STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD
STB9NK60ZFD
N沟道600V - 0.85Ω - 7A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
快速二极管超网 MOSFET
目标数据
TYPE
STP9NK60ZFD
STF9NK60ZFD
STB9NK60ZFD
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 0.95
< 0.95
< 0.95
I
D
7A
7A
7A
Pw
104 W
32 W
104 W
3
1
2
s
典型
DS
（上） = 0.85
DV dt能力高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
内部快速恢复二极管
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
描述
快速超网系列同伙全部AD-
的vantages减小导通电阻，齐纳栅亲
tection很goog dv / dt能力与快速
体漏恢复二极管。这种系列完井
ments的“ FDmesh ”的先进技术。
应用
s
HID安定器
s
ZVS移相全桥
转换器
内部原理图
订购信息
销售类型
STP9NK60ZFD
STF9NK60ZFD
STB9NK60ZFDT4
记号
P9NK60ZFD
F9NK60ZFD
B9NK60ZFD
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2003年9月
1/9
STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD - STB9NK60ZFD
绝对最大额定值
符号
参数
价值
TO- 220 / D
2
PAK
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
-55到150
7
4.3
28
104
0.83
4000
待定
2500
600
600
± 30
7 (*)
4.3 (*)
28 (*)
32
0.26
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤7A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
D
2
PAK
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
（当安装在最小的足迹）
TO-220FP
3.85
单位
° C / W
° C / W
1.02
30
62.5
300
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
7
280
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从大门到烃源应用。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和成本
有效的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免了使用
的外部元件。
2/9
STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD - STB9NK60ZFD
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
=毫安，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.5 A
3
3.75
0.85
分钟。
600
1
50
±10
4.5
0.95
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 3.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5.3
1110
135
30
72
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 7 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
19
17
38
7
21
53
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 7 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
43
15
11
8
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7 A，V
GS
= 0
I
SD
= 7 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 30V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
150
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7
28
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD - STB9NK60ZFD
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
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STP9NK60ZFD - STF9NK60ZFD - STB9NK60ZFD
TO- 220机械数据
mm.
分钟。
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
16.40
28.90
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
典型值
马克斯。
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
分钟。
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
0.645
1.137
0.151
0.116
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
DIM 。
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
5/9
QQ：2880707522 复制
