STGD7NB120S-1
N沟道7A - 1200V - IPAK
的PowerMESH IGBT
初步数据
TYPE
STGD7NB120S-1
s
s
s
s
V
CES
1200 V
V
CE ( SAT )
< 2.1 V
I
C
7A
高输入阻抗(电压驱动)
非常低的压降(V
CESAT
)
关损失包括尾电流
高电流能力
3
2
1
描述
IPAK
使用基于最新的高电压技术
专利带布局,意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭,
的PowerMESH
IGBT的,以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为低
高频应用( <1kHz ) 。
内部原理图
应用
s
电机控制
s
调光器
s
INTRUSH电流限制
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
s
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续的)在T
C
= 25°C
集电极电流(连续的)在T
C
= 100°C
集电极电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
1200
20
±20
10
7
20
55
0.4
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
(
q
)脉冲宽度有限的安全工作区
2000年8月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
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STGD7NB120S-1
电气特性
(续)
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 960 V,I
C
= 7 A,
R
GE
= 1KΩ ,V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
V
cc
= 960 V,I
C
= 7 A,
R
GE
= 1KΩ ,V
GE
= 15 V
测试条件
分钟。
典型值。
4.9
2.9
3.3
15
7.5
5.5
6.2
22
马克斯。
单位
s
s
s
m
J
s
s
s
m
J
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
( ** )的损失也包括尾(JEDEC标准)
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