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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第954页 > STF8NK100Z
STF8NK100Z
STP8NK100Z
N沟道1000V - 1.60Ω - 6.5A - TO- 220 - TO- 220FP
齐纳保护的超网 MOSFET
一般特点
TYPE
V
DSS
R
DS （ ON）
I
D
Pw
STF8NK100Z 1000 V <1.85Ω 6.5 A注1 40瓦
STP8NK100Z 1000 V <1.85Ω
6.5 A
160 W
■
■
■
■
DV dt能力极高/
3
3
1
2
100 ％额定雪崩
改进的ESD能力
非常低的固有电容
TO-220
1
2
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压
MOSFET的
INCLUDING
革命的
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
■
大电流，开关应用
IDEAL离线使用的电源
订购代码
销售类型
STF8NK100Z
STP8NK100Z
记号
F8NK100Z
P8NK100Z
包
TO-220FP
TO-220
包装
管
管
2005年11月
REV 1
1/13
www.st.com
13
1电气额定值
STF8NK100Z - STP8NK100Z
1
表1中。
电气额定值
绝对最大额定值
参数
TO-220
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
记
1
I
D
漏源电压（V
GS
=0)
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
6.5
4.3
16
160
1.28
4000
4.5
--
-55到150
2500
1000
1000
± 30
6.5
4.3
16
40
0.32
价值
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
符号
I
DM
记
2
P
合计
dv / dt的
记
3峰值二极管恢复电压斜率
V
ISO
T
j
T
英镑
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
表2中。
热数据
TO-220
TO-220FP
3.1
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj -A
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.78
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或
不重复性（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
=50V)
价值
6.5
320
单位
A
mJ
2/13
STF8NK100Z - STP8NK100Z
2电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.15 A
3
3.75
1.60
分钟。
1000
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
4.5
1.85
表5 。
符号
g
fs
记
6
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
记
5
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
=3.15 A
分钟。
典型值。
7
2180
174
36
83
73
12
40
102
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
输入电容
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
输出电容
反向传输电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 0 800V
V
DD
= 800V ，我
D
= 6.3A
V
GS
=10V
（参见图17）
3/13
2电气特性
STF8NK100Z - STP8NK100Z
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 500 V，I
D
= 3.15 A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图18）
V
DD
= 500 V，I
D
=3.15 A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图18）
分钟。
典型值。
28
19
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
59
30
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
记
3
V
SD
记
2
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6.3A ，V
GS
=0
I
SD
= 6.3A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V， TJ = 25°C
620
5.3
17
840
7.5
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
26
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
I
SD
= 6.3A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V， TJ = 150℃
表8 。
符号
BV
GSO
记
4
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
（1）限定仅由最大允许温度
(2)I
SD
≤
6.5 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DS
≤
V
（ BR ） DSS ，
Tj≤ TJMAX
（ 3 ）脉冲宽度有限的安全工作区
（4）内置-背到背的齐纳二极管已经专门设计用来enanche不仅器件的ESD能力，但
也让他们安全地吸收可能的电压是适当的archieve高效和具有成本效益的干预
保护装置的完整性。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
(5) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加
到80 ％的V
DSS
（ 6 ）脉冲：脉冲duartion = 300μS ，占空比1.5 ％
4/13
STF8NK100Z - STP8NK100Z
2电气特性
2.1
电特性（曲线）
安全工作区TO- 220
图2中。
对于TO- 220热阻抗
图1 。
网络连接gure 3 。
安全工作区TO- 220FP
图4中。
热阻抗对于TO- 220FP
图5中。
输出特性
图6 。
传输特性
5/13
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