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STEVAL-TDR023V1
使用1个PD55025 -E射频功率放大器
N沟道增强模式横向的MOSFET
特点
优良的热稳定性
频率: 460 - 540兆赫
电源电压: 13.6 V
输出功率: 20瓦
增益13.3 dB典型值。
效率: 51 % - 66 %
负载失配: 20 : 1
氧化铍,放大器
符合2002/95 / EC欧洲
指示
机械规格:
L = 70毫米,W = 30毫米
描述
该STEVAL - TDR023V1是一种常见的来源
N沟道增强模式横向场效应
射频功率放大器专为UHF无线移动
应用程序。
表1中。
设备简介
产品型号
STEVAL-TDR023V1
2010年10月
文档ID 18048牧师1
1/8
www.st.com
8
目录
STEVAL-TDR023V1
目录
1
2
3
4
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
电路布局。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
2/8
文档ID 18048牧师1
STEVAL-TDR023V1
电气特性
1
电气特性
T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 13.6 V,I
dq
= 150毫安
表2中。
符号
频率
P
OUT
收益
收益
平整度
@ P
OUT
= 20W
@ P
OUT
= 20W
51 - 66
-48
-55
-55
-60
20:1
电气规格
测试条件
频带
分钟。
460
20
13.3
±
1.5
典型值。
马克斯。
540
单位
兆赫
W
dB
dB
%
dB
dB
效率@ P
OUT
= 20W
H2
H3
VSWR
@ P
OUT
= 20W
@ P
OUT
= 20W
负载失配各个阶段@ P
OUT
= 20W
文档ID 18048牧师1
3/8
测试电路
STEVAL-TDR023V1
2
图1 。
测试电路
测试电路原理图
4/8
文档ID 18048牧师1
STEVAL-TDR023V1
电路布局
3
图2中。
电路布局
电路布局
表3中。
部件类型
电解
组成部分名单
部件
ID
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
描述
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
电容
价值
150pF
150pF
1 nF的
10 nF的
220 F
1 F
47pF
3.3pF
6.8pF
39pF
39pF
100B
100B
100B
100B
100B
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
470
3R3
6R8
390
390
表壳尺寸
1206
1206
1206
1206
生产厂家
村田
村田
村田
村田
部分代码
GRM42-
6C0G151J50
GRM42-
6C0G151J50
GRM42-
6C0G102J50
GRM42-
6X7R104K50
文档ID 18048牧师1
5/8
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STEVAL-TDR023V1
ST
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
STEVAL-TDR023V1
ST/意法
21+
5020
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
STEVAL-TDR023V1
STMicroelectronics
㊣10/11+
8097
贴/插片
※原装10年保证
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STEVAL-TDR023V1
STMicroelectronics
㊣10/11+
8851
贴◆插
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