STB20NM60A-1
STP20NM60A - STF20NM60A
N沟道650V @ TJ
最大
- 0.25Ω - 20A IPAK / TO- 220 / TO- 220FP
的MDmesh MOSFET
TYPE
STB20NM60A-1
STP20NM60A
STF20NM60A
s
s
s
s
V
DSS
@Tj
最大
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
< 0.29
< 0.29
< 0.29
I
D
20 A
20 A
20 A
3
典型
DS
（上） = 0.25Ω
高dv / dt
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
3
12
1
2
IPAK
TO-220
3
1
2
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET技
术相关联的多个排水过程
该公司的PowerMESH 水平布局。该
得到的产品具有出色的低导通电阻
tance ，令人印象深刻的高dv / dt和优异的雪崩
的特点。通过本公司的propri-的
etary条技术产量整体动态perfor-
曼斯是比类似显著更好
竞争的产品。
TO-220FP
国内
原理图
应用
s
专为电源转换器
准谐振配置
订购代码
产品型号
STB20NM60A-1
STP20NM60A
STF20NM60A
记号
B20NM60A
P20NM60A
F20NM60A
包
I
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
管
2004年3月
1/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STB20NM60A-1
STP20NM60A
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
20
12.6
80
192
1.2
15
2500
±30
20(*)
12.6(*)
80(*)
45
0.36
STF20NM60A
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
I
2
PAK/TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
2
3
0.25
分钟。
600
1
10
±100
4
0.29
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
11
1630
350
33
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(2) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 10 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 20A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
16
45
8.2
19
60
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
46
20
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 50 V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
432
5.1
23.6
595
7.3
24.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
安全工作区的TO- 220 / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
对于TO- 220 / I2PAK热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
STB20NM60A-1
STP20NM60A - STF20NM60A
N沟道650V @ TJ
最大
- 0.25Ω - 20A IPAK / TO- 220 / TO- 220FP
的MDmesh MOSFET
TYPE
STB20NM60A-1
STP20NM60A
STF20NM60A
s
s
s
s
V
DSS
@Tj
最大
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
< 0.29
< 0.29
< 0.29
I
D
20 A
20 A
20 A
3
典型
DS
（上） = 0.25Ω
高dv / dt
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
3
12
1
2
IPAK
TO-220
3
1
2
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET技
术相关联的多个排水过程
该公司的PowerMESH 水平布局。该
得到的产品具有出色的低导通电阻
tance ，令人印象深刻的高dv / dt和优异的雪崩
的特点。通过本公司的propri-的
etary条技术产量整体动态perfor-
曼斯是比类似显著更好
竞争的产品。
TO-220FP
国内
原理图
应用
s
专为电源转换器
准谐振配置
订购代码
产品型号
STB20NM60A-1
STP20NM60A
STF20NM60A
记号
B20NM60A
P20NM60A
F20NM60A
包
I
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
管
2004年3月
1/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STB20NM60A-1
STP20NM60A
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
20
12.6
80
192
1.2
15
2500
±30
20(*)
12.6(*)
80(*)
45
0.36
STF20NM60A
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
I
2
PAK/TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
2
3
0.25
分钟。
600
1
10
±100
4
0.29
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
11
1630
350
33
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(2) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 10 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 20A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
16
45
8.2
19
60
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
46
20
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 50 V ，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
432
5.1
23.6
595
7.3
24.8
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
安全工作区的TO- 220 / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
对于TO- 220 / I2PAK热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/12
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
5/12
STB20NM60A-1
STP20NM60A - STF20NM60A
N沟道600V - 0.25Ω - 20A IPAK / TO- 220 / TO- 220FP
的MDmesh 功率MOSFET
目标数据
TYPE
STB20NM60A-1
STP20NM60A
STF20NM60A
s
s
s
s
V
DSS
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
< 0.29
< 0.29
< 0.29
I
D
20 A
20 A
20 A
1
2
3
典型
DS
（上） = 0.25Ω
高dv / dt
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
3
12
TO-220
IPAK
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET技
术相关联的多个排水过程
该公司的PowerMESH 水平布局。该
得到的产品具有出色的低导通电阻
tance ，令人印象深刻的高dv / dt和优异的雪崩
的特点。通过本公司的propri-的
etary条技术产量整体动态perfor-
曼斯是比类似显著更好
竞争的产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高电压转换器允许系功率密度
统的小型化和更高的效率。
3
1
2
TO-220FP
国内
原理图
订购信息
销售类型
STB20NM60A-1
STP20NM60A
STF20NM60A
记号
B20NM60A
P20NM60A
F20NM60A
包
I
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
管
2003年9月
1/8
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STB20NM60A-1
STP20NM60A
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
英镑
T
j
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
20
12.6
80
192
1.2
15
2500
±30
20(*)
12.6(*)
80(*)
45
0.36
STF20NM60A
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
I
2
PAK/TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 30V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
2
3
0.25
分钟。
600
1
10
±100
4
0.29
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2/8
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
电气特性
（续）
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
11
1500
350
35
130
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(2) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 200V ，我
D
= 10 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 20A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
20
39
10
20
54
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480V ，我
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
6
11
21
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
390
5
25
510
6.5
26
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/8
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/8
STB20NM60A-1/STP20NM60A/STF20NM60A
TO- 262 （I
2
PAK ）机械数据
mm.
DIM 。
分钟。
A
A1
b
b1
c
c2
D
e
e1
E
L
L1
L2
4.40
2.40
0.61
1.14
0.49
1.23
8.95
2.40
4.95
10
13
3.50
1.27
典型值
马克斯。
4.60
2.72
0.88
1.70
0.70
1.32
9.35
2.70
5.15
10.40
14
3.93
1.40
分钟。
0.173
0.094
0.024
0.044
0.019
0.048
0.352
0.094
0.194
0.393
0.511
0.137
0.050
典型值。
马克斯。
0.181
0.107
0.034
0.066
0.027
0.052
0.368
0.106
0.202
0.410
0.551
0.154
0.055
寸
5/8
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