STF130N10F3 ， STFI130N10F3 ，
STH130N10F3-2 ， STP130N10F3
N沟道100 V， 7.8毫欧（典型值） ， 120一个的STripFET III功率MOSFET
采用TO- 220FP ， IPAKFP ， HPAK - 2和TO- 220封装
数据表 - 生产数据
特点
订购代码
STF130N10F3
STFI130N10F3
STH130N10F3-2
STP130N10F3
■
■
V
DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
9.6 mΩ
I
D
3
46 A
TO-220FP
1
2
1
2
3
100 V
9.3 mΩ
9.6 mΩ
IPAKFP
120 A
TAB
TAB
超低导通电阻
100％的雪崩测试
2
1
3
1
2
3
HPAK-2
TO-220
应用
■
大电流开关应用
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道增强模式
使用产生的功率MOSFET
意法半导体的STripFET III技术，
这是专门设计的，以减少导通
电阻和栅极电荷，以提供优越的
开关性能。
表1中。
设备简介
订购代码
记号
包
TO-220FP
IPAKFP
130N10F3
HPAK-2
TO-220
包装
管
管
磁带和卷轴
管
STF130N10F3
STFI130N10F3
STH130N10F3-2
STP130N10F3
2012年11月
这是在满负荷生产一个产品信息。
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23
目录
STF130N10F3 ， STFI130N10F3 ， STH130N10F3-2 ， STP130N10F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 6
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
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STF130N10F3 ， STFI130N10F3 ， STH130N10F3-2 ， STP130N10F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220FP
IPAKFP
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
V
ISO
E
的AS （3）
T
j
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器（吨= 1
S;牛逼
C
= 25 °C)
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
2500
125
- 55 175
46
29
184
35
22
单位
HPAK -2的TO-220
100
± 20
120
78
450
250
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
mJ
°C
1.电流限制的包。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 50 A，V
DD
= 50 V的TO- 220和H
2
PAK- 2;开始TJ = 25 ° C，I
D
= 29 A,
V
DD
= 60 V的I
2
PAKFP和TO- 220FP 。
表3中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220FP
IPAKFP
单位
HPAK -2的TO-220
0.6
0.6
62.5
35
° C / W
° C / W
° C / W
Rthj外壳热阻结案件
Rthj -A
热阻结到环境
4.3
62.5
RthJ -PCB
(1)
热阻结到PCB
1.当安装在FR-4板，对1inch ， 2盎司铜。
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电气特性
STF130N10F3 ， STFI130N10F3 ， STH130N10F3-2 ， STP130N10F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
测试条件
V
GS
= 0, I
D
= 250 A
V
GS
= 0, V
DS
= 100 V
T
C
=25°C
T
C
=125°C
分钟。
100
典型值。
-
马克斯。
单位
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
2
-
8
10
100
±
200
A
A
nA
V
门体漏电流V
DS
= 0, V
GS
= ±20 V
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 23A
TO- 220FP和IPAKFP
4
9.6
R
DS （ ON）
静态漏源导通
阻力
mΩ
V
GS
= 10 V，I
D
= 60 A
HPAK
TO-220
7.8
8
9.3
9.6
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
3305
373
23
57
22
17
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
GS
= 0, V
DS
= 25 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V，I
D
= 120 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
-
-
-
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
Ω
V
GS
= 10 V
（见
图19中的
图24 ）
分钟。
典型值。
17
38
52
7.2
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
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文档编号018492版本3
STF130N10F3 ， STFI130N10F3 ， STH130N10F3-2 ， STP130N10F3
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
测试条件
对于TO- 220FP和
IPAKFP
分钟。
典型值。
马克斯。
46
184
120
450
单位
A
A
A
A
-
I
SD
I
SDM
(2)
对于TO- 220 ， HPAK - 2
I
SD
= 120 A，V
GS
= 0;为
的TO-220 ， HPAK -2-
-
V
SD(3)
正向电压上
I
SD
= 46 A，V
GS
= 0;为
TO- 220FP和
IPAKFP
I
SD
=120 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 80 V， TJ = 150℃
（见
图21）
-
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
-
68
182
5.4
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档编号018492版本3
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