N沟道100V - 0.23
- 9A DPAK / IPAK
功率MOS晶体管
表1.一般特点
TYPE
STD9N10
STD9N10-1
V
DSS
100 V
100 V
R
DS ( ON)
< 0.27
< 0.27
I
D
9A
9A
STD9N10
STD9N10-1
图1.包装
功能摘要
■
典型
DS ( ON)
= 0.23
■
■
■
■
■
■
■
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据,在100℃
低栅电荷
高电流能力
175 ° C工作温度
面向应用
表征
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀"-1" )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀"T4" )
IPAK
TO-251
3
2
1
3
1
DPAK
TO-252
■
图2.内部示意图
■
应用
■
大电流,高开关速度
■
■
■
■
■
电磁阀和继电器驱动器
稳压器
DC-DC & DC- AC转换器
电机控制,音频放大器
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
表2.订购代码
产品型号
STD9N10T4
STD9N10-1
记号
D9N10
D9N10
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
第2版
2004年5月
1/12
STD9N10/STD9N10-1
表11.源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRAM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
I
SD
= 9 A; V
GS
= 0
I
SD
= 9 A;的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 20V;牛逼
j
= 150 °C
(见测试电路,图24 )
80
0.2
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
9
36
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
注:1,脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
图3.安全工作区
图4.热阻抗
图5.降额曲线
图6.输出特性
4/12
STD9N10
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
ST D9N10
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
< 0.27
I
D
9 A
s
s
典型
DS ( ON)
= 0.23
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
通孔IPAK ( TO- 251 )电源
包装管内(后缀“ -1” )
表面安装DPAK ( TO- 252 )
电源包装在磁带& REEL
(后缀“ T4 ” )
3
2
1
1
3
IPAK
TO-251
(后缀“-1” )
DPAK
TO-252
(后缀“ T4 ” )
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制,音频放大器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
价值
100
100
±
20
9
6
36
45
0.3
-65 175
175
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1996年3月
1/10