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STFW4N150
STP4N150 , STW4N150
N沟道1500 V , 5
,
4 A的PowerMESH 功率MOSFET
在TO-220, TO-247 ,TO- 3PF
特点
TYPE
STFW4N150
STP4N150
STW4N150
V
DSS
1500 V
1500 V
1500 V
R
DS ( ON)
最大
<7
<7
<7
I
D
4A
4A
4A
Pw
63 W
160 W
160 W
TO-220
TO-247
3
1
2
2
1
3
100%的雪崩测试
固有电容和最小化的Qg
高速开关
完全隔离的TO- 3PF塑料封装
爬电距离路径为5.4毫米(典型值)的
TO-3PF
图1 。
TO-3PF
3
1
2
应用
内部示意图。
切换应用程序
描述
使用公合并高压丝网
OVERLAY 过程中,意法半导体
非常高的电压而设计的一种先进的家庭
功率MOSFET具有出色的表现。
在加强布局再加上
公司专有的边缘终端结构,
给出了低R
DS ( ON)
单位面积,无与伦比的门
充电和开关特性。
表1中。
设备简介
记号
4N150
P4N150
W4N150
TO-3PF
TO-220
TO-247
包装
订购代码
STFW4N150
STP4N150
STW4N150
2009年7月
文档ID 11262第9版
1/15
www.st.com
15
目录
STFW4N150 , STP4N150 , STW4N150
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
文档ID 11262第9版
STFW4N150 , STP4N150 , STW4N150
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏极电流(连续)在
T
C
= 25 °C
漏极电流(连续)在
T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
绝缘耐受电压(有效值)
来自所有三个导到外部的热
水槽(T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
-55到150
150
4
2.5
12
160
TO-247
1500
± 30
4
2.5
12
4
(1)
2.5
(1)
12
(1)
63
3500
TO-3PF
V
V
A
A
A
W
V
°C
°C
单位
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220
TO-247
0.78
62.5
50
TO-3PF
2
° C / W
° C / W
热阻结案件
最大
热电阻junction-
环境最大
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
4
350
单位
A
mJ
文档ID 11262第9版
3/15
电气特性
STFW4N150 , STP4N150 , STW4N150
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS (上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 2 A
3
4
5
分钟。
1500
10
500
± 100
5
7
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 30 V,I
D
= 2 A
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
-
典型值。马克斯。
3.5
1300
120
12
35
30
45
45
30
10
9
50
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-
V
DD
= 750 V,I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
图19
V
DD
= 600 V,I
D
= 4 A,
V
GS
= 10 V
图20
-
-
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
4/15
文档ID 11262第9版
STFW4N150 , STP4N150 , STW4N150
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4 A,V
GS
= 0
I
SD
= 4 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 45 V
图21
I
SD
= 4 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 45 V ,T
j
= 150°C
图21
测试条件
分钟。
-
-
510
3
12
615
4
12.6
典型值。
马克斯。
4
12
2
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
文档ID 11262第9版
5/15
STFV4N150 - STFW4N150
STP4N150 - STW4N150
N沟道1500 V - 5
- 4 A - 的PowerMESH 功率MOSFET
的TO-220 - TO- 220FH - TO-247 - TO- 3PF
特点
TYPE
STFV4N150
STFW4N150
(1)
STP4N150
STW4N150
V
DSS
1500 V
1500 V
1500 V
1500 V
R
DS ( ON)
最大
<7
<7
<7
<7
I
D
4A
4A
4A
4A
3
1
2
1
2
3
TO-220
TO-247
1.所有的数据,仅是指在TO- 3PF包是
初步
100%的雪崩测试
固有电容和最小化的Qg
高速开关
完全隔离的TO- 3PF和TO- 220FH塑料
套餐
爬电距离路径为5.4毫米(典型值)的
TO-3PF
爬电距离路径是> 4毫米的
TO-220FH
图1 。
TO-3PF
3
1
2
1
2
3
TO-220FH
内部示意图。
应用
切换应用程序
描述
使用公合并高压丝网
OVERLAY 过程中,意法半导体
非常高的电压而设计的一种先进的家庭
功率MOSFET具有出色的表现。
在加强布局再加上
公司专有的边缘终端结构,
给出了低R
DS ( ON)
单位面积,无与伦比的门
充电和开关特性。
表1中。
设备简介
订购代码
STFV4N150
STFW4N150
STP4N150
STW4N150
2008年4月
记号
4N150
4N150
P4N150
W4N150
REV 6
TO-220FH
TO-3PF
TO-220
TO-247
包装
1/16
www.st.com
16
目录
STFV4N150 - STFW4N150 - STP4N150 - STW4N150
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STFV4N150 - STFW4N150 - STP4N150 - STW4N150
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病(1)
P
合计
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 TO-247 TO- 220FH TO- 3PF
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏极电流(连续)在
T
C
= 25 °C
漏极电流(连续)在
T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
4
2.5
12
160
4
2.5
12
1500
± 30
4
(1)
2.5
(1)
12
(1)
40
-55到150
150
4
(1)
2.5
(1)
12
(1)
待定
V
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
1.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
热数据
价值
参数
的TO-220 TO-247 TO- 220FH TO- 3PF
热阻结案件
最大
热电阻junction-
环境最大
62.5
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
0.78
50
3.12
62.5
待定
° C / W
° C / W
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
4
350
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STFV4N150 - STFW4N150 - STP4N150 - STW4N150
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS (上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 2 A
3
4
5
分钟。
1500
10
500
± 100
5
7
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表6 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 30 V,I
D
= 2 A
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
3.5
1300
120
12
35
30
45
45
30
10
9
50
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
= 750 V,I
D
= 2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(参见图21)
V
DD
= 600 V,I
D
= 4 A,
V
GS
= 10 V
(参见图22)
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
4/16
STFV4N150 - STFW4N150 - STP4N150 - STW4N150
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4 A,V
GS
= 0
I
SD
= 4 A,
的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 45V
(参见图21)
I
SD
= 4 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 45V ,T
j
= 150°C
(参见图21)
510
3
12
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
12
2
单位
A
A
V
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
615
4
12.6
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/16
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STFW4N150
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
STFW4N150
ST(意法)
22+
9737
原装原厂公司现货
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
STFW4N150
ST/意法
2418+
4050
TO-3PF
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
STFW4N150
ST/意法
21+
9800
TO-247F
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
STFW4N150
ST/意法
2415+
85000
TO-3PF
特价只做原装进口,欢迎比价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
STFW4N150
STMicroelectronics
2426+
32210
TO-3PF-3
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
STFW4N150
ST
24+
68500
D
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
STFW4N150
ST(意法)
23+
700000
TO-3PF
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
STFW4N150
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
STFW4N150
ST(意法)
23+
12888
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壹芯创只做原装 正品现货
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
STFW4N150
ST/意法
2415+
85000
TO-3PF
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