【SEMIWELL半导体敏感的双向可控硅门STF4A60S符号特点重复峰值断态电压： 600V◆R.M】,IC型号STF4A60S,STF4A60S PDF资料,STF4A60S经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SEMIWELL

半导体

敏感的双向可控硅门

STF4A60S

符号

特点

重复峰值断态电压： 600V

◆

R.M.S通态电流（I

T（ RMS ）

= 4 A )

◆

高换向dv / dt的

◆

敏感的触发门4模式

◆

○

2.T2

▼

▲

○

3.Gate

1.T1

○

概述

此设备是敏感的门双向可控硅适合直接耦合

为TTL ， HTL ， CMOS和应用，如各种逻辑

功能，低功率AC开关应用中，例如风扇

速度快，小灯控制器和家电设备。

TO-220F

1

2

3

绝对最大额定值

符号

V

DRM

I

T（ RMS ）

I

TSM

I

2

t

P

GM

P

G（ AV ）

I

GM

V

GM

T

J

T

英镑

( T

J

= 25 ° C除非另有说明）

条件

正弦波， 50到60赫兹，门开

T

C

= 99 ° C，完全正弦波

一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，

不重复

TP = 10ms的

T

C

= 99 ° C，脉冲宽度

≤

1.0us

在任期间为20ms

TP = 20US ，T

J

=125°C

TP = 20US ，T

J

=125°C

参数

重复峰值断态电压

R.M.S通态电流

浪涌通态电流

I

2

t

对于融合

栅极峰值功耗

平均门功耗

栅极峰值电流

峰值栅极电压

工作结温

储存温度

块

评级

600

4.0

30/33

4.5

3

0.3

1.0

7.0

- 40 ~ 125

- 40 ~ 150

2.0

单位

V

A

A

A

2

s

W

W

A

V

°C

°C

g

八月， 2004 Rev.1号

版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。

1/6

STF4A60S

电气特性

符号

项

重复峰值断态

当前

峰值通态电压

Ⅰ

Ⅱ

门极触发电流

I

-GT3

I

+GT3

V

+GT1

V

-GT1

V

-GT3

V

+GT3

V

GD

dv / dt的

Ⅲ

Ⅳ

Ⅰ

Ⅱ

门极触发电压

Ⅲ

Ⅳ

非触发栅极电压

兴起关闭状态的爆击率

电压

兴起关闭状态的爆击率

电压整流

保持电流

热阻抗

结到外壳

T

J

= 125°C ，V

D

= 1/2 V

DRM

T

J

= 125°C ，门打开，

V

D

= V

DRM

67

%

T

J

= 125°C ， [ di / dt的C = -2.0 A / MS ，

V

D

=2/3 V

DRM

V

D

= 6 V ，R

L

=10

Ω

─

─

0.2

50

─

1.6

─

─

1.4

2.0

─

─

V

V/

V

D

= 6 V ，R

L

=10

Ω

─

─

─

─

─

8

─

─

5

12

1.4

1.4

V

条件

V

D

= V

DRM

，单相半波

T

J

= 125 °C

I

T

= 6 A，研究所。测量

评级

分钟。

─

─

─

─

典型值。

─

─

─

─

马克斯。

1.0

1.6

5

5

单位

I

DRM

V

TM

I

+GT1

I

-GT1

mA

V

mA

（ dv / dt的）C

I

H

R

日（J -C ）

5

─

─

─

5.0

─

─

─

4.0

V/

mA

° C / W

※

注意事项：

1.脉冲宽度

≤

300US ，占空比

≤

2%

2/6

STF4A60S

图1.门特点

10

2

图2.通态电压

10

1

V

GM

(7V)

P

GM

(3W)

通态电流[ A]

10

1

栅极电压[ V]的

P

G（ AV ）

(0.3W)

25

℃

I

GM

(1A)

10

0

125 C

o

10

0

25 C

o

V

GD

(0.2V)

10

-1

10

1

-1

10

10

2

10

3

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

门电流[mA ]

导通状态电压[ V]

图3.在国家电流与

最大功率耗散

5.5

图4.在国家电流与

允许外壳温度

= 180

o

= 150

o

= 120

o

= 90

o

o

o

功耗[W]

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.0

0.5

π

θ

360°

θ

2

π

θ

θ

θ

θ

允许外壳温度[

o

C]

6.0

130

125

120

115

110

o

θ

：导通角

θ

= 60

θ

= 30

π

θ

θ

2

π

105

360°

θ

= 30

o

θ

= 60

o

θ

= 90

o

θ

= 120

o

θ

= 150

o

θ

= 180

100

95

0.0

θ

：导通角

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

RMS通态电流[ A]

RMS通态电流[ A]

图5.浪涌通态电流额定值

（不重复）

35

图6.门极触发电压与

结温

10

3

30

浪涌通态电流[ A]

25

X 100 (%)

60Hz

V

20

V

GT1

10

2

+

GT1

-

-

V

GT3

V

GT

（T C ）

15

10

o

50Hz

V

GT

(25 C)

o

5

1

V

+

GT3

0

0

10

10

10

1

10

2

-50

0

50

100

o

150

时间（周期）

结温[C]

3/6

STF4A60S

图7.门极触发电流 -

结温

10

3

图8.瞬态热阻抗

10

I

10

2

+

GT1

-

GT1

-

GT3

I

I

瞬态热阻抗[ ℃/ W]

I

GT

(25 C)

I

GT

（T C ）

o

o

X 100 (%)

o

1

I

10

1

+

GT3

-50

0

50

100

o

150

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

结温[C]

时间（秒）

图9.门极触发特性测试电路

10

10

10

10

▼

▲

6V

●

▼

▲

A

●

▼

▲

A

●

6V

6V

A

▼

▲

R

G

6V

●

A

V

●

R

G

V

●

R

G

V

●

V

●

R

G

测试程序

Ⅰ

测试程序

Ⅱ

测试程序

Ⅲ

测试程序

Ⅳ

4/6

STF4A60S

TO- 220F封装尺寸

mm

典型值。

寸

典型值。

DIM 。

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

分钟。

10.4

6.18

9.55

13.47

6.05

1.26

3.17

1.87

2.57

马克斯。

10.6

6.44

9.81

13.73

6.15

1.36

3.43

2.13

2.83

分钟。

0.409

0.243

0.376

0.530

0.238

0.050

0.125

0.074

0.101

马克斯。

0.417

0.254

0.386

0.540

0.242

0.054

0.135

0.084

0.111

2.54

5.08

2.51

1.25

0.45

0.6

3.7

3.2

1.5

2.62

1.55

0.63

1.0

0.099

0.049

0.018

0.024

0.100

0.200

0.103

0.061

0.025

0.039

0.146

0.126

0.059

φ

φ

1

φ

2

F

B

A

E

H

I

φ

φ

1

φ

2

C

L

1

D

2

3

J

K

M

G

1. T1

2. T2

3.门

N

O

5/6

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