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STGD3NB60KD
N沟道6A - 600V - DPAK
防短路的PowerMESH IGBT
TYPE
STGD3NB60KD
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
V
CE ( SAT )(最大)
@25°C
< 2.8 V
I
C
(#)
@100°C
6A
高输入阻抗(电压驱动)
低栅电荷
关损失包括尾电流
高频率运行
额定短路
锁存电流自由运作
CO-打包带TURBOSWITCH
反并联二极管
3
1
DPAK
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局,意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭,
的PowerMESH
IGBT的,以优异的
表演。后缀“K”标识系列
高频电机控制而优化
有短路的应用耐受能力。
应用
s
高频电机控制
s
SMPS和PFC
内部原理图
订购信息
销售类型
STGD3NB60KDT4
记号
GD3NB60KD
DPAK
包装
磁带&卷轴
2003年9月
1/10
STGD3NB60KD
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
TSC
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续)在T
C
= 25°C(#)
集电极电流(连续)在T
C
= 100°C(#)
集电极电流(脉冲)
短路耐受
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
工作结温
价值
600
20
±20
10
6
24
10
50
0.4
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
s
W
W / ℃,
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
2.5
100
° C / W
° C / W
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
关闭
符号
V
BR (CES)上
I
CES
I
GES
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ,V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值,T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
分钟。
600
50
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON(1 )
符号
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 3 A
V
GE
= 15V ,我
C
= 3 A, TJ = 125°C
分钟。
5
2.4
1.9
典型值。
马克斯。
7
2.8
单位
V
V
V
(#)根据迭代公式计算:
T
j max的情况
– T
C
-
I
C
(
T
C
)
= -------------------------------------------------------------------------------------
R
THJ - C
×
V
CESAT
(
最大
)
(T
C
,
I
C
)
2/10
STGD3NB60KD
电气特性
(续)
动态
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
TSCW
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
短路承受时间
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
=3 A
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
2.4
220
50
5.6
14
3.3
8
10
19
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
V
CE
= 480V ,我
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
V
ce
= 0.5 BVces ,V
GE
= 15 V,
TJ = 125°C ,R
G
= 10
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 3 A
R
G
= 10 , V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V,I
C
= 7 A,R
G
=10
V
GE
= 15 V , TJ = 125°C
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
分钟。
典型值。
13.5
4.5
500
30
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
J
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
V
cc
= 480 V,I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
测试条件
V
cc
= 480 V,I
C
=3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
86
20
32
85
50
78
190
55
90
130
110
140
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
( ** )的损失也包括尾(JEDEC标准)
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 1.5 A
I
f
= 1.5 A, TJ = 125°C
I
f
= 1.5 A,V
R
= 35 V,
TJ = 125°C ,的di / dt = 100 A / μs的
1.6
1.3
95
110
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
12
2.1
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
3/10
STGD3NB60KD
热阻抗
输出特性
传输特性
集电极 - 发射极电压上与温度
4/10
STGD3NB60KD
集电极 - 发射极电压上VS Collettor电流
栅极阈值与温度
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
开关损耗总VS栅极电阻
5/10
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联系人:刘先生
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