STGP20NB60K
N沟道20A - 600V - TO- 220
的PowerMESH IGBT
初步数据
TYPE
STGP20NB60K
s
s
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
V
CE ( SAT )
< 2.8 V
I
C
20 A
高输入阻抗(电压驱动)
低导通压降( V
CESAT
)
低导通损耗
低栅电荷
高电流能力
关损失包括尾电流
甚高频运行
额定短路
锁存电流自由运作
3
1
2
TO-220
描述
内部原理图
使用基于最新的高电压技术
专利带布局,意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭,
的PowerMESH
IGBT的,以优异的
表演。后缀“K”标识系列
高频电机控制而优化
有短路的应用耐受能力。
应用
s
高频电机控制
s
U.P.S.
s
焊接设备
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
s
)
TSC
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续的)在T
C
= 25°C
集电极电流(连续的)在T
C
= 100°C
集电极电流(脉冲)
短路耐受
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
20
±20
40
20
80
10
125
1
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
s
W
W / ℃,
°C
°C
2000年6月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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