STD95NH02L-1
STD95NH02L
N沟道24V - 0.0039Ω - 80A - DPAK - IPAK
超低栅极电荷的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STD95NH02L
STD95NH02L-1
V
DSS
24V
24V
R
DS （ ON）
< 0.005Ω
< 0.005Ω
I
D
80A
(1)
80A
(1)
3
2
1
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
3
1
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
IPAK
DPAK
描述
该装置是基于最新一代的
意法半导体独有的STripFET 技术。一
创新的设计使得该设备还
表现为最极低的栅极电荷
苛刻的高频率要求直流
DC转换器。它因此非常适合高密度
在电信和计算机转换器
应用程序。
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
表1中。
设备简介
记号
D95NH02L
D95NH02L
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
订货编号
STD95NH02LT4
STD95NH02L-1
2007年8月
转4
1/16
www.st.com
16
目录
STD95NH02L - STD95NH02L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
7
测试电路
................................................ 8
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
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STD95NH02L - STD95NH02L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
尖峰（1）
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D (2)
I
D(2)
I
DM （3）
P
合计
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
30
24
24
± 20
80
68
320
100
0.67
600
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
1.保证在外部RG = 4.7Ω和TF < TFMAX
2.价值限于通过引线接合
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.启动TJ = 25°C ，ID = 40A ， VDD = 22V
表3中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境的最大
最大无铅焊接温度的目的
1.5
100
275
° C / W
° C / W
°C
3/16
电气特性
STD95NH02L - STD95NH02L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V ，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
V
GS
= 5V ，我
D
= 40A
1
0.0039
0.0055
0.005
0.009
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
Q
gls(3)
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限门
收费
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A
分钟。
典型值。
30
2070
990
90
20
110
47
20
17
7.6
6.8
22.6
15
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 15V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 12V，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图14）
V
DD
= 12V，我
D
= 80A,
V
GS
= 5V ，R
G
= 4.7
（见
图15）
V
DS
=19V, V
GS
=0V
V
DS
< 0V ，V
GS
= 5V
F = 1MHz的直流门
偏压= 0测试信号
等级= 20mV的
漏极开路
R
G
门输入电阻
1.8
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. Q
操作系统。
= C
OSS
*
VIN ，C
OSS
= C
gd
+ C
GD 。
SEE
第4章：附录A
3.栅极电荷为同步操作
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STD95NH02L - STD95NH02L - 1
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 40A ，V
GS
= 0
42
50.4
2.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图16）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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