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STGF20NB60S
N沟道13A - 600V TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
表1 :一般特点
TYPE
STGF20NB60S
V
CES
600 V
V
CE ( SAT )
(最大)
@25°C
< 1.7 V
I
C
@100°C
13 A
图1 :包装
低导通压降( V
CESAT
)
HIGHT电流能力
关损失包括尾电流
高输入阻抗(电压
驱动)
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局,意法半导体
设计的IGBT ,所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的,以优异的表演。
后缀“ S”标识系列优化
实现最小导通压降的低音频率
CY应用程序( <1kHz ) 。
3
1
2
TO-220FP
图2 :内部原理图
应用
调光器
静态继电器
电机控制
表2 :订购代码
产品型号
STGF20NB60S
记号
GF20NB60S
TO-220FP
包装
第2版
2005年2月
1/10
STGF20NB60S
表3 :绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续)在T
C
= 25°C (#)
集电极电流(连续)在T
C
= 100°C (#)
集电极电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐压AC ( T = 1秒,TC = 25 ° C)
储存温度
工作结温范围
价值
600
20
±20
24
13
70
40
0.32
2500
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
表4 :热数据
分钟。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
L
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的(1.6毫米
从情况下,持续10秒。 )
300
典型值。
马克斯。
3.15
62.5
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 :开/关
符号
V
BR (CES)上
V
BR ( ECS )
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 250 μA ,V
GE
= 0
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值,T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 20 A, TJ = 25°C
V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 150℃
2.5
1.25
1.2
分钟。
600
20
10
100
±100
5
1.7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
V
V
V
(#)根据迭代公式计算:
T
–T
JMAX
C
-
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
最大
)
C C
2/10
STGF20NB60S
电气特性
(续)
表6 :动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
关断SOA最低
当前
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A,
V
GE
= 15 V
(参见图19)
V
= 480 V
,
TJ = 125°C
R
G
= 100
80
测试条件
V
CE
= 10 V
,
I
C
= 8 A
V
CE
= 25 V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
20
1820
167
27
83
10
27
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
表7 :接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通延迟时间
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V
(参见图17)
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V,
环境温度为125 ℃下(参见图17)
分钟。
典型值。
92
70
340
80
73
320
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
表8 :关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
交叉时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
cc
= 480 V,I
C
= 20 A,
R
G
= 100
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
(参见图17)
测试条件
V
cc
= 480 V,I
C
= 20 A,
R
G
= 100
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
(参见图17)
分钟。
典型值。
1.6
0.78
1.1
0.79
2.4
1.1
2.4
1.2
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
表9 :开关能量
符号
宙(2)
E
关闭
(3)
E
ts
宙(2)
E
关闭
(3)
E
ts
Parameterr
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V,
(参见图18)
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
=15V,Tj=125°C
(参见图18)
分钟。
典型值。
0.84
7.4
8.24
0.86
11.5
12.4
最大
单位
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
(2)宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT都与一个共同包提供一个包
二极管中,共包二极管被用作外部二极管。
( 3 )关断损耗还包括集电极电流的尾部。
3/10
STGF20NB60S
图3:输出特性
图6 :传输特性
图4:跨导
图7 :归集电极 - 发射极上
电压与温度
图5 :集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 :栅极阈值与温度
4/10
STGF20NB60S
图9 :归击穿电压VS
温度
图12 :栅极电荷VS栅极 - 射极电压
AGE
图10 :电容变化
图13 :开关损耗VS栅极电荷
图11 :开关损耗与温度
图14 :开关损耗VS集电极电流
租金
5/10
STGF20NB60S
N沟道13A - 600V TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
表1 :一般特点
TYPE
STGF20NB60S
V
CES
600 V
V
CE ( SAT )
(最大)
@25°C
< 1.7 V
I
C
@100°C
13 A
图1 :包装
低导通压降( V
CESAT
)
HIGHT电流能力
关损失包括尾电流
高输入阻抗(电压
驱动)
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局,意法半导体
设计的IGBT ,所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的,以优异的表演。
后缀“ S”标识系列优化
实现最小导通压降的低音频率
CY应用程序( <1kHz ) 。
3
1
2
TO-220FP
图2 :内部原理图
应用
调光器
静态继电器
电机控制
表2 :订购代码
产品型号
STGF20NB60S
记号
GF20NB60S
TO-220FP
包装
第3版
2005年8月
1/11
STGF20NB60S
表3 :绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续)在T
C
= 25°C (#)
集电极电流(连续)在T
C
= 100°C (#)
集电极电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐压AC ( T = 1秒,TC = 25 ° C)
储存温度
工作结温范围
价值
600
20
±20
24
13
70
40
0.32
2500
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
表4 :热数据
分钟。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
L
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的(1.6毫米
从情况下,持续10秒。 )
300
典型值。
马克斯。
3.15
62.5
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 :开/关
符号
V
BR (CES)上
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 250 μA ,V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值,T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 20 A, TJ = 25°C
V
GE
= 15V ,我
C
= 20A , TJ = 150℃
2.5
1.25
1.2
分钟。
600
10
100
±100
5
1.7
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
V
(#)根据迭代公式计算:
T
–T
JMAX
C
-
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
ESAT
(
最大
)
C C
2/11
STGF20NB60S
电气特性
(续)
表6 :动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
关断SOA最低
当前
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A,
V
GE
= 15 V
(参见图19)
V
= 480 V
,
TJ = 125°C
R
G
= 100
80
测试条件
V
CE
= 10 V
,
I
C
= 8 A
V
CE
= 25 V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
20
1820
167
27
83
10
27
115
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
表7 :接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通延迟时间
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V
(参见图17)
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V,
环境温度为125 ℃下(参见图17)
分钟。
典型值。
92
70
340
80
73
320
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
表8 :关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
交叉时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
V
cc
= 480 V,I
C
= 20 A,
R
G
= 100
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
(参见图17)
测试条件
V
cc
= 480 V,I
C
= 20 A,
R
G
= 100
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
(参见图17)
分钟。
典型值。
1.6
0.78
1.1
0.79
2.4
1.1
2.4
1.2
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
表9 :开关能量
符号
宙(2)
E
关闭
(3)
E
ts
宙(2)
E
关闭
(3)
E
ts
Parameterr
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
= 15V,
(参见图18)
V
CC
= 480 V,I
C
= 20 A
R
G
= 100
,
V
GE
=15V,Tj=125°C
(参见图18)
分钟。
典型值。
0.84
7.4
8.24
0.86
11.5
12.4
最大
单位
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
(2)宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT都与一个共同包提供一个包
二极管中,共包二极管被用作外部二极管。
( 3 )关断损耗还包括集电极电流的尾部。
3/11
STGF20NB60S
图3:输出特性
图6 :传输特性
图4:跨导
图7 :归集电极 - 发射极上
电压与温度
图5 :集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 :栅极阈值与温度
4/11
STGF20NB60S
图9 :归击穿电压VS
温度
图12 :栅极电荷VS栅极 - 射极电压
AGE
图10 :电容变化
图13 :开关损耗VS栅极电荷
图11 :开关损耗与温度
图14 :开关损耗VS集电极电流
租金
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STGF20NB60S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
STGF20NB60S
ST
15+
9000
TO-220
原装现货真实
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
STGF20NB60S
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24+
10000
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原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STGF20NB60S
ST
2443+
23000
TO220ISOFULL
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
STGF20NB60S
STMicroelectronics
24+
3769
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
STGF20NB60S
STM
24+
1675
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电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
STGF20NB60S
STM
13+
700
标准封装
全新原装热卖
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
STGF20NB60S
ST/意法
22+
99985
TO220ISOFULLPACK
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STGF20NB60S
ST
2024
20970
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STGF20NB60S
ST
21+
3555
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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