【P沟道60V - 0.18- 图12A的TO-220 / TO- 220FP的STripFET II】,IC型号STF12PF06,STF12PF06 PDF资料,STF12PF06经销商,ic,电子元器件-51电子网

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P沟道60V - 0.18

- 图12A的TO-220 / TO- 220FP

的STripFET II功率MOSFET

表1 ：一般特点

TYPE

STP12PF06

STF12PF06

■

■

■

■

■

STP12PF06

STF12PF06

图1 ：包装

R

DS （ ON）

< 0.20

< 0.20

I

D

12 A

12 A

V

DSS

60 V

60 V

典型

DS

（上） = 0.18

DV dt能力EXCEPTIONAL /

100％的雪崩测试

低栅电荷

面向应用

表征

3

1

2

1

2

3

TO-220

TO-220FP

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性，坚固耐用的雪崩特性和

因此不太严格的对准步骤

卓越的可重复性制造

应用

■

电机控制

■

DC-DC & DC- AC转换器

图2 ：内部原理图

表2：

订购代码

产品型号

STP12PF06

STF12PF06

记号

P12PF06

F12PF06

包

TO-220

TO-220FP

包装

管

管

表3：

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

D

I

DM

()

P

合计

dv / dt的

(1)

E

AS （2）

T

英镑

T

j

参数

STP20PF06

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏电流（连续）在T

C

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

单脉冲雪崩能量

储存温度

工作结温

60

60

± 20

12

8.4

48

60

0.4

6

200

-55至175

(1) I

SD

≤12A,

的di / dt

≤200A/s,

V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

, T

j

≤

T

JMAX

（ 2 ）起始物为

j

= 25

o

C，我

D

= 12A ，V

DD

= 25V

价值

STF20PF06

单位

V

V

V

A

A

A

W

W / ℃，

V / ns的

mJ

°C

8

5.6

32

225

0.17

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

记

:

对于电压的P沟道MOSFET的实际极性

和电流必须是相反的。

2005年3月

启示录

2.0

1/10

STP12PF06 STF12PF06

表4：

热数据

TO-220

Rthj情况

Rthj - AMB

T

l

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

最大

2.5

62.5

300

TO-220FP

5.35

° C / W

° C / W

°C

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

表5：

关闭

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

测试条件

I

D

= 250 μA ，V

GS

= 0

V

DS

=最大额定值

V

DS

=最大额定值牛逼

C

= 125°C

V

GS

= ± 20V

分钟。

60

1

10

±100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

A

nA

表6：

ON

(*)

符号

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

V

DS

= V

GS

V

GS

= 10 V

I

D

= 250 A

I

D

= 10 A

分钟。

2

典型值。

3.4

0.18

马克斯。

4

0.20

单位

V

表7：

动态

符号

g

飞秒（2）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

V

DS

= 15 V

I

D

= 6 A

分钟。

2.5

典型值。

6

850

230

75

马克斯。

单位

S

pF

pF

pF

V

DS

= 25V F = 1MHz的V

GS

= 0

2/10

STP12PF06 STF12PF06

电气特性

（续）

表8：

接通

符号

t

D（上）

t

r

Q

g

Q

gs

Q

gd

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

DD

= 30 V

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 4.7

（阻性负载，图19）

V

DD

= 48 V I

D

= 12 A V

GS

= 10 V

分钟。

典型值。

20

40

16

4

6

21

马克斯。

单位

ns

ns

nC

nC

nC

表9 ：

关闭

符号

t

D（关闭）

t

f

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

V

DD

= 30 V

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 4.7,

（阻性负载，图19）

分钟。

典型值。

40

10

马克斯。

单位

ns

ns

表10：

源漏二极管

符号

I

SD

I

SDM （1）

V

的SD （2）

t

rr

Q

rr

I

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

1.5 %.

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

10

40

单位

A

A

V

ns

nC

A

I

SD

= 12 A

V

GS

= 0

100

260

5.2

2.5

I

SD

= 12 A

的di / dt = 100A / μs的

T

j

= 150°C

V

DD

= 30 V

（见测试电路，图21 ）

(1 )

脉冲宽度有限的安全工作区。

(2)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比

图3：

安全工作区TO- 220

图4：

安全工作区TO- 220FP

3/10

STP12PF06 STF12PF06

图5：

热阻抗

图6：

热阻抗对于TO- 220FP

图7：

输出特性

图8：

传输特性

图9：

跨

图10：

静态漏源导通电阻

4/10

STP12PF06 STF12PF06

图11：

栅极电荷VS栅源电压

图12：

电容变化

图13 ：

归栅极阈值电压VS

温度

图14：

归

在电阻与温度

图15：

源极 - 漏极二极管的正向

特征

图16：

归一化的击穿电压

温度

5/10

P沟道60V - 0.18

- 图12A的TO-220 / TO- 220FP

的STripFET II功率MOSFET

表1 ：一般特点

TYPE

STP12PF06

STF12PF06

■

■

■

■

■

STP12PF06

STF12PF06

图1 ：包装

R

DS （ ON）

< 0.20

< 0.20

I

D

12 A

12 A

V

DSS

60 V

60 V

典型

DS

（上） = 0.18

DV dt能力EXCEPTIONAL /

100％的雪崩测试

低栅电荷

面向应用

表征

3

1

2

1

2

3

TO-220

TO-220FP

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"Single特征大小 "

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性，坚固耐用的雪崩特性和

因此不太严格的对准步骤

卓越的可重复性制造

应用

■

电机控制

■

DC-DC & DC- AC转换器

图2 ：内部原理图

表2：

订购代码

产品型号

STP12PF06

STF12PF06

记号

P12PF06

F12PF06

包

TO-220

TO-220FP

包装

管

管

表3：

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

D

I

DM

()

P

合计

dv / dt的

(1)

E

AS （2）

T

英镑

T

j

参数

STP20PF06

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏电流（连续）在T

C

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

单脉冲雪崩能量

储存温度

工作结温

60

60

± 20

12

8.4

48

60

0.4

6

200

-55至175

(1) I

SD

≤12A,

的di / dt

≤200A/s,

V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

, T

j

≤

T

JMAX

（ 2 ）起始物为

j

= 25

o

C，我

D

= 12A ，V

DD

= 25V

价值

STF20PF06

单位

V

V

V

A

A

A

W

W / ℃，

V / ns的

mJ

°C

8

5.6

32

225

0.17

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

记

:

对于电压的P沟道MOSFET的实际极性

和电流必须是相反的。

2005年3月

启示录

2.0

1/10

STP12PF06 STF12PF06

表4：

热数据

TO-220

Rthj情况

Rthj - AMB

T

l

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

最大

2.5

62.5

300

TO-220FP

5.35

° C / W

° C / W

°C

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

表5：

关闭

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

测试条件

I

D

= 250 μA ，V

GS

= 0

V

DS

=最大额定值

V

DS

=最大额定值牛逼

C

= 125°C

V

GS

= ± 20V

分钟。

60

1

10

±100

典型值。

马克斯。

单位

V

A

A

nA

表6：

ON

(*)

符号

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

V

DS

= V

GS

V

GS

= 10 V

I

D

= 250 A

I

D

= 10 A

分钟。

2

典型值。

3.4

0.18

马克斯。

4

0.20

单位

V

表7：

动态

符号

g

飞秒（2）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

V

DS

= 15 V

I

D

= 6 A

分钟。

2.5

典型值。

6

850

230

75

马克斯。

单位

S

pF

pF

pF

V

DS

= 25V F = 1MHz的V

GS

= 0

2/10

STP12PF06 STF12PF06

电气特性

（续）

表8：

接通

符号

t

D（上）

t

r

Q

g

Q

gs

Q

gd

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

DD

= 30 V

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 4.7

（阻性负载，图19）

V

DD

= 48 V I

D

= 12 A V

GS

= 10 V

分钟。

典型值。

20

40

16

4

6

21

马克斯。

单位

ns

ns

nC

nC

nC

表9 ：

关闭

符号

t

D（关闭）

t

f

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

V

DD

= 30 V

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 4.7,

（阻性负载，图19）

分钟。

典型值。

40

10

马克斯。

单位

ns

ns

表10：

源漏二极管

符号

I

SD

I

SDM （1）

V

的SD （2）

t

rr

Q

rr

I

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

1.5 %.

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

10

40

单位

A

A

V

ns

nC

A

I

SD

= 12 A

V

GS

= 0

100

260

5.2

2.5

I

SD

= 12 A

的di / dt = 100A / μs的

T

j

= 150°C

V

DD

= 30 V

（见测试电路，图21 ）

(1 )

脉冲宽度有限的安全工作区。

(2)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比

图3：

安全工作区TO- 220

图4：

安全工作区TO- 220FP

3/10

STP12PF06 STF12PF06

图5：

热阻抗

图6：

热阻抗对于TO- 220FP

图7：

输出特性

图8：

传输特性

图9：

跨

图10：

静态漏源导通电阻

4/10

STP12PF06 STF12PF06

图11：

栅极电荷VS栅源电压

图12：

电容变化

图13 ：

归栅极阈值电压VS

温度

图14：

归

在电阻与温度

图15：

源极 - 漏极二极管的正向

特征

图16：

归一化的击穿电压

温度

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