STD4NK50ZD - STD4NK50ZD - 1
STF4NK50ZD - STP4NK50ZD
N沟道500V - 2.4Ω - 3A - TO- 220 - TO- 220FP- DPAK - IPAK
快速二极管超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD4NK50ZD-1
STD4NK50ZD
STF4NK50ZD
STP4NK50ZD
■
■
■
■
■
V
DSS
500V
500V
500V
500V
R
DS （ ON）
<2.7
<2.7
<2.7
<2.7
I
D
3A
3A
3A
3A
Pw
1
3
45W
45W
20W
45W
TO-220
3
1
2
DPAK
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错制造repeability
1
3
2
1
3
2
IPAK
TO-220FP
描述
快速超网系列的所有同事
减小导通电阻，齐纳栅的优点
保护和出色的DC / dt能力与
快速体漏恢复二极管。这种系列
补充FDmesh 先进TECNOLOGY 。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD4NK50ZD-1
STD4NK50ZD
STF4NK50ZD
STP4NK50ZD
记号
D4NK50ZD-1
D4NK50ZD
F4NK50ZD
P4NK50ZD
包
IPAK
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
管
磁带&卷轴
管
管
2006年4月
REV 3
1/17
www.st.com
17
目录
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD - 1 - STF4NK50ZD - STP4NK50ZD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/17
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD - 1 - STF4NK50ZD - STP4NK50ZD
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 IPAK / DPAK TO- 220FP
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20K)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
3
1.9
12
45
0.36
2800
15
--
--
-55到150
2500
500
500
± 30
3
(1)
1.9
(1)
12
(1)
3
(1)
1.9
(1)
12
(1)
20
0.16
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
V
ESD（ G- D）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤3A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
=80%V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热阻
价值
参数
TO- 220 IPAK / DPAK TO- 220FP
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
62.5
2.78
100
300
6.25
62.5
° C / W
° C / W
°C
单位
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
3
120
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD - 1 - STF4NK50ZD - STP4NK50ZD
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
试验性条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
2.5
3.5
2.3
分钟。
500
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
4.5
2.7
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
1.5
310
49
10
33
12
3
7
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
C
OSS当量（ 2）。
等效输出
电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 0, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 400V ，我
D
= 3A
V
GS
=10V
（参见图11）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 1.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
=10V
（参见图18）
分钟。
典型值。
9.5
15.5
23
22
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/17
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD - 1 - STF4NK50ZD - STP4NK50ZD
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 3A ，V
GS
=0
I
SD
= 3A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 34V ， TJ = 25°C
I
SD
= 3A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 34V ， TJ = 150℃
73
140
3.82
118
260
4.4
试验性条件
民
典型值。
最大
3
12
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO(1)
1.
门源稳压二极管
参数
栅源Braekdown
电压
试验性条件
I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
最大
单位
V
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
5/17
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