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STB15NM60ND - STF / I15NM60ND
STP15NM60ND - STW15NM60ND
N沟道600 V - 0.27
- 14 A - FDmesh II功率MOSFET
D
2
PAK ，我
2
PAK ，TO- 220，TO- 220FP ，TO- 247
特点
TYPE
STB15NM60ND
STF15NM60ND
STI15NM60ND
STP15NM60ND
STW15NM60ND
V
DSS
（ @Tjmax ）R
DS （ ON）
最大
I
D
14 A
14 A
14 A
(1)
14 A
14 A
3
1
3
12
650 V
0.299
D
2
PAK
2
1
3
IPAK
TO-247
3
1
2
1
2
3
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
全球最佳R
DS （ ON）
*区域之间的
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
TO-220
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
该FDmesh II系列属于第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
和同事的所有优点降低导通
电阻和快速开关与一个内建为快
恢复体diode.Strongly推荐
桥拓扑，在零电压相移器。
表1中。
设备简介
记号
15NM60ND
15NM60ND
15NM60ND
15NM60ND
15NM60ND
REV 2
包
D
2
PAK
TO-220FP
I
2
PAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/19
www.st.com
19
订购代码
STB15NM60ND
STF15NM60ND
STI15NM60ND
STP15NM60ND
STW15NM60ND
2008年4月
目录
STP15NM60ND - STF / I15NM60ND - STB15NM60ND - STW15NM60ND
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路
................................................ 7
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/19
STP15NM60ND - STF / I15NM60ND - STB15NM60ND - STW15NM60ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK / IPAK
TO-220FP
TO-220/IPAK
600
± 25
14
9
56
125
40
--
2500
-55到150
150
14
(1)
9
(1)
56
(1)
30
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
通向外部散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
工作结温
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
14 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
RthJ -PCB
热数据
参数
热阻
结案件最大
热阻
结AMB最大
热阻
结PCB最大
最大的铅
焊接温度
施行
--
62.5
--
TO-220
IPAK
1
50
--
--
30
的TO- 247 DPAK TO- 220FP
4.2
62.5
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
T
l
300
°C
3/19
电气额定值
STP15NM60ND - STF / I15NM60ND - STB15NM60ND - STW15NM60ND
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复（脉冲
宽度由TJ最大限制）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
6
300
单位
A
mJ
4/19
STP15NM60ND - STF / I15NM60ND - STB15NM60ND - STW15NM60ND
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 480 V，I
D
= 14 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
3
4
0.27
分钟。
600
30
1
100
100
5
0.299
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.在值依次测断感性负载下
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 7 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
10
1250
65
5
180
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0V至480 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 14 A
V
GS
= 10 V
（参见图19）
Rg
4
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
40
8
22
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
5/19
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