660
45
12
1500
102
284
180
200
424
316
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
1.
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 960 V，I
C
= 20 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图17）
V
CC
= 960 V，I
C
= 20 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
TC = 125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
1.5
3.4
4.9
2.3
6.4
8.7
马克斯。
单位
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助包二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
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