添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第979页 > STGD7NB120S-1
STGD7NB120S-1
N沟道7A - 1200V - IPAK
的PowerMESH IGBT
初步数据
TYPE
STGD7NB120S-1
s
s
s
s
V
CES
1200 V
V
CE ( SAT )
< 2.1 V
I
C
7A
高输入阻抗(电压驱动)
非常低的压降(V
CESAT
)
关损失包括尾电流
高电流能力
3
2
1
描述
IPAK
使用基于最新的高电压技术
专利带布局,意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭,
的PowerMESH
IGBT的,以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化的实现最小导通压降为低
高频应用( <1kHz ) 。
内部原理图
应用
s
电机控制
s
调光器
s
INTRUSH电流限制
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
s
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续的)在T
C
= 25°C
集电极电流(连续的)在T
C
= 100°C
集电极电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
1200
20
±20
10
7
20
55
0.4
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
°C
°C
(
q
)脉冲宽度有限的安全工作区
2000年8月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
1/6
STGD7NB120S-1
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthc小时
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻案例散热器典型值
2.27
100
0.5
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
( TCASE = 25°C除非另有说明)
关闭
符号
V
BR (CES)上
V
BR ( ECR )
I
CES
I
GES
参数
Collectro发射极击穿
电压
发射极击穿Collectro
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ,V
GE
= 0
I
C
= 10毫安,V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值,T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
分钟。
1200
20
50
250
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
为ON(1 )
符号
V
GE (日)
V
GE
参数
栅极阈值电压
门极电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 2.5V ,我
C
= 2A,
TJ = 25 ÷ 125°C
V
GE
= 15V ,我
C
= 3.5 A
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压
V
GE
= 15V ,我
C
= 7 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 10 A
1.7
分钟。
3
典型值。
马克斯。
5
6.5
1.6
2.1
单位
V
V
V
V
动态
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
栅极电荷
闭锁电流
V
CE
= 960V ,我
C
= 7 A,
V
GE
= 15V
V
= 960V , TJ = 150℃
R
G
= 1K
10
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
=7 A
分钟。
2.5
典型值。
4.5
430
40
7
29
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
A
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 960 V,I
C
= 7 A
R
G
= 1KΩ ,V
GE
= 15 V
V
CC
= 960 V,I
C
= 7 A,R
G
=1K
V
GE
= 15 V , TJ = 125°C
分钟。
典型值。
570
270
800
3.2
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
J
2/6
STGD7NB120S-1
电气特性
(续)
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 960 V,I
C
= 7 A,
R
GE
= 1KΩ ,V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
V
cc
= 960 V,I
C
= 7 A,
R
GE
= 1KΩ ,V
GE
= 15 V
测试条件
分钟。
典型值。
4.9
2.9
3.3
15
7.5
5.5
6.2
22
马克斯。
单位
s
s
s
m
J
s
s
s
m
J
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
( ** )的损失也包括尾(JEDEC标准)
3/6
STGD7NB120S-1
图。 1 :
栅极电荷测试电路
图。 2 :
测试电路感应负载开关
4/6
STGD7NB120S-1
TO- 251 ( IPAK )机械数据
DIM 。
分钟。
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
0.8
0.3
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
0.031
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
mm
典型值。
马克斯。
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
0.012
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.039
分钟。
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
典型值。
马克斯。
0.094
0.043
0.051
0.031
0.212
0.033
H
A
C
C2
L2
D
B3
B6
A1
L
=
=
3
B5
B
A3
=
B2
=
G
=
E
L1
1
2
=
0068771-E
5/6
STGD7NB120S-1
N沟道7A - 1200V IPAK
电源MESH IGBT
初步数据
牛逼YPE
STGD7NB120S-1
s
V
CES
1200 V
V
CE ( SAT )
< 2.1 V
I
C
7 A
s
s
s
高输入阻抗
(电压驱动)
非常低的压降(V
CESAT
)
高电流能力
关损失包括尾电流
描述
使用基于最新的高电压技术
上专利带布局,意法半导体
设计了一个IGBT的一种先进的家庭,
的PowerMESH
IGBT的,
优秀
perfomances 。后缀“ S”的标识家庭
优化以达到最小导通压降
对于低频应用( <1kHz ) 。
应用
s
调光器
s
浪涌电流限制
s
电机控制
3
2
1
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
内部原理图
绝对最大额定值
SYMB OL
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
()
P
合计
T
s TG
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
反向电池保护
摹吃了发射极电压
集电极电流(连续)在T
c
= 25
o
C
集电极电流(连续)在T
c
= 100 C
集电极电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25
o
C
降额因子
存储牛逼emperature
马克斯。工作结温
o
价值
1200
20
±
20
10
7
20
55
0.4
-65到150
150
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2000年4月
1/6
STGD7NB120S-1
热数据
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大
最大
牛逼YP
2.27
100
1.5
o
o
C / W
C / W
o
C / W
电气特性
(T
j
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
Symbo升
V
BR (CES)上
V
BR ( ECR )
I
CES
I
GES
参数
集电极 - Emitt儿
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
测试刀豆ditions
I
C
= 250
A
IC = 10毫安
V
GE
= 0
V
GE
= 0
T
j
= 25
o
C
o
T
j
= 125 C
V
CE
= 0
分钟。
1200
20
250
1000
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
V
CE
=最大额定值
V
CE
= 0.8最高评级
V
GE
=
±
20 V
开( *)
Symbo升
V
GE (日)
V
GE
V
CE (SAT)
参数
栅极阈值
电压
门极电压
集电极 - Emitt儿
饱和电压
V
CE
= V
GE
V
CE
= 2.5V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
测试刀豆ditions
I
C
= 250
A
I
C
= 2A牛逼
j
=25
÷125
o
C
I
C
= 3.5 A
I
C
= 7 A
I
C
= 10 A
分钟。
3
典型值。
马克斯。
5
6.5
1.6
2.1
1.7
单位
V
V
V
V
V
动态
Symbo升
g
F小号
C
我ES
C
ES
C
水库
Q
G
I
CL
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
栅极电荷
闭锁电流
测试刀豆ditions
V
CE
=25 V
V
CE
= 25 V
I
C
= 7 A
F = 1 MHz的
V
GE
= 0
分钟。
2.5
典型值。
4.5
430
40
7
29
10
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
A
V
CE
= 960 V
V
= 960 V
T
j
= 150
o
C
I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V
R
G
=1k
接通
Symbo升
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
E
0:N
参数
延迟时间
上升时间
导通电流斜率
开启
开关损耗
测试刀豆ditions
V
CC
= 960 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 960 V
R
G
= 1 K
T
j
= 125
o
C
I
C
= 7 A
R
G
= 1 K
I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
570
270
800
3.2
马克斯。
单位
ns
ns
A/
s
mJ
2/6
STGD7NB120S-1
电气特性
(续)
关闭
Symbo升
t
c
t
r
(v
关闭
)
t
f
E
FF
(**)
t
c
t
r
(v
关闭
)
t
f
E
FF
(**)
参数
测试刀豆ditions
I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
4.9
2.9
3.3
15
7.5
5.5
6.2
22
马克斯。
单位
s
s
s
mJ
s
s
s
mJ
跨-O版本时间
V
CC
= 960 V
关闭电压上升时间R
GE
= 1000
秋季牛逼IME
关断开关损耗
跨-O版本时间
V
CC
= 960 V
关闭电压上升时间R
GE
= 1000
秋季牛逼IME
T
j
= 125
o
C
关断开关损耗
I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V
( )脉冲宽度有限的安全工作区
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( ** )的损失也包括尾(JEDEC标准)
3/6
STGD7NB120S-1
关闭安全区操作系
图。 1 :
栅极电荷测试电路
图。 2 :
测试电路感应负载开关
图。 3 :
开关波形
4/6
STGD7NB120S-1
TO- 251 ( IPAK )机械数据
DIM 。
分钟。
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
0.8
0.3
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
0.031
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
mm
典型值。
马克斯。
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
0.012
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.039
分钟。
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
典型值。
马克斯。
0.094
0.043
0.051
0.031
0.212
0.033
H
C
A
C2
L2
D
B3
B6
A1
L
=
=
3
B5
B
A3
=
B2
=
G
=
E
L1
1
2
=
0068771-E
5/6
查看更多STGD7NB120S-1PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STGD7NB120S-1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
STGD7NB120S-1
STMicroelectronics
24+
10000
TO-251(IPAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STGD7NB120S-1
ST
2443+
23000
IPAKTO-251
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
STGD7NB120S-1
STMicroelectronics
24+
3769
TO-251(IPAK)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
STGD7NB120S-1
ST/意法
22+
23010
IPAKTO-251
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
STGD7NB120S-1
ST
2024
18985
IPAKTO-251
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
STGD7NB120S-1
ST
21+
78000
IPAK TO-251
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
STGD7NB120S-1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8539
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
STGD7NB120S-1
ST
22+
3500
IPAK TO-251
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885134554 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885134398 复制

电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
STGD7NB120S-1
ST
2116+
52000
IPAK TO-251
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
STGD7NB120S-1
STMicroelectronics
㊣10/11+
9159
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多STGD7NB120S-1供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!