STGP3NB60HD
STGP3NB60HDFP
N沟道3A - 600V TO- 220 / FP
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP3NB60HD
STGP3NB60HDFP
s
V
CES
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
< 2.8 V
< 2.8 V
I
C
3 A
3 A
s
s
s
s
s
s
高输入阻抗
（电压驱动）
低导通压降（ V
CESAT
)
低栅电荷
高电流能力
甚高频运行
关损失包括尾电流
CO-打包带TURBOSWITCH
反并联二极管
3
1
2
1
2
3
TO-220
TO-220FP
描述
使用基于最新的高电压技术
上专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的一种先进的家庭，
的PowerMESH
IGBT的，
同
优秀
perfomances 。后缀“ H”的标识家庭
优化，以达到非常低的开关时间
高频应用（ <120kHz ） 。
应用
s
高频电机控制
s
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（ VGS = 0 ）
摹吃了发射极电压
集电极电流（连续）在Tc = 25℃
集电极电流（连续）在Tc = 100
o
C
集电极电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T c = 25℃
降额因子
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像Junct离子牛逼emperature
o
o
价值
STG P7NB60HD
600
±
20
6
3
24
70
0.56
-65到150
150
STGP7NB60HDF P
600
±
20
6
3
24
35
0.28
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
(
）脉冲宽度有限的最大值。结温
1999年6月
1/9
STGP3NB60HD/FP
电气特性
（续）
关闭
符号
t
c
t
r
(v
关闭
)
t
d
(
FF
)
t
f
E
FF
(**)
E
ts
(
r
)
t
c
t
r
(v
关闭
)
t
d
(
FF
)
t
f
E
FF
(**)
E
ts
(
r
)
参数
测试条件
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
90
36
53
70
33
100
180
82
58
110
88
165
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
跨-O版本时间
V
CC
= 480 V
关闭电压上升时间R
GE
= 10
延迟时间
秋季牛逼IME
关断开关损耗
总开关损耗
跨-O版本时间
V
CC
= 480 V
关闭电压上升时间R
GE
= 10
延迟时间
T
j
= 125
o
C
秋季牛逼IME
关断开关损耗
总开关损耗
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 3 A
I
f
= 3 A
I
f
= 3 A
的di / dt = 100 A / μs的
T
j
= 125
o
C
V
R
=200 V
o
T
j
= 125 C
1.6
1.4
87
160
3.7
牛逼EST条件
分钟。
牛逼YP 。
马克斯。
3
24
2.0
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
(
）脉冲宽度有限的最大值。结温
(
r
）包括在STTA306续流二极管恢复lossess
(
）脉冲：脉冲宽度= 300
S，占空比1.5 ％
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
热Impedeance对于TO- 220
热Impedeance对于TO- 220FP
3/9
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP
STGB3NB60HD
N沟道3A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGB3NB60HD
STGP3NB60HD
STGP3NB60HDFP
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）（最大）
@25°C
< 2.8 V
< 2.8 V
< 2.8 V
I
C
(#)
@100°C
6A
6A
6A
1
2
1
3
2
3
高输入阻抗（电压驱动）
低栅电荷
高频率运行
高电流能力
关损失包括尾电流
CO-打包带TURBOSWITCH
反并联二极管
TO-220
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
内部原理图
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体拥有DE-
签署IGBT的，上电先进的家庭
MESH IGBT的，以优异的perfomances 。
后缀"H"确定一个家庭的高优化
频应用（高达50kHz ），从而
达到非常高的开关性能（降低
TFALL ） mantaining低电压降。
应用
s
高频电机控制
s
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
订购信息
销售类型
STGB3NB60HDT4
STGP3NB60HD
STGP3NB60HDFP
记号
GB3NB60HD
GP3NB60HD
GP3NB60HDFP
包
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
2003年9月
1/12
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STGP3NB60HD
STGB3NB60HD
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C (#)
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
工作结温
50
0.4
-55到150
STGP3NB60HDFP
600
± 20
10
6
24
25
0.2
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
TO-220/D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
2.5
62.5
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ，V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
分钟。
600
50
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A， TJ = 125°C
分钟。
3
2.4
1.9
典型值。
马克斯。
5
2.8
单位
V
V
V
（＃）根据迭代公式计算：
T
JMAX
– T
C
I
C
(
T
C
)
= --------------------------------------------------------------------------------------
R
THJ - C
×
V
CESAT
(
最大
)
(T
C
,
I
C
)
2/12
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
闭锁电流
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
=3 A
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
2.4
235
33
6.6
21
6
7.6
12
27
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
V
CE
= 480V ，我
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
V
钳
= 480 V
,
TJ = 125°C
R
G
= 10
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A
R
G
= 10 , V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A R
G
=10
V
GE
= 15 V ， TJ = 125°C
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
分钟。
典型值。
5
11
400
77
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
J
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
测试条件
V
cc
= 480 V，I
C
=3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
76
36
53
77
33
110
180
82
58
110
88
165
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 3 A
I
f
= 3 A， TJ = 125°C
I
f
= 3 A，V
R
= 35 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
1.6
1.4
45
70
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
24
2.0
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
3/12
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
对于TO- 220 / D热阻抗
2
PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
集电极 - 发射极电压上与温度
4/12
STGP3NB60HD - STGP3NB60HDFP - STGB3NB60HD
集电极 - 发射极电压上VS Collettor电流
栅极阈值与温度
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
开关损耗总VS栅极电阻
5/12
QQ：2881677436 复制
