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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第389页 > STE26N50
STE26N50
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管ISOTOP包装
TYPE
STE26N50
s
s
V
DSS
500 V
R
DS （ ON）
< 0.2
I
D
26 A
4
3
s
s
s
s
s
s
s
高电流功率模块
雪崩坚固的技术
（见IRFP450的评价）
非常大型SOA - 大峰值功率
能力
易于安装
相同的电流能力的
两个输出端子
非常低R
th
结到外壳
非常低漏到外壳电容
非常低内部寄生
电感（通常为< 5 NH）
独立包装UL认可
（档案编号E81743 ）
1
2
ISOTOP
内部原理图
工业应用：
s
SMPS & UPS
s
电机控制
s
焊接设备
s
输出级PWM ，超声
电路
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
V
ISO
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
绝缘耐压（ AC- RMS）
o
价值
500
500
±
20
26
17
104
300
2.4
-55到150
150
2500
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
V
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1993年7月
1/8
STE26N50
热数据
R
THJ - CAS é
R
THC -H
热阻结案件
热阻案例散热器采用导电
润滑脂的应用
最大
最大
0.42
0.05
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
I
D
= 1毫安
测试条件
V
GS
= 0 V
分钟。
500
200
1
±
200
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mA
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流（V
S
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
的s （次）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 1毫安
I
D
= 13 A
分钟。
2
典型值。
马克斯。
4
0.2
单位
V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
V
DS
= 25 V
I
D
= 13 A
F = 1 MHz的
V
的s
= 0 V
分钟。
12
6
1200
500
典型值。
马克斯。
单位
S
nF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 250 V I
D
= 13 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图1 ）
V
DD
= 400 V I
D
= 26 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 26 A
分钟。
典型值。
60
80
450
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
总栅极电荷
275
nC
2/8
STE26N50
电气特性
（续）
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V
I
D
= 26 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
63
25
85
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 26 A
V
的s
= 0
850
23.5
55
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
26
104
1.4
单位
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 26 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图3 ）
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
STE26N50
降额曲线
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/8
STE26N50
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一化的击穿电压与温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
5/8
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