STGB14NC60KD
STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
14 A - 600 V - 短路崎岖IGBT
特点
■
■
■
■
■
低导通压降（ V
CE （ SAT ）
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
开关损耗包括二极管恢复
能源
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
短路承受时间为10μs 。
2
3
1
1
2
3
DPAK
TO-220
3
应用
■
■
■
1
2
高频逆变器
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
图1 。
TO-220FP
内部原理图
描述
这IGBT运用先进的PowerMESH
结果形成优良的权衡过程
在接通状态下的性能和低之间
行为。
表1中。
设备简介
记号
GB14NC60KD
GF14NC60KD
GP14NC60KD
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
管
订购代码
STGB14NC60KDT4
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
2008年4月
REV 6
1/16
www.st.com
16
目录
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/16
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL （2）
I
CP （3）
V
GE
I
F
I
FSM
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 / DPAK TO- 220FP
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25 °C
集电极电流（连续）在T
C
= 100 °C
关断电流闭锁
集电极电流脉冲
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25 °C
浪涌不重复正向电流T
p
= 10毫秒
正弦
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器HEA
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
总功耗在T
C
= 25 °C
短路承受时间，V
CE
= 0.5V
BR （CES）上
,
T
C
= 125 ° C，R
G
= 10
,
V
GE
= 12 V
工作结温
--
80
10
- 55 150
25
14
50
50
±20
20
55
600
11
7
V
A
A
A
A
V
A
A
单位
V
ISO
P
合计
t
SCW
T
j
1.
2500
28
V
W
s
°C
根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2. VCLAMP = 80％的V
CES
, T
j
= 150℃ ，R
G
=10
,
V
GE
=15 V
3.
脉冲宽度有限的最大值。结温允许
表3中。
符号
热阻
价值
参数
的TO-220 / DPAK TO- 220FP
1.56
2.2
62.5
4.5
5.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ情况
热阻结案件最大的二极管
R
THJ - AMB
热阻结到环境最大
3/16
电气特性
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
BR （CES）上
I
GES
I
CES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
g
飞秒（1）
STATIC
参数
测试条件
分钟。
600
±100
150
1
4.5
2.1
1.8
3.2
6.5
2.5
典型值。马克斯。单位
V
nA
A
mA
V
V
V
S
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 1毫安
电压（V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
正向跨导
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 600 V
V
CE
= 600 V ，T
C
= 125 °C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 7 A，T
C
= 125 °C
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
1.脉冲：脉冲宽度=
300
微秒，占空比1.5 ％
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
760
86
15.5
34.4
8.1
16.4
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
V
CE
=
390
V，I
C
= 7 A,
V
GE
= 15 V
（参见图19）
4/16
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125 °C
（参见图18）
V
cc
=
390
V，I
C
= 7 A,
,
R
GE
= 10
V
GE
= 15 V
（参见图18）
V
cc
=
390
V，I
C
= 7 A,
,
R
GE
= 10
V
GE
= 15 V
T
C
= 125 °C
（参见图18）
分钟。
典型值。
22.5
8.5
700
22
9.5
680
60
116
75
24
196
144
MAX 。 UNIT
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125 °C
（参见图18）
民
典型值。
82
155
237
131
370
501
最大
单位
J
J
J
J
J
J
1.宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路。如果IGBT提供一个包
与助包二极管，共包二极管被用作外部二极管。 IGBT和二极管是在同一
温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾部。
表8 。
符号
V
F
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
F
= 7 A
I
F
= 7 A，T
C
= 125 °C
I
F
= 7 A，V
R
= 40 V,
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图21）
I
F
= 7 A，V
R
= 40 V,
T
C
= 125 °C,
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图21）
民
典型值。
1.8
1.3
37
40
2.1
61
98
3.2
最大
2.1
单位
V
V
ns
nC
A
ns
nC
A
5/16
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
N沟道14A - 600V - TO- 220 - TO- 220FP - D
2
PAK
额定短路的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
■
■
■
■
■
V
CES
600V
600V
600V
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25°C
<2.5V
<2.5V
<2.5V
I
C
@100°C
3
14A
7A
14A
1
1
3
2
TO-263
TO-220
低导通压降（ VCESAT ）
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
开关损耗包括二极管恢复
能源
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
短路承受时间为10μs
3
1
2
TO-220FP
内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，电源
MESH IGBT的，以优异的表演。
后缀“K”标识系列高优化
变频电机控制应用的短
电路的承受能力。
应用
■
■
■
高频逆变器
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
订购代码
产品型号
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
记号
GB14NC60KD
GF14NC60KD
GP14NC60KD
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年4月
REV 2
1/17
www.st.com
17
目录
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CM（2 ）
V
GE
I
F
V
ISO
t
SCW
T
英镑
T
j
1.
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 / DPAK TO- 220FP
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
绝缘耐压AC （ T = 1秒TC = 25 ° C）
短路承受时间，V
CE
= 0.5V
BR （CES）上
,
TJ = 125°C ，R
G
= 10, V
GE
= 12V
储存温度
- 55 150
工作结温
°C
--
10
25
14
50
±20
20
2500
600
11
7
V
A
A
A
V
A
V
s
单位
根据迭代式计算：
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= ---------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
2.脉冲宽度有限的最高结温。
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
L
热阻
价值
参数
的TO-220 / DPAK TO- 220FP
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
（ 1.6毫米的情况下，为10秒。 ）
1.56
62.5
300
5.6
° C / W
° C / W
°C
单位
3/17
电气特性
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
BR （CES）上
I
GES
I
CES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
g
飞秒（1）
STATIC
参数
试验性条件
分钟。
600
150
1
±100
4.5
2.0
1.8
3
6.5
2.5
典型值。
MAX 。 UNIT
V
A
mA
nA
V
V
V
S
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
栅极阈值电压
集电极 - 射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7A ， TC = 125°C
V
CE
= 15V
,
I
C
= 7A
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表4 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
试验性条件
分钟。
典型值。
760
86
15.5
34.4
8.1
16.4
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
V
CE
= 390V ，我
C
= 7A,
V
GE
= 15V
（参见图18）
4/17
STGB14NC60KD - STGF14NC60KD - STGP14NC60KD
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
试验性条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 7A
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
TJ = 25 ° C（见
图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 7A
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图17）
V
cc
= 390V ，我
C
= 7A,
R
GE
= 10 , V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
（参见图17）
V
cc
= 390V ，我
C
= 7A,
R
GE
= 10 , V
GE
= 15V
TJ = 125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
22.5
8.5
700
22
9.5
680
60
116
75
24
196
144
MAX 。 UNIT
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
试验性条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 7A
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 7A
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图17）
民
典型值。
82
155
237
131
370
501
最大
单位
J
J
J
J
J
J
1.宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT是提供在
一包与助包二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾部。
5/17
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD
STGB14NC60KD
N沟道14A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
额定短路的PowerMESH IGBT
表1 ：一般特点
TYPE
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
■
■
■
■
图1 ：包装
I
C
(#)
@100°C
14 A
7A
14 A
3
1
2
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
（最大）
@25°C
< 2.5 V
< 2.5 V
< 2.5 V
■
■
更低的导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
LOWER
水库
/ C
IES
比
切换损失包括二极管
能量回收
非常软超快速恢复
反并联二极管
全新一代产品
更严格的参数DISTRUBUTION
3
1
2
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
图2 ：内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计的IGBT ，所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的，以优异的表演。
后缀“K”标识系列高优化
变频电机控制应用的短税务局局长
CUIT承受能力。
应用
■
高频逆变器
■
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
■
电机驱动器
表2 ：订购代码
销售类型
STGB14NC60KDT4
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
记号
GB14NC60KD
GF14NC60KD
GP14NC60KD
包
D
2
PAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
Rev.2
2005年7月
1/14
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
价值
STGB14NC60KD
STGP14NC60KD
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
I
F
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C (#)
集电极电流（脉冲）
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐电压AC （ T = 1秒TC = 25 ° C）
储存温度
工作结温
80
0.64
--
- 55 150
25
14
50
20
25
0.20
2500
600
20
±20
11
7
STGF14NC60KD
V
V
V
A
A
A
A
W
W / ℃，
V
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的最高结温。
表4 ：热数据
分钟。
Rthj外壳热阻结案件
TO-220
DPAK
TO-220FP
Rthj - AMB
T
L
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的
目的（1.6毫米的情况下，为10秒）。
300
典型值。
马克斯。
1.56
5.0
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：主要技术参数
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 1毫安， V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7A ， TC = 125°C
5
2.0
1.8
分钟。
600
10
1
±100
7
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mA
nA
V
V
V
（＃）根据迭代公式计算：
T
–T
JMAX
C
-
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
最大
)
C C
2/14
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
电气特性（续）
表6 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
SCW
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
短路承受时间
V
CE
= 390 V，I
C
= 7 A,
V
GE
= 15 V
（参见图21）
V
CE
= 0.5 V
BR （CES）上
,T
j
= 125°C,
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 12 V
10
测试条件
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
3
760
86
15.5
34.4
8.1
16.4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图19）
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
22.5
8.5
700
22
9.5
680
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
表8 ：关闭
符号
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
参数
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
cc
= 390 V，I
C
= 7 A,
R
GE
= 10
Ω
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
（参见图19）
V
cc
= 390 V，I
C
= 7 A,
R
GE
= 10
Ω
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
60
116
75
24
196
144
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表9 ：开关能量
符号
宙（2）
E
关闭
(3)
E
ts
宙（2）
E
关闭
(3)
E
ts
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图19）
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
82
155
237
131
370
501
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
（2）宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT提供一个包与助包二极管
共包二极管用作外部二极管。的IGBT &二极管是在同一温度（ 25℃和125 ℃）下
（ 3 ）关断损耗还包括集电极电流的尾部。
3/14
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
表10 ：集电极 - 发射极二极管
符号
参数
测试Condiction
分钟。
典型值。
马克斯。
1.9
单位
V
f
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
IF = 3.5 A
如果= 3.5 A， TJ = 125°C
IF = 7 A，V
R
= 40 V,
T
j
= 25 ° C，的di / dt = 100 A / μs的
1.3
1.1
37
22
40
2.1
0.68
61
34
98
3.2
0.79
V
V
ns
ns
nC
A
ns
ns
nC
A
IF = 7 A，V
R
= 40 V,
T
j
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
4/14
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
图3：输出特性
图6 ：传输特性
图4：跨导
图7 ：集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 ：集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 ：归栅极阈值VS温
perature
5/14
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD ， STGP14NC60KD
14 A， 600 V - 短路崎岖IGBT
特点
■
■
■
■
■
TAB
2
TAB
短路承受时间为10μs 。
低导通压降（ V
CE （ SAT ）
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
开关损耗包括二极管恢复
能源
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
3
1
1
2
3
DPAK
TO-220
3
应用
■
■
■
1
2
高频逆变器
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
图1 。
TO-220FP
内部原理图
描述
这IGBT运用先进的PowerMESH
结果形成优良的权衡过程
在接通状态下的性能和低之间
行为。
表1中。
设备简介
记号
GB14NC60KD
GF14NC60KD
GP14NC60KD
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
管
订购代码
STGB14NC60KDT4
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
2010年3月
文档ID 11424第七版
1/16
www.st.com
16
目录
STGB14NC60KD ， STGF14NC60KD ， STGP14NC60KD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
文档ID 11424第七版
STGB14NC60KD ， STGF14NC60KD ， STGP14NC60KD
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CL （2）
I
CP （3）
V
GE
I
F
I
FSM
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 / DPAK TO- 220FP
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0)
连续集电极电流在T
C
= 25 °C
连续集电极电流在T
C
= 100 °C
关断电流闭锁
集电极电流脉冲
栅极 - 发射极电压
RMS二极管正向电流在T
C
= 25 °C
浪涌不重复正向电流T
p
= 10毫秒
正弦
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器HEA
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
总功耗在T
C
= 25 °C
短路承受时间，V
CE
= 0.5V
BR （CES）上
,
T
C
= 125 ° C，R
G
= 10
,
V
GE
= 12 V
工作结温
--
80
10
- 55 150
25
14
50
50
±20
20
55
600
11
7
V
A
A
A
A
V
A
A
单位
V
ISO
P
合计
t
SCW
T
j
1.
2500
28
V
W
s
°C
根据迭代式计算
T
j
(
最大
)
–
T
C
-
I
C
(
T
C
)
= ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
R
THJ
–
c
×
V
CE
(
SAT
) (
最大
)
(
T
j
(
最大
)
,
I
C
(
T
C
) )
2. VCLAMP = 80％的V
CES
, T
j
= 150℃ ，R
G
=10
,
V
GE
=15 V
3.
脉冲宽度有限的最高结温关断内RBSOA
表3中。
符号
热数据
价值
参数
的TO-220 / DPAK TO- 220FP
1.56
2.2
62.5
4.5
5.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
THJ情况
热阻结案件IGBT
R
THJ情况
热阻结案件二极管
R
THJ - AMB
热阻结到环境
文档ID 11424第七版
3/16
电气特性
STGB14NC60KD ， STGF14NC60KD ， STGP14NC60KD
2
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） CES
I
GES
I
CES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
g
飞秒（1）
STATIC
参数
测试条件
分钟。
600
±100
150
1
4.5
2.1
1.8
3.2
6.5
2.5
典型值。马克斯。单位
V
nA
A
mA
V
V
V
S
集电极 - 发射极击穿
I
C
= 1毫安
电压（V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
正向跨导
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 600 V
V
CE
= 600 V ，T
j
= 125 °C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 7 A
V
GE
= 15 V，I
C
= 7 A，T
j
= 125 °C
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
1.脉冲：脉冲宽度=
300
微秒，占空比1.5 ％
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
分钟。
典型值。
760
86
15.5
34.4
8.1
16.4
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
-
-
V
CE
=
390
V，I
C
= 7 A,
V
GE
= 15 V
（参见图19）
-
-
4/16
文档ID 11424第七版
STGB14NC60KD ， STGF14NC60KD ， STGP14NC60KD
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
T
j
= 125 °C
（参见图18）
V
cc
=
390
V，I
C
= 7 A,
,
R
GE
= 10
V
GE
= 15 V
（参见图18）
V
cc
=
390
V，I
C
= 7 A,
,
R
GE
= 10
V
GE
= 15 V
T
j
= 125 °C
（参见图18）
分钟。
典型值。
22.5
8.5
700
22
9.5
680
60
116
75
24
196
144
MAX 。 UNIT
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
-
-
表7中。
符号
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
宙
(1)
E
关（ 2）
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
,
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
（参见图18）
V
CC
=
390
V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
V
GE
= 15 V,
,
T
j
= 125 °C
（参见图18）
民
典型值。
82
155
237
131
370
501
最大
单位
J
J
J
J
J
J
-
-
-
-
1.宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路。如果IGBT提供一个包
与助包二极管，共包二极管被用作外部二极管。 IGBT和二极管是在同一
温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾部。
表8 。
符号
V
F
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
集电极 - 发射极二极管
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
F
= 7 A
I
F
= 7 A，T
C
= 125 °C
I
F
= 7 A，V
R
= 40 V,
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图21）
I
F
= 7 A，V
R
= 40 V,
T
j
= 125 °C,
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图21）
民
典型值。
1.8
1.3
37
40
2.1
61
98
3.2
最大
2.1
单位
V
V
ns
nC
A
ns
nC
A
文档ID 11424第七版
5/16
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD
STGB14NC60KD
N沟道14A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
额定短路的PowerMESH IGBT
表1 ：一般特点
TYPE
STGB14NC60KD
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
■
■
■
■
图1 ：包装
I
C
(#)
@100°C
14 A
7A
14 A
3
1
2
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
（最大）
@25°C
< 2.5 V
< 2.5 V
< 2.5 V
■
■
更低的导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
LOWER
水库
/ C
IES
比
切换损失包括二极管
能量回收
非常软超快速恢复
反并联二极管
全新一代产品
更严格的参数DISTRUBUTION
3
1
2
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
图2 ：内部原理图
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计的IGBT ，所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的，以优异的表演。
后缀“K”标识系列高优化
变频电机控制应用的短税务局局长
CUIT承受能力。
应用
■
高频逆变器
■
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
■
电机驱动器
表2 ：订购代码
销售类型
STGB14NC60KDT4
STGF14NC60KD
STGP14NC60KD
记号
GB14NC60KD
GF14NC60KD
GP14NC60KD
包
D
2
PAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
Rev.2
2005年7月
1/14
STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
价值
STGB14NC60KD
STGP14NC60KD
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
I
F
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C (#)
集电极电流（脉冲）
RMS二极管正向电流在T
C
= 25°C
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐电压AC （ T = 1秒TC = 25 ° C）
储存温度
工作结温
80
0.64
--
- 55 150
25
14
50
20
25
0.20
2500
600
20
±20
11
7
STGF14NC60KD
V
V
V
A
A
A
A
W
W / ℃，
V
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的最高结温。
表4 ：热数据
分钟。
Rthj外壳热阻结案件
TO-220
DPAK
TO-220FP
Rthj - AMB
T
L
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的
目的（1.6毫米的情况下，为10秒）。
300
典型值。
马克斯。
1.56
5.0
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：主要技术参数
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 1毫安， V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7A ， TC = 125°C
5
2.0
1.8
分钟。
600
10
1
±100
7
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mA
nA
V
V
V
（＃）根据迭代公式计算：
T
–T
JMAX
C
-
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
最大
)
C C
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STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
电气特性（续）
表6 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
SCW
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
短路承受时间
V
CE
= 390 V，I
C
= 7 A,
V
GE
= 15 V
（参见图21）
V
CE
= 0.5 V
BR （CES）上
,T
j
= 125°C,
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 12 V
10
测试条件
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
3
760
86
15.5
34.4
8.1
16.4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图19）
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
22.5
8.5
700
22
9.5
680
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
表8 ：关闭
符号
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
参数
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
cc
= 390 V，I
C
= 7 A,
R
GE
= 10
Ω
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
（参见图19）
V
cc
= 390 V，I
C
= 7 A,
R
GE
= 10
Ω
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
60
116
75
24
196
144
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表9 ：开关能量
符号
宙（2）
E
关闭
(3)
E
ts
宙（2）
E
关闭
(3)
E
ts
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图19）
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
82
155
237
131
370
501
马克斯。
单位
J
J
J
J
J
J
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
（2）宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT提供一个包与助包二极管
共包二极管用作外部二极管。的IGBT &二极管是在同一温度（ 25℃和125 ℃）下
（ 3 ）关断损耗还包括集电极电流的尾部。
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STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
表10 ：集电极 - 发射极二极管
符号
参数
测试Condiction
分钟。
典型值。
马克斯。
1.9
单位
V
f
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
t
rr
t
a
Q
rr
I
RRM
S
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
二极管的软度因子
IF = 3.5 A
如果= 3.5 A， TJ = 125°C
IF = 7 A，V
R
= 40 V,
T
j
= 25 ° C，的di / dt = 100 A / μs的
1.3
1.1
37
22
40
2.1
0.68
61
34
98
3.2
0.79
V
V
ns
ns
nC
A
ns
ns
nC
A
IF = 7 A，V
R
= 40 V,
T
j
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
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STGP14NC60KD - STGF14NC60KD - STGB14NC60KD
图3：输出特性
图6 ：传输特性
图4：跨导
图7 ：集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 ：集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 ：归栅极阈值VS温
perature
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QQ：2880707522 复制
