STGP10NB60SFP
N沟道10A - 600V - TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP10NB60SFP
s
V
CES
600
V
CE （ SAT ）
< 1.7 V
I
C
10 A
s
s
s
HIGHT输入阻抗（电压
驱动）
低导通压降
高电流能力
关损失包括尾电流
3
1
2
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为低
高频应用（ <1kHz ） 。
TO-220FP
内部原理图
应用
s
调光器
s
静态继电器
s
电机控制
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
n
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
20
± 20
20
10
80
31.5
0.21
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年6月
1/8
STGP10NB60S
STGP10NB60SFP- STGB10NB60S
N沟道10A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK
的PowerMESH IGBT
表1 ：一般特点
TYPE
STGP10NB60S
STGP10NB60SFP
STGB10NB60S
s
图1 ：包装
I
C
@100°C
10 A
10 A
10 A
1
2
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
（最大）
@25°C
< 1.7 V
< 1.7 V
< 1.7 V
3
1
2
3
s
s
s
HIGHT输入阻抗（电压
驱动）
非常低的压降（V
CESAT
)
高电流能力
关损失包括尾电流
TO-220FP
TO-220
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计的IGBT ，所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的，以优异的表演。
后缀“ S”标识系列优化实现
最小导通压降为低频应用程序
阳离子（ <1kHz ） 。
3
1
DPAK
图2 ：内部原理图
应用
s
调光器
s
静态继电器
s
电机控制
表2 ：订购代码
销售类型
STGP10NB60S
STGP10NB60SFP
STGB10NB60ST4
记号
GP10NB60S
GP10NB60SFP
GB10NB60S
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
Rev.2
2005年2月
1/13
STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(1)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续），在25 ℃下
集电极电流（连续）在100℃下
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐电压AC （ T = 1秒，TC = 25 ° C）
储存温度
工作结温
80
0.64
--
- 55 150
价值
TO-220/DPAK
600
20
± 20
20
10
80
25
0.20
2500
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
°C
单位
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温。
表4 ：热数据
分钟。
Rthj情况
热阻结案件
TO-220
DPAK
TO-220FP
Rthj - AMB
T
L
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
（1.6毫米的情况下，为10秒）。
300
典型值。
马克斯。
1.56
5.0
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：关
符号
V
BR （CES）上
V
BR （ ECS ）
I
CES
I
GES
参数
Collectro发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ，V
GE
= 0
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
V
GE
=最大额定值， TC = 25℃
V
CE
=最大额定值， TC = 125°C
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
分钟。
600
20
10
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
表6 ：在
符号
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 5 A,
V
GE
= 15 V，I
C
= 10 A,
V
GE
= 15 V，I
C
= 10 A， TJ = 125°C
分钟。
2.5
1.15
1.35
1.25
典型值。
马克斯。
5
1.7
单位
V
V
V
V
2/13
STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S
电气特性（续）
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
V
CE
= 400 V，I
C
= 10 A,
V
GE
= 15 V
（参见图20）
V
钳
= 480 V
,
TJ = 150℃
R
G
= 1 k
20
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
= 10 A
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
7
610
65
12
33
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
I
CL
闭锁电流
A
表8 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
EON （ 1 ）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A R
G
=1K
V
GE
= 15 V
（参见图18）
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A R
G
=1K
V
GE
= 15 V ， TJ = 125°C
分钟。
典型值。
0.7
0.46
8
0.6
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
mJ
表9 ：关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
电流下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
电流下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 480 V，I
C
= 10 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 125 °C
（参见图18）
测试条件
V
cc
= 480 V，I
C
= 10 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
（参见图18）
分钟。
典型值。
2.2
1.2
1.2
5.0
3.8
1.2
1.9
8.0
马克斯。
单位
s
s
s
mJ
s
s
s
mJ
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
3/13
STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S
图3：输出特性
图6 ：传输特性
图4：跨导
图7 ：集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 ：集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 ：门Thereshold与温度
4/13
STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S
图9 ：电容变化
图12 ：栅极电荷VS栅极 - 射极电压
AGE
图10 ：关断损耗VS栅极电阻
图13 ：关断损耗与温度
图11 ：归击穿电压VS
温度
图14 ：关断损耗VS集电极电流
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STGP10NB60SFP
N沟道10A - 600V - TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP10NB60SFP
s
V
CES
600
V
CE （ SAT ）
< 1.7 V
I
C
10 A
s
s
s
HIGHT输入阻抗（电压
驱动）
低导通压降
高电流能力
关损失包括尾电流
3
1
2
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为低
高频应用（ <1kHz ） 。
TO-220FP
内部原理图
应用
s
调光器
s
静态继电器
s
电机控制
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
n
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
20
± 20
20
10
80
31.5
0.21
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年6月
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STGP10NB60SFP
N沟道10A - 600V - TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP10NB60SFP
s
V
CES
600
V
CE （ SAT ）
< 1.7 V
I
C
10 A
s
s
s
HIGHT输入阻抗（电压
驱动）
低导通压降
高电流能力
关损失包括尾电流
3
1
2
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为低
高频应用（ <1kHz ） 。
TO-220FP
内部原理图
应用
s
调光器
s
静态继电器
s
电机控制
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
n
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
20
± 20
20
10
80
31.5
0.21
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年6月
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QQ：2881677436 复制
