STE36N50-DK
N - 沟道增强型功率MOS
晶体管超快二极管ISOTOP包装
TYPE
STE36N50-DK
s
V
DSS
500 V
R
DS ( ON)
< 0.14
I
D
36 A
4
3
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
专线功率因数
CORRECTOR应用
低栅极电荷MOSFET
TURBOSWITCH二极管INCORPORATED
高电流功率模块
雪崩坚固的技术
非常大型SOA - 大峰值功率
能力
易于安装
非常低R
th
结到外壳
非常低漏到外壳电容
非常低内部寄生
电感(通常为< 5 NH)
独立包装UL认可
(档案编号E81743 )
1
2
ISOTOP
内部原理图
工业应用:
s
SMPS & UPS
s
电机控制
s
焊接设备
s
功率因数校正
s
非对称半桥开关电源
(提供免费STE36N50 -DA )
MOSFET绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
V
ISO
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
绝缘耐压( AC- RMS)
o
价值
500
500
±
20
36
24
144
380
3.3
-55到150
150
2500
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
V
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1994年9月
1/9
STE36N50-DK
MOSFET电气特性
(续)
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 18 A
V
GS
= 0
分钟。
16
8000
1300
350
典型值。
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 250 V I
D
= 18 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图1 )
V
DD
= 400 V I
D
= 36 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 400 V
I
D
= 36 A
V
的s
= 10 V
分钟。
典型值。
45
85
700
马克斯。
65
120
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
295
35
145
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V I
D
= 36 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
100
45
160
马克斯。
140
65
225
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 36 A
V
的s
= 0
1
29
58
I
SD
=十六条的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图3 )
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
36
144
1.4
单位
A
A
V
s
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
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STE36N50-DK
二极管的电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明)
STATIC
符号
V
F
(#)
I
R
(##)
参数
正向电压降
反向漏
当前
I
F
= 20 A
I
F
= 20 A
测试条件
T
j
= 25
o
C
T
j
= 125
o
C
T
j
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
1.75
1.5
100
6
单位
V
V
A
mA
V
R
= V
RM
x 0.8
V
R
= V
RM
x 0.8
DINAMIC
符号
t
rr
参数
反向恢复
时间
I
F
= 0.5 A
T
j
= 25
o
C
I
F
= 1 A
V
R
= 30 v
I
RM
最大反向
恢复电流
测试条件
I
R
= 1 A
I
rr
= 0.25 A
分钟。
典型值。
30
60
马克斯。
单位
ns
ns
di
F
/ DT = -50 A / μs的
T
j
= 25
o
C
T
j
= 125
o
C
V
R
= 400 V I
F
= 20 A
di
F
/ DT = -160 A / μs的
di
F
/ DT = -500 A / μs的
12.5
17.5
A
A
导通开关
符号
t
fr
V
FP
参数
正向恢复
时间
峰值正向电压
测试条件
I
F
= 20 A二
F
/ DT = 160 A / μs的
测量: 1.1× V
F( MAX)的
T
j
= 25
o
C
分钟。
典型值。
马克斯。
600
12
单位
ns
V
( # )脉冲:脉冲宽度= 380
s,
占空比< 2 %
( ## )脉冲:脉冲宽度= 5
s,
占空比< 2 %
注:有关完整的二极管特性是指STTA2006P数据表
安全工作区
热阻抗
4/9