STGF10NB60SD
N沟道10A - 600V TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGF10NB60SD
s
V
CES
600
V
CE （ SAT ）（最大）
@25°C
< 1.8 V
I
C
@100°C
10 A
s
s
s
s
HIGHT输入阻抗（电压
驱动）
低导通压降
高电流能力
关损失包括尾电流
CO-打包带TURBOSWITCH
反并联二极管
3
1
2
TO-220FP
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为低
高频应用（ <1kHz ） 。
应用
s
调光器
s
静态继电器
s
电机控制
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
q
)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐电压AC （ T = 1秒TC = 25 ° C）
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
20
± 20
20
10
80
25
0.2
2500
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年6月
1/8
STGF10NB60SD
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
0.7
0.46
8
0.6
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
mJ
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
下降时间
关断开关损耗
V
钳
= 480 V，I
C
= 10 A,
R
GE
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
测试条件
V
钳
= 480 V，I
C
= 10 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
2.2
1.2
1.2
5.0
3.8
1.2
1.9
8.0
马克斯。
单位
s
s
s
mJ
s
s
s
mJ
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 3.5 A
I
f
= 3.5 A， TJ = 125°C
I
f
= 7 A，V
R
= 20 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
1.4
1.15
50
70
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7
56
1.9
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
（ Q）脉冲：脉冲宽度= 300
S，占空比为1.5％ 。
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失也包括尾
关闭安全工作区
热阻抗
3/8
STGF10NB60SD
N沟道10A - 600V - TO- 220FP
的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGF10NB60SD
■
■
■
■
V
CES
600V
I
C
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25℃ @ 100℃
<1.8V
7A
海特输入阻抗（电压驱动）
低导通压降
高电流能力
联合打包带TURBOSWITCH 反平行
二极管
3
1
2
TO-220FP
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH IGBT的，以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为
低频应用（ <1kHz ） 。
内部原理图
应用
■
■
■
调光器
静态继电器
电机控制
订购代码
产品型号
STGF10NB60SD
记号
GF10NB60SD
包
TO-220FP
包装
管
2006年5月
REV 2
1/13
www.st.com
13
目录
STGF10NB60SD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STGF10NB60SD
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C
I
C
I
CM （1）
V
GE
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续），在25 ℃下
集电极电流（连续）在100℃下
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
绝缘耐压AC （ T = 1秒TC = 25 ° C）
工作结温
- 55 150
储存温度
°C
价值
600
20
7
100
± 20
25
2500
单位
V
A
A
A
V
W
V
1.脉冲宽度有限的最大。结温。
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
5
62.5
单位
° C / W
° C / W
3/13
STGF10NB60SD
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
E
为ON（1 ）
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(2)
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关断的开关损耗
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关断的开关损耗
试验性条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V
TJ = 25°C
（参见图15）
分钟。
典型值。
0.7
0.46
8
0.6
2.2
1.2
1.2
5.0
3.8
1.2
1.9
8.0
MAX 。 UNIT
s
s
A / μs的
mJ
s
s
s
mJ
s
s
s
mJ
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 15
T
J
=25°C
（参见图15）
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关（ 2）
V
CC
= 480 V，I
C
= 10 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 15
TJ = 125°C
（参见图15）
1.宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路在图2中宙包括二极管
回收的能量。如果IGBT提供一个包与助巴二极管，共包二极管用作
外部二极管。的IGBT &二极管是在同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
表6 。
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 3.5 A
I
f
= 3.5 A， TJ = 125°C
I
f
= 7 A，V
R
= 20 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
（参见图18）
1.4
1.15
50
70
2.7
试验性条件
民
典型值。
最大
7
56
1.9
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
5/13
QQ：2881677436 复制
