STGB10NC60HD - STGF10NC60HD
STGP10NC60HD
N沟道600V - 10A - TO- 220 - D
2
PAK - TO- 220FP
非常快的PowerMESH IGBT
特点
TYPE
STGB10NC60HD
STGP10NC60HD
STGF10NC60HD
■
■
■
V
CES
600V
600V
600V
I
C
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25℃ @ 100℃
＆ LT ; 2.5V
＆ LT ; 2.5V
＆ LT ; 2.5V
10A
10A
6A
3
1
1
2
3
3
1
2
低导通压降（ V
CESAT
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
DPAK
TO-220FP
TO-220
应用
■
■
■
高频电机控制
SMPS和PFC在硬开关和谐振
拓扑结构
电机驱动器
图1 。
内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ H”的标识家庭
对于以高频应用进行了优化
要达到非常高的开关性能
（减少TFALL ）曼塔在荷兰国际集团的低电压降。
表1中。
设备简介
记号
GB10NC60HD
GP10NC60HD
GF10NC60HD
包
DPAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
订购代码
STGB10NC60HD
STGP10NC60HD
STGF10NC60HD
2007年10月
转4
1/17
www.st.com
17
目录
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD - STGF10NC60HD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD - STGF10NC60HD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL(2)
I
F
V
GE
P
合计
V
ISO
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
的TO- 220 / DPAK
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
工作结温
65
--
- 55 150
20
10
40
10
±20
23
2500
600
9
6
TO-220FP
V
A
A
A
A
V
W
V
°C
单位
11.根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2.
V
钳
= 80％ BVces的，环境温度为150° C，R
G
=10, V
GE
=15V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
价值
参数
的TO- 220 / DPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
1.9
62.5
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
单位
3/17
电气特性
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD - STGF10NC60HD
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
BR （CES）上
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
(V
GE
= 0)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
C
= 1毫安
600
1.9
1.7
3.75
2.5
V
V
V
V
A
mA
nA
S
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
g
fs
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15V ，我
C
= 5A
电压
V
GE
= 15V ，我
C
= 5A ， TC = 125°C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V
V
CE
= 15V
,
I
C
= 5A
5.75
150
1
±100
3.5
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
V
CE
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GE
= 0
V
CE
= 390V ，我
C
= 5A,
V
GE
= 15V,
（参见图19）
分钟。
典型值。
365
43
8.3
19.2
4.5
7
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
4/17
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD - STGF10NC60HD
电气特性
表6 。
符号
开启/关闭（感性负载）
参数
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
（参见图18）
（参见图20）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
14.2
5
1000
ns
ns
A / μs的
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
Tj=125°C
（参见图18）
（参见图20）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
14
5
920
ns
ns
A / μs的
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
,
R
GE
= 10
V
GE
= 15V ，T
J
=25°C
（参见图18）
（参见图20）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
27
72
85
ns
ns
ns
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
R
GE
=10 V
GE
=15V,
,
Tj=125°C
（参见图18）
（参见图20）
50
108
139
ns
ns
ns
表7中。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图18）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图18）
分钟。
典型值。
31.8
95
126.8
61.8
173
234.8
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
1.宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路中
图18 。
如果IGBT提供
在一个包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
5/17
STGB10NC60HD
STGP10NC60HD
N沟道600V - 10A - TO- 220 - D
2
PAK
非常快的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGB10NC60HD
STGP10NC60HD
■
■
■
V
CES
600V
600V
I
C
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25℃ @ 100℃
＆ LT ; 2.5V
＆ LT ; 2.5V
10A
10A
3
1
1
2
3
低导通压降（ V
CESAT
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
DPAK
TO-220
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ H”的标识家庭
对于以高频应用进行了优化
要达到非常高的开关性能
（减少TFALL ）曼塔在荷兰国际集团的低电压降。
内部原理图
应用
■
■
■
高频电机控制
SMPS和PFC在硬开关和谐振
拓扑结构
电机驱动器
订购代码
产品型号
STGB10NC60HD
STGP10NC60HD
记号
GB10NC60HD
GP10NC60HD
包
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
2007年2月
REV 3
1/15
www.st.com
15
电气额定值
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL(2)
I
F
V
GE
P
合计
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
- 55 150
工作结温
°C
价值
600
20
10
40
10
±20
60
单位
V
A
A
A
A
V
W
11.根据迭代式计算值::
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2.
V
钳
= 480V ，环境温度为150° C，R
G
=10, V
GE
=15V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
2.08
62.5
单位
° C / W
° C / W
2/15
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
BR （CES）上
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
g
fs
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
分钟。
600
1.9
1.7
3.75
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
nA
S
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15V ，我
C
= 5A
电压
V
GE
= 15V ，我
C
= 5A ， TC = 125°C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0
V
CE
= 15V
,
I
C
= 5A
5.75
150
1
±100
3.5
表4 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
V
CE
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GE
= 0
V
CE
= 390V ，我
C
= 5A,
V
GE
= 15V,
（参见图17）
分钟。
典型值。
365
43
8.3
19.2
4.5
7
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
3/15
电气特性
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V ， TJ =
25°C
（参见图16）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
Tj=125°C
（参见图16）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
,
R
GE
= 10 V
GE
=
15V,T
J
=25°C
（参见图16）
V
cc
= 390V ，我
C
= 5A,
,
R
GE
=10 V
GE
=15V,
Tj=125°C
（参见图16）
分钟。
典型值。
14.2
5
1000
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
14
5
920
ns
ns
A / μs的
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
27
72
85
ns
ns
ns
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
50
108
139
ns
ns
ns
表6 。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
=15V,
Tj=25°C
（参见图16）
V
CC
= 390V ，我
C
= 5A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图16）
分钟。
典型值。
31.8
95
126.8
马克斯。
单位
J
J
J
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
61.8
173
234.8
J
J
J
1.宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
4/15
STGB10NC60HD - STGP10NC60HD
电气特性
表7中。
符号
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
f
= 2.5A
I
f
= 2.5A ， TJ = 125°C
I
f
= 5A ，V
R
= 40V,
TJ = 25 ° C，的di / dt = 100 A / μs的
（参见图19）
I
f
= 5A ，V
R
= 40V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
（参见图19）
分钟。
典型值。
1.75
1.3
21.5
14.2
1.32
33
30.5
1.85
马克斯。
2.1
单位
V
V
ns
nC
A
ns
nC
A
5/15
STGB10NC60HD - STGD10NC60HD
STGF10NC60HD - STGP10NC60HD
600 V - 10 A - 非常快速的IGBT
特点
■
■
■
低导通压降（ V
CE （ SAT ）
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
3
1
2
3
1
DPAK
DPAK
应用
■
■
■
高频电机控制
3
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
1
2
3
1
2
TO-220FP
TO-220
描述
这IGBT运用先进的PowerMESH
结果形成优良的权衡过程
在接通状态下的性能和低之间
行为。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
GB10NC60HD
GD10NC60HD
GF10NC60HD
GP10NC60HD
包
DPAK
磁带和卷轴
DPAK
TO-220FP
管
TO-220
包装
订购代码
STGB10NC60HDT4
STGD10NC60HDT4
STGF10NC60HD
STGP10NC60HD
2008年12月
第5版
1/19
www.st.com
19
目录
STGB10NC60HD ， STGD10NC60HD ， STGF10NC60HD ， STGP10NC60HD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
4.1
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
5
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
STGB10NC60HD ， STGD10NC60HD ， STGF10NC60HD ， STGP10NC60HD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 /
DPAK
单位
DPAK
600
20
10
30
30
±20
10
20
65
62
24
2500
- 55 150
9
6
TO-220FP
V
A
A
A
A
V
A
A
W
V
°C
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL(2)
I
CP(3)
V
GE
I
F
I
FSM
P
合计
V
ISO
T
J
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25 °C
集电极电流（连续）在T
C
= 100 °C
关断电流闭锁
集电极电流脉冲
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25 °C
浪涌不重复正向电流
t
p
= 10 ms的正弦
总功耗在T
C
= 25 °C
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
工作结温
11.根据迭代式计算：
T
j
(
最大
)
–
T
C
I
C
(
T
C
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------------
R
THJ
–
c
×
V
CE
(
SAT
) (
最大
)
(
T
j
(
最大
)
,
I
C
(
T
C
) )
2. V
钳
= 80 % (V
CES
), V
GE
= 15 V ，R
G
= 10
Ω,
T
J
= 150 °C
3.脉冲宽度有限的最高结温允许
表3中。
热阻
价值
符号
参数
DPAK
TO-220
单位
DPAK
2.0
4.5
100
TO-220FP
5.1
7
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件IGBT最大。
R
THJ情况
热阻结案件二极管最大。
R
THJ - AMB
热阻结到环境最大。
1.9
4
62.5
3/19
电气特性
STGB10NC60HD ， STGD10NC60HD ， STGF10NC60HD ， STGP10NC60HD
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） CES
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
(V
GE
= 0)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
C
= 1毫安
600
1.9
1.7
3.75
5.75
150
1
±100
3.5
2.5
V
V
V
V
A
mA
nA
S
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
g
飞秒（1）
V
GE
= 15 V，I
C
= 5 A
集电极 - 发射极饱和
V
GE
= 15 V，I
C
= 5 A,
电压
T
C
= 125 °C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
CE
= 600 V
V
CE
= 600 V ，T
C
= 125 °C
V
GE
= ± 20 V
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 5 A
1，脉冲持续时间= 300
μs,
占空比1.5 ％
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
365
43
8.3
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GE
= 0
V
CE
= 390 V，I
C
= 5 A,
V
GE
= 15 V
（参见图19）
19.2
4.5
7
nC
nC
nC
4/19
STGB10NC60HD ， STGD10NC60HD ， STGF10NC60HD ， STGP10NC60HD
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 5 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
（参见图20）
V
CC
= 390 V，I
C
= 5 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125 °C
（参见图18）
（参见图20）
V
cc
= 390 V，I
C
= 5 A,
R
GE
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V
（参见图18）
（参见图20）
V
cc
= 390 V，I
C
= 5 A,
R
GE
=10
Ω,
V
GE
=15 V,
T
C
= 125 °C
（参见图18）
（参见图20）
分钟。
典型值。
14.2
5
1000
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
14
5
920
ns
ns
A / μs的
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
27
72
85
ns
ns
ns
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
50
108
139
ns
ns
ns
表7中。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 5 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
= 390 V，I
C
= 5 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125 °C
（参见图18）
分钟。
典型值。
31.8
95
126.8
马克斯。
单位
J
J
J
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
61.8
173
234.8
J
J
J
1.宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路中
图18 。
如果IGBT提供
在一个包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
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