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STG5123
低压1
Ω
单SPDT开关
有突破前先功能
特点
高速:
– t
PD
= 130 PS (典型值)在V
CC
= 3.0 V
– t
PD
= 140 PS (典型值)在V
CC
= 2.3 V
超低功耗:
– I
CC
= 0.2 μA(最大值)。在T
A
= 85 °C
低导通电阻:
– R
ON
= 1.0
Ω
(典型值)。
在V
CC
= 4.5 V
– R
ON
= 1.2
Ω
(典型值)。
在V
CC
= 3.0 V
– R
ON
= 2.0
Ω
(典型值)。
在V
CC
= 1.8 V
宽工作电压范围:
– V
CC
( OPR )= 1.65 4.5 V单电源供电
5 V宽容和1.8 V兼容门槛
在V数字控制输入
CC
= 1.65 4.5 V
闭锁性能超过200毫安每
JESD 78 , II类
ESD性能测试每JESD22
- 2000 V人体模型
( A114 -B , II级)
- 200 V机型( A115 -A )
- 1000 V带电器件模型( C101 )
DFN6L
描述
该STG5123是一个高速CMOS低压
单SPDT模拟(单刀双掷)
开关或2: 1复用器/解复用器开关
采用硅栅制造
2
MOS技术。
旨在从1.65运作至4.5 V这一点,
器件理想用于便携式应用。
该器件具有非常低的导通电阻( 1
Ω)
at
V
CC
= 4.5 V的开关S1被接通(连于
常见的端口DN )当SEL输入保持
高阻抗状态高, OFF (州
在两个端口之间存在),当SEL举行
低。开关S2被接通(连接到公共
D端口)当SEL输入保持低电平,关
(之间存在高阻抗状态状态
两个端口)时, SEL保持高电平。
其他主要特点是开关速度快,
突破前先延迟时间和超低功耗
消费。所有输入和输出都配备
以防止静电放电保护电路,
给他们ESD和瞬态过电压
免疫力。
表1中。
设备简介
订货编号
STG5123DTR
DFN6L (1.2× 1毫米)
包装
磁带和卷轴
2007年10月
REV 1
1/18
www.st.com
18
目录
STG5123
目录
1
2
3
引脚连接和功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3.1
3.2
3.3
直流电气特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
交流电的电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
模拟开关特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
4
5
6
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STG5123
引脚连接和功能
1
引脚连接和功能
图1 。
引脚连接
(顶视图通过)
D
1
6
S2
V
CC
2
5
GND
SEL
3
4
S1
DFN6L
表2中。
引脚说明
符号
S1
S2
D
SEL
V
CC
GND
名称和功能
独立通道
独立通道
公共信道
控制
正电源电压
地( 0V )
引脚数
4
6
1
3
2
5
图2中。
输入等效电路
S2
S1
表2中。
真值表
SEL
H
L
开关S1
ON
关闭
(1)
开关S2
关闭
(1)
ON
1.高阻抗
3/18
电气额定值
STG5123
2
电气额定值
强调以上等级的设备中的“绝对最大额定值”表中列出的可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值的唯一经营
器件在这些或以上的任何其他条件的经营部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体SURE
计划和其他有关质量文件。
表3中。
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
I
IKC
I
IK
I
OK
I
O
I
OP
I
CC
还是我
GND
P
D
T
英镑
T
L
1.
绝对最大额定值
参数
电源电压
直流输入电压
直流控制输入电压
直流输出电压
在控制引脚的直流输入二极管电流(V
SEL
& LT ; 0 V )
DC输入二极管电流(V
IN
& LT ; 0 V )
DC输出二极管电流
直流输出电流
直流输出电流峰值
(脉冲在1毫秒, 10 %占空比)
DC V
CC
或接地电流
在T功耗
A
= 70C
(1)
储存温度
焊接温度( 10秒)
价值
-0.5到5.5
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到5.5
-0.5到V
CC
+0.5
–50
±50
±20
±200
±400
±100
1120
-65到150
300
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
减免上述70
下用18.5mW / C
表4 。
符号
V
CC
V
I
V
IC
V
O
T
op
DT / DV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
控制输入电压
输出电压
工作温度
输入上升和下降时间
控制输入
V
CC
= 1.65 2.7 V
V
CC
= 3.0 4.5 V
价值
1.65 4.5
0到V
CC
0-4.5
0到V
CC
-40到85
0-20
NS / V
0-10
单位
V
V
V
V
°C
4/18
STG5123
电气特性
3
3.1
表5 。
电气特性
DC电气特性
DC特定网络阳离子
价值
V
CC
(V)
符号
参数
测试条件
T
A
= 25 °C
典型值
最大
-40到85°C
0.65 V
CC
1.2
1.3
1.4
1.6
0.40
0.60
0.60
0.60
0.80
0.40
0.60
0.60
0.60
0.80
3.5
1.8
1.7
1.4
最大
单位
1.65 – 1.95
2.3 – 2.5
V
IH
高层
输入电压
2.7 – 3.0
3.3 – 3.6
4.5
1.65 – 1.95
2.3 – 2.5
V
IL
低电平输入
电压
2.7 – 3.0
3.3 – 3.6
4.5
1.8
R
ON
开关ON
阻力
2.7
3.0
4.5
1.8
ΔR
ON
抗性
MATCH
频道
(1)
2.7
3.0
4.5
1.8
R
抗性
平整度
(2)
2.7
3.0
4.5
关国
泄漏
电流( SN) ,
(D)
输入漏
当前
电源电流
V
S
= 0 V到V
CC
I
S
= 100毫安
V
S
在r
ON
最大
I
S
= 100毫安
V
S
= 0 V到V
CC
I
S
= 100毫安
0.65 V
CC
1.2
1.3
1.4
1.6
V
V
2.0
1.3
1.2
1.0
0.06
0.05
0.05
0.05
1.0
0.45
0.43
0.39
3.0
1.6
1.5
1.2
Ω
Ω
1.5
0.60
0.50
0.50
1.5
0.70
0.60
0.60
Ω
I
关闭
4.3
V
S
= 0.3或4 V
±20
±100
nA
I
IN
I
CC
0 – 5.0
1.65 – 5.0
V
SEL
= 0到
4.5 V
V
SEL
= V
CC
or
GND
±0.1
±0.05
±1
±0.2
μA
μA
5/18
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