STE48NM60
N沟道600V - 0.09Ω - 48A ISOTOP
的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STE48NM60
V
DSS
600V
R
DS （ ON）
< 0.11Ω
I
D
48 A
典型
DS
（上） = 0.09Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
严格的流程控制和高
生产产量
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
即对同类竞争产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高压变频器允许的功率密度
系统的小型化和更高的效率。
ISOTOP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
600
±30
48
30
192
450
3.57
15
-65到150
150
(1) I
SD
≤48A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年6月
1/8
STE48NM60
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.28
30
300
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
最大值
15
850
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
分钟。
600
10
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 22.5A
分钟。
3
典型值。
4
0.09
马克斯。
5
0.11
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 22.5A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
15
3800
1250
46
340
1.4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
2/8
STE48NM60
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
= 22.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 45A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
30
20
96
31
43
134
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400V ，我
D
= 45A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
16
23
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 45A ，V
GS
= 0
I
SD
= 45A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 45A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
508
10
40
650
14
43
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
48
192
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
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N沟道600V - 0.09Ω - 48A ISOTOP
的MDmesh 功率MOSFET
TYPE
STE48NM60
V
DSS
600V
R
DS （ ON）
< 0.11Ω
I
D
48 A
典型
DS
（上） = 0.09Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
严格的流程控制和高
生产产量
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET
技术相关联的多个漏亲
塞斯与公司的PowerMESH 水平
布局。由此产生的产品具有出色的低
导通电阻，令人印象深刻的高dv / dt和优良
雪崩特性。采用的
公司的专有技术，带整体产生
动态性能比显著更好
即对同类竞争产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高压变频器允许的功率密度
系统的小型化和更高的效率。
ISOTOP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
600
±30
48
30
192
450
3.57
15
-65到150
150
(1) I
SD
≤48A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年6月
1/8
STE48NM60
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.28
30
300
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
最大值
15
850
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
分钟。
600
10
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 22.5A
分钟。
3
典型值。
4
0.09
马克斯。
5
0.11
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 22.5A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
15
3800
1250
46
340
1.4
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
2/8
STE48NM60
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
= 22.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400V ，我
D
= 45A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
30
20
96
31
43
134
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400V ，我
D
= 45A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
16
23
40
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 45A ，V
GS
= 0
I
SD
= 45A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 45A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
508
10
40
650
14
43
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
48
192
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/8
QQ：2880707522 复制
